Transístor de efeito de campo MOSFET N-Channel de modo de melhoramento de canal SOT-23 semicondutor 2N7002

• Estrutura encapsulamento: N-Channel Enhancement Mode Field Effect Transistor
• Aplicação: Battery operated systems
• Certificação: RoHS, CE, ISO, CCC
• Device marking code: mbr4045 pt
• tempo de entrega: 6~8weeks
• Average Rectified Output Current: 40 a.
• N ° de Modelo.: 2N7002 SOT-23
• tensão de inversão de pico repetitiva: 45 v.
• Surge(Non-repetitive)Forward Current: 300 a.
• temperatura de armazenamento: -55 ~ +150
• temperatura de junção: -55 ~ +150
• grau: industrial
• digite: n
• VDSS (V): 60
• ID (A): 0.34
• PD (W): 0.35
• Pacote de Transporte: 3000PCS
• Marca Registrada: YANGJIE
• Origem: Made in China
• Código HS: 8542329000

Descrição de Produto

MOSFET
NÚMERO DE PEÇA : 2N7002 SOT-23 F2

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Tempo de entrega: 6 ~ 8 semanas  


Resumo do produto
- VDS 60V
- ID 340mA
- RDS (LIGADO) (em VGS: 10 V) < 2,5 ohm
- RDS (LIGADO) (VGS < 4,5V) 3,0ohm


Descrição Geral
- tecnologia MOSFET de potência de tendências MV
- Interruptor de sinal pequeno controlado por tensão
- capacitância de entrada baixa
- velocidade de comutação rápida
- vazamento de entrada/saída baixo
 

Aplicações
- sistemas operados por bateria
- relés de estado sólido
- Interface de nível lógico direto: TTL/CMOS

Folha de dados