O arsenieto de gálio Wafer Asga

• Pureza: 6n /8n
• Liga: Não Liga
• Secundário: Não-Secundário
• produto: gaa de arseneto de gálio
• oferta: gaas poli/simples/wafers
• Pacote de Transporte: Carton Box
• N ° de Modelo.: 6N/8N
• Especificação: 6N-8N
• Marca Registrada: XWX
• Origem: China
• Capacidade de Produção: 10000mt

Descrição de Produto

Bolacha de GaAs /wafers de arsenieto de gálio Método de crescimento: VGF Tipo de conduta: N GaAs-Si Dopant: Diâmetro de 2 a 4 pol. Orientação: (100)150± 0,50 para (111)UM Da localização/comprimento: EJ [ 0-1-1]± 0.50/17± 1 Se o local/comprimento: EJ [ 0-1 1 ]± 0.50/7± 1 Lingotes CC: min: 0.2E18 Max: 4E18 A resistividade : mín: máx: 9.0E 0.8E-3-3 Mobilidade: ≥ 1500 Dfe: ≤ 5000 Espessura: 350± 25 Nós também fornecemos metal Gálio ,o arseneto de gálio GaAs cristal único polycrystal Asga, bolacha de GaAs, óxido de gálio com alto grau de pureza. Ordem especial está disponível plz, entre em contato conosco.