shape: | SMD |
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Conductive Type: | Unipolar Integrated Circuit |
Integration: | SSI |
Technics: | Semiconductor IC |
tensão: | 85 v. |
atual: | 200a |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
O NCE disponibiliza MOSFETs de potência da série N-Channel SGT-II com potências de ruptura entre os 30 V e os 120 V. As características de resistência ultra baixa (RDS(ON)) e carga de porta ultra baixa (QG) dos produtos, combinadas com pacotes avançados leves e compactos, aumentam ainda mais a densidade de potência e a eficiência de conversão de energia do sistema. Entretanto, para aplicações de baixa frequência com requisitos de desempenho e robustez extremamente exigentes, os novos produtos da série SGT-II de Energia limpa N-Channel otimizam ainda mais a capacidade de desativação de corrente elevada e a proteção eletrostática, que podem satisfazer uma vasta gama de aplicações, incluindo a transmissão de motores CC, a proteção da bateria de iões de lítio e a retificação síncrona de CA/CC. Além disso, em comparação com a geração anterior da série SGT-I, a série Sgt-II apresenta uma redução de 20% na resistência de Ron, sp e 20% na redução de FOM, o que proporciona uma melhor escolha para os designers melhorarem ainda mais a eficiência do sistema.
A gama de pacotes MOSFET de potência da série N-channel SGT-II inclui ATÉ -220, ATÉ -252, ATÉ -247, ATÉ -263, ATÉ -251, TOLL, DFN5 * 6, DFN3 * 3, SOP-8 e outros pacotes, fornecendo aos designers opções mais flexíveis para personalização.
Nota: Os MOSFETs SGT também são conhecidos como MOSFETs Super Trench.
Informações sobre marcação e encomenda de embalagens | ||||||||
Marca | Número de peça | Pacote de dispositivos | SPQ | MOQ | ||||
NCE | NCEP028N85 | A -220 | 50 peças/bobina | 1000 peças |
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