Padrão: | Micro Load Cell |
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Transform Type: | Strain Resistência |
Fora-Wire: | 4 Wires |
Tipo de saída de sinal: | Tipo analógico |
Característica: | Semicondutor |
Processo De Produção: | Integração |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
Especificações: | |||
Capacidade | Kg | 0.3~6 | |
Sobrecarga de seguro | %FS | 120 | |
Sobrecarga do final | %FS | 150 | |
Potência de saída nominal | MV/V | 1,0 ± 0,1 | 2,0 ± 0,2 |
Tensão de excitação | Vdc | 9 ~ 12 | |
Erro combinado | %FS | ± 0,03 | 0.02 |
O desequilíbrio zero | %FS | ± 2 | |
Não linearidade | %FS | ± 0,03 | ± 0,02 |
A histerese | %FS | ± 0,03 | ± 0,02 |
Repetibilidade | %FS | ± 0,01 | |
Creep | %FS/30min | ± 0,02 | |
Resistência de entrada | Ω | 405 ± 6 | |
Resistência de saída | Ω | 350 ± 5 | |
Resistência de isolamento | M Ω | ≥ 5000 @ 100 Vdc | |
Faixa de temperatura operacional | ºC | -20 ~ +55 | |
Faixa de temperatura compensada | ºC | -10 ~ +40 | |
Coeficiente de temperatura de SPAN | %FS/10ºC | ± 0,024 | ± 0,017 |
Coeficiente de temperatura de zero | %FS/10ºC | ± 0,03 | ± 0,02 |
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