Reactive Ion Etching System rie Failure Analysis material baseado em silicone Etching INP temperatura normal Etching SIC material Etching

• After-sales Service: 1 Year
• Warranty: 1 Year
• Type: Rie
• Certification: CE
• Etching Type: Double Spray
• Precision: High Precision
• N ° de Modelo.: MD150-RIE
• Condition: New
• Marca Registrada: minder-hightech
• Origem: China
• Capacidade de Produção: 100

Descrição de Produto

Sistema de gravação de iões reactiva
RIE

Materiais aplicados:
Camada de passivação: SiO2, SiNx
Backsilicone
Camada adesiva: Castanho
Orifício de passagem: W

Característica: 1. Gravação de camada de passivação com ou sem orifícios; 2. Gravação de camada adesiva; 3. Gravação de silicone traseira


Configuração do projeto e diagrama da estrutura da máquina

Item	MD150-RIE	MD200-RIE	MD200C-RIE
Tamanho do produto	≤ 6 polegadas	≤ 8 polegadas	≤ 8 polegadas
Fonte de alimentação RF	0 - 300 W / 500 W / 1000 W correspondência automática e ajustável
Bomba molecular	-/620 (L/s)/1300 (L/s)/Personalizado		Antiseptic620 (L/s)/1300 (L/s)/Personalizado
Bomba da linha de alimentação	Bomba mecânica/bomba seca		Bomba seca
Pressão do processo	Pressão descontrolada/pressão controlada 0-1Torr
Tipo de gás	H/CH4/O2/N2/AR/SF6/CF4/ CHF3/C4F8/NF3/PERSONALIZADO (Até 9 canais, sem gás corrosivo e tóxico)		H2/CH4/O2/N2/ar/F6/CF4/CHF3/C4F8/NF3/Cl2/BCl3/HBr (até 9 canais)
Gama de gases	0 ~ 5 cm/50 cm/100 cm/200 cm/300 cm/500 cm/personalizado
Bloqueio da bagageira	Sim/não		Sim
Controlo do sistema de amostragem	10 ° C ~ Quarto tem /- 30 ° C ~ 100 ° C / Personalizado		-30 ° C ~ 100 ° C / Personalizado
Arrefecimento de hélio de volta	Sim/não		Sim
Processar o revestimento da cavidade	Sim/não		Sim
Controlo do sistema de parede de cavidade	No/Roomtem ~ 60 / 120 ° C		Quarto tem -60/120 ° C
Sistema de controlo	Automático/personalizado
Material de gravação	Baseado em silício: Si/SiO2/SiNx ··· IV-IV: SiC Materiais magnéticos/materiais de liga Material metálico: Ni/Cr/Al/Au..... Material orgânico: PR/PMMA/HDMS/orgânico filme ......		Baseado em silício: Si/SiO2/SiNx ...... III-V(3): InP/GaAs/GaN ...... IV-IV: SiC II-VI(3): CdTe ...... Materiais magnéticos/materiais de liga Material metálico: Ni/Cr/A1/Au ...... Material orgânico: PR/PMMA/HDMS/película orgânica...

Resultado do processo
Gravação de material à base de silicone
Materiais baseados em silicone, padrões de nano-impressão, matriz
padrões e ajuste do padrão da objetiva

INP. Temperatura normal de gravação
Gravação de padrões de dispositivos baseados em InP utilizados na comunicação óptica, incluindo estrutura de guia de ondas, estrutura de crista de cavidade ressonante, etc.

Gravação de material SIC
Adequado para dispositivos de micro-ondas, dispositivos de alimentação, etc.

Entortar físico, etching material orgânico tching

É aplicado à gravação de materiais difíceis de obter, como alguns metais (como Ni/Cr) e cerâmica, e o padrão de tching de materiais é realizado pelo bombardeamento físico.

É utilizado para a gravação e remoção de compostos orgânicos Tal como o fotorsist (PR)/PMMA/HDMS/polímero

Material de película cermet (Au/Ni/Cr/Al2O3)

 

 

Apresentação dos resultados da análise de falhas


Especificação:
1. Evitar que as aparas voem
2. Nó mínimo que pode ser processado: 14nm;
3. Taxa de gravação de SiO2/SiNx: 50~150 nm/min;
4. Rugosidade da superfície Etched: < 1 nm;
5. Suportar camada de passivação, camada de adesão e gravação de silicone posterior;
6. Relação de seleção de Cu/Al: > 50
7.Máquina multifuncional CxLxA: 1300mmX750mmX950mm
8. Suporte à execução com um clique

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