| Costumização: | Disponível |
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| Marca Compatível: | iPhone |
| Tipo: | Portátil |
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Carregador de telefone PD Smart 30W com ficha adaptador de carregamento rápido
Para os materiais semicondutores tradicionais, a alta frequência de comutação resultará numa perda de comutação elevada, enquanto as características de perda reduzida do material GaN podem reduzir a geração de calor,
Embora o aumento da frequência de comutação possa reduzir o volume de transformadores e condensadores, o que ajudará a reduzir o volume e o peso do carregador.
Agora que a potência de carregamento rápido está a aumentar e a aumentar, pode dizer-se que a produção em massa de carregadores GAN para uso civil representa uma direcção de desenvolvimento de carregadores no futuro.
Embora o preço atual seja relativamente alto, acredita-se que, em um futuro próximo, à medida que a tecnologia dos materiais GaN se torna mais madura e popular, o custo dos carregadores GaN se tornará mais baixo e mais baixo.
O nitreto de gálio, fórmula molecular GaN, nitride de gálio em inglês, é um composto de nitrogênio e gálio. É um semicondutor de faixa direta (intervalo de banda direta) e é atualmente utilizado em carregadores de carregamento rápido.
O desempenho é amplamente reconhecido pelos clientes. Haverá um mercado muito amplo nos próximos 1-3 anos.
