Encapsulation Structure: | Chip Transistor |
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Application: | Electronic Products |
Certification: | CE, ISO |
Luminous Intensity: | Scattering |
Color: | Yellow |
Structure: | Mesa |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
Símbolos | 1N4001 | 1N4002 | 1N4003 | 1N4004 | 1N4005 | 1N4006 | 1N4007 | Unidade | ||
Tensão de pico inversa repetitiva máxima | VRRM | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V | |
Tensão rms máximo | VRMS | 35 | 70 | 140 | 280 | 420 | 560 | 700 | V | |
Tensão de bloqueio DC máxima | VDC | 50 | 100 | 200 | 400 | 600 | 800 | 1000 | V | |
Média máxima de corrente rectificada de avanço, 0,375"(9,5mm) comprimento do fio no TA = 75 °C | I(AV) | 1.0 |
Amps | |||||||
Pico de corrente de surto de Avanço 8.3Ms única onda senoidal de meia onda sobreposta à carga nominal(JEDEC método) |
IFSM | 30 |
Amps | |||||||
Tensão de Avanço instantâneo máximo no 1.0A | VF | 1.1 | V | |||||||
Máximo de corrente de ré DC DC tensão de bloqueio | TA = 25 °C |
IR | 5.0 | UA | ||||||
TA = 100 °C | 50 | UA | ||||||||
Corrente de reversão máxima a plena carga, ciclo total média de 0,375"(9,5mm) comprimento do fio no TL = 75 °C | IR(AV) | 30 | UA | |||||||
A capacitância de junção típico(Nota 1) | CJ | 15 | PF | |||||||
Resistência térmica típico(Nota 2) | RJA | 50 | °C/W | |||||||
Faixa de temperatura de operação e armazenamento | TJ | (-65 a +175) | °C | |||||||
Faixa de temperatura de armazenamento | TSTG | (-65 a +175) | °C |
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