Costumização: | Disponível |
---|---|
Certificação: | RoHS |
Estrutura encapsulamento: | Transistor de chip |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
Auditado por uma agência de inspeção terceirizada independente
Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade | |||||||||||||||||||||||||
Dreno - Tensão de origem | VDS | -30 | V | |||||||||||||||||||||||||
Porta - Tensão de origem | VGS | ± 20 | V | |||||||||||||||||||||||||
Corrente de purga contínua @-10V1 | 25ºC | ID | -11.5 | A | ||||||||||||||||||||||||
70ºC | 9 | |||||||||||||||||||||||||||
Dreno pulsado Current2 | IDM | 46 | A | |||||||||||||||||||||||||
Energia de Avalanche de impulsos simples 3 | EAS | 125 | MJ | |||||||||||||||||||||||||
Corrente de avalanche | IAS | -50 | A | |||||||||||||||||||||||||
Total Power Dissipation4 (Dissipação4 total de energia) | 25ºC | PD | 1.5 | W | ||||||||||||||||||||||||
Intervalo de temperatura de funcionamento da União e armazenamento | TJ, TSTG | -55 a 150 | ° C | |||||||||||||||||||||||||
Características térmicas | ||||||||||||||||||||||||||||
Parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade | |||||||||||||||||||||||||
Resistência térmica da junção ao ambiento1 | RθJA | 75 | ° C/W | |||||||||||||||||||||||||
Resistência térmica da junção para a caixa 1 | RθJC | 24 | ° C/W |