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DDR2 SDRAM W971GG6SB25I IC DRAM PARALELA DE 1 GBIT 84WBGA W971GG6SB25I-TR

forma: SMD
Tipo condutora: Circuito Integrado unipolar
Integração: MSI
técnica: Thin Film IC
Application: Standard Generalized Integrated Circuit
Type: Digital / Analog IC

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Membro Diamante Desde 2018

Fornecedores com licênças comerciais verificadas

Empresa Comercial

Informação Básica.

N ° de Modelo.
W971GG6SB25I
mfg.
WINBOND
d/c
Mais de 17
pacote
WBGA-84
qualidade
original novo genuíno
Pacote de Transporte
Box
Origem
China
Código HS
8542390000
Capacidade de Produção
1000000PCS

Descrição de Produto

Descrição

W971GGG6SB25I: 8M X 8 BANCOS X 16 BITS DDR2 SDRAM

Pacote: WBGA-84

MFR. # de peças: W971GG6SB25I

MFR.: WINBOND

Folha de dados:  DDR2 SDRAM W971GG6SB25I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA W971GG6SB25I-TR(Envie-nos um e-mail ou converse-nos para ficheiro PDF)

Estado RoHS:  DDR2 SDRAM W971GG6SB25I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA W971GG6SB25I-TR

Qualidade: 100% original

Garantia: 180 dias

 

Estado do produto
Obsoleto
 
Tipo de memória
Volátil
 
Formato da memória
DRAM
 
Tecnologia
SDRAM - DDR2
 
Tamanho da memória
1 Gbit
 
Organização da memória
64 M x 16
 
Interface de memória
Paralelo
 
Frequência do relógio
200 MHz
 
Tempo de ciclo de gravação - Word, Página
15 ns
 
Tempo de acesso
400 cv
 
Tensão - alimentação
1,7V ~ 1,9V
 
Temperatura de funcionamento
-40 ° C ~ 95 ° C (TC)
 
Tipo de montagem
Montagem saliente
 
Pacote/caixa
84-TFBGA
 
Pacote de dispositivo do fornecedor
84 WBGA (8x12,5)
 
Número de produto base
W971GGG6
 
1. DESCRIÇÃO GERAL
O W971GG6SB é uma SDRAM DDR2 de 1G bits, organizada como 8,388,608 palavras, 8 bancos, 16 bits. Isto
O dispositivo atinge taxas de transferência de alta velocidade de até 1066 Mb/seg/pino (DDR2-1066) para várias aplicações.
O W971GG6SB é classificado nas seguintes classes: -18, 18I, -25, 25I e -3. As séries -18 e 18I
As peças são compatíveis com a especificação DDR2-1066 (6-6-6) (A classe industrial 18I que é
Garantia de suporte - 40 ° C ≤ ESTOJO ≤ 95 ° C). As peças de grau -25 e 25I estão em conformidade com a norma
Especificação DDR2-800 (5-5-5) ou DDR2-800 (6-6-6) (A classe industrial 25I que é garantida a.
SUPORTE - 40 ° C ≤ ESTOJO ≤ 95 ° C). As peças de grau -3 são compatíveis com a especificação DDR2-667 (5-5-5).
Todas as entradas de controle e endereço são sincronizadas com o um par de diferencial fornecido externamente
relógios. As entradas são travadas no ponto cruzado dos relógios diferenciais (CLK Rising e CLK Falling). Tudo
Os e/S são sincronizados com um DQS ou diferencial de extremidade única Par DQS-DQS em uma fonte
moda síncrona.
2. CARACTERÍSTICAS
Fonte de alimentação: VDD, VDQ 1.8 ± V 0.1 V
Arquitetura de taxa de dados dupla: Duas transferências de dados por ciclo de clock
Latência CAS: 3, 4, 5, 6 e 7
Comprimento de disparo: 4 e 8
Os estrobes de dados bidirecionais e diferenciais (DQS e DQS) são transmitidos/recebidos com dados
Alinhado com a borda com ler dados e alinhado com o centro com escrever dados
A DLL alinha as transições DQ e DQS com o relógio
Entradas de relógio diferencial (CLK e CLK)
Máscaras de dados (DM) para dados de escrita
Os comandos inseridos em cada borda positiva do CLK, dados e máscara de dados são referenciados em ambas as bordas
De DQS
Latência aditiva programável CAS postada suportada para fazer o comando e. eficiência do barramento de dados
Latência de leitura: Latência aditiva mais latência CAS (L)
OFF-Chip - Ajuste de impedância do driver (OCD) e On-Die-Termination (ODT) para um melhor sinal
qualidade
Operação de pré-carregamento automático para sequências de leitura e gravação
Modos de atualização automática e atualização automática
Desativação pré-carregada e desativação ativa
Escrever máscara de dados
Latência de gravação: Latência de leitura -1 (L)
Interface: SSTL_18
Embalados em bola WBGA 84 (8x12,5 mm2), utilizando materiais sem chumbo em conformidade RoHS





DDR2 SDRAM W971GG6SB25I IC DRAM 1GBIT PARALLEL 84WBGA W971GG6SB25I-TR






 


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