10 a 650 V N - modo de melhoramento de potência MOSFET Dhi10n65 a -262

• Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
• Material: Metal-Oxide Semiconductor
• Tipo: Semicondutor Tipo N
• Pacote: to-262
• Aplicação: Power Switching Applications
• Modelo: Dhi10n65
• N ° de Modelo.: DHI10n65
• Número de lote: 2021
• Marca: Wxdh
• tensão: 650 v
• atual: 10 a.
• Pacote de Transporte: Tube
• Marca Registrada: WXDH
• Origem: Wuxi, China
• Código HS: 8541290000
• Capacidade de Produção: 500000000 Pieces/Year

Descrição de Produto

PARÂMETRO		SÍMBOLO	VALOR		UNIDADE
			10N65/I10N65/E10N65	F10N65
Tensão de transmissão para fonte		VDSS	650		V
Tensão da porta para o Drian		VGSS	± 30		V
Corrente de purga (contínua)		ID (T 25ºC)	10		A
		(T 100ºC)	6.3		A
Corrente de drenagem (pulsada)		IDM	40		A
Energia de uma única pulsação para Avalanche		EAS	500		MJ
Dissipação total	25ºC	Ptot	2		W
	25ºC	Ptot	130	40	W
Temperatura de junção		TJ	-55~150		ºC
Temperatura de armazenamento		Tstg	-55~150		ºC

 

Comodidades

Comutação rápida

Baixa resistência

Carga da porta baixa

Condensadores de transferência de inversão baixos

Teste de energia de Avalanche de impulso único a 100%

100% ΔVDS Teste

Aplicações

utilizado em vários circuitos de comutação de potência para o sistema
miniaturização e maior eficiência.

Circuito do interruptor de alimentação do lastro de electrões e do adaptador.

 

Especificações do produto e modelos de embalagem
Modelo do produto	Tipo de pacote	Marca Nome	RoHS	Pacote	Quantidade
10N65	A -220	10N65	Sem PB	Tubo	1000/caixa
F10N65	A -220F	F10N65	Sem PB	Tubo	1000/caixa
I10N65	A -262	I10N65	Sem PB	Tubo	1000/caixa
E10N65	A -263	E10N65	Sem PB	Fita e bobina	800/caixa