Modo de Melhoramento de canal P Transistor de Efeito de Campo Fds9435UM 9435A

• Certificação: RoHS
• Estrutura encapsulamento: transístor smd
• Instalação: Triodo SMD
• N ° de Modelo.: FDS9435A
• Freqüência de trabalho: Alta frequência
• Nível de poder: Poder médio
• Função: Triode poder, mosfet
• tipo de produto: mosfet
• polaridade do transístor: canal p.
• pacote/caixa: so-8
• série: fds9435a
• estilo de instalação: smd/smt
• descrição detalhada: canal p 5.3a (ta) 2.5w (ta) montagem saliente 8-soic
• categoria: transístores - fets, mosfet
• tipo fet: canal p.
• tecnologia: mosfet
• purga para tensão de alimentação (vdss): 30 V
• capacidade de entrada (ciss) (máx.) @ vds: 528 pf @ 15 v
• Especificação: altura: 1.75 mm comprimento: 4.9 mm

Descrição de Produto

Produto Paramenters

Tipo de FET	Canal P
Technology	De óxido metálico (MOSFET)
- Drenagem contínua (ID) @ 25°C	5.3A (Ta)
Tensão de acionamento (RDS no Max, Min Rds No)	4,5V, 10V
Rds no ID @ (máx.), Vgs	50 mOhm @ 5.3A, 10V
Vgs (Th) (Max) ID @	3V @ 250 µA
Vgs (Max)	±25V
Recurso de FET	-
Dissipação de energia (Max)	2,5 W (Ta)
A temperatura de operação	-55 °C ~ 175°C (TJ)
Tipo de montagem	Suporte para montagem saliente
Pacote de dispositivo do fornecedor	8-SOIC
Package / Case	8-SOIC (0,154", 3.90mm de largura)
Drene a tensão da fonte (Vdss)	30 V
Taxa de injeção (QG) (máx.) @ Vgs	14 nC @ 10 V
Capacitância de Entrada (Os Ciss) (máx.) @ VDS	528 pF @ 15 V
O número de produtos de base	FDS94

Os pedidos
· Gestão de Energia
· O interruptor de carga
· A protecção da bateria


Perfil da empresa


 




Embalagem do produto

Perguntas mais frequentes sobre


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Somos Fabricante de alta qualidade da própria China incluem chips IC,Transistor Resistor,,condensadores,
Memory,e,Traic Mosfet IGBT/SCR,Optoeletrônica.quase todos os componentes da electrónica na nossa produção.

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