Sapphire Wafers

Cristal da safira
O cristal da safira tem o desempenho ótico excelente, a propriedade mecânica e a estabilidade do produto químico. Igualmente tem a dureza e o ponto de derretimento de grande resistência, grandes da elevação. Conseqüentemente, é amplamente utilizado na fabricação da lente do elemento, da tampa da luz da ogiva do míssil e da janela óticas especiais do laser. Devido à estrutura de cristal particular, à estabilidade química elevada, ao melhor desempenho da dissipação de calor, aos tamanhos maiores e aos baixos preços, cristal de safira torna-se o material chave da carcaça para o diodo luminescente.

Cristal do SIC
Capacidade tecnologico:
1. 2" - 4" Bolachas do SIC, incluindo: Tipo SIC de N, 6H-SiC4H-SiC semi-insulating
2. < da aspereza de superfície; 0.3nm
3. Density< dos Microtubules; 10/cm2, estrutura de cristal estabilizada (> 90%), tipo controlado da condução (tipo de n ou semi-insulating)
4. direitos de propriedade inteletual Auto-possuídos

O SIC é um material largo importante do semicondutor da abertura de faixa que seja considerado o representante de materiais largos de terceira geração do semicondutor da abertura de faixa após (GaAs, Gap, InP) os materiais first-generation (Si, Ge) e de segunda geração do semicondutor composto. O desenvolvimento do desempenho do dispositivo do Si foi alcangado o limite. Conseqüentemente, a pesquisa do material largo do semicondutor da abertura de faixa torna-se urgente e importante. O SIC tem propriedades atrativas tais como a abertura de faixa larga, condutibilidade de calor elevado, taxa de migração saturada eletrônica elevada e foi amplamente utilizado para o dispositivo electrónico optoelectronic e de alta freqüência da fabricação do poder superior.