• IC de SRAM de 4Mbit é61WV25616BLL-10TLI [Tariff
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IC de SRAM de 4Mbit é61WV25616BLL-10TLI [Tariff

forma: SMD
Aplicação: Circuito Integrado Padrão Generalizada
Tipo condutora: Circuito Integrado unipolar
Integração: MSIC
técnica: Thin Film IC
Digitar: Digital Analog IC /

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Miss Zora Xu
Sales Manager
Membro Diamante Desde 2018

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Trading Company

Informação Básica.

N ° de Modelo.
IS61WV25616BLL-10TLI
MFG.
ISSI
D/C
17+
Package
TSOP(II)-44
Quality
Genuine New Original
Pacote de Transporte
Box
Origem
China
Código HS
8542390000
Capacidade de Produção
1000000PCS

Descrição de Produto

DescriçãO

É61WV25616BLL-10TLI [Tariff: SRAM assíNcrona de chip úNico 2,5V/3,3V 4M-bit 256K x 16 10ns 44 pinos de chips TSOP II

Pacote:Chips TSOP(II)-44

Mfr.Part#:É61WV25616BLL-10TLI [Tariff

Mfr.:ISSI

Folha de dados: 
IC 4MBIT IS61WV25616BLL-10TLI SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V
(E-mail ou converse conosco para o arquivo PDF)

Status RoHS: 
IC 4MBIT IS61WV25616BLL-10TLI SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V

Qualidade:100% Original

Garantia:180 dias
 

O ISSI É61WV25616BLLis a alta velocidade, 4,194,304 bits carneiros estáTica organizados como262,144 palavras de 16 bits.Ele éFabricado atravéS do ISSI highperformanceCMOStechnology.Thishighlyreliableprocesscoupled com circuito inovadoras téCnicas de design, yieldshigh desempenho e baixo consumo de energia dispositivos.Quando a marcaçãO\ éAlta (desmarcado), o dispositivo assume astandby modo no qual a dissipaçãO de potêNcia pode ser reduceddown CMOS com níVeis de entrada.FáCil expansãO de memóRia éFornecido pelo chip com saíDa Enableand permitir entradas, MarcaçãO\ e OE\.O LOWWrite activa o (nóS)\ controla tanto escrita e leitura de thememory.Um byte de dados permite que o byte superior (UB)\ e LowerByte (LB)\.O É61WV25616ispackaged BLL no padrãO JEDEC 44 pinos 400mil SOJ,44 pinos tipo chips TSOP II e 48 pinos BGA Mini (6 mm x 8 mm).

Principais recursos

  • Acesso de alta velocidade tempo:8, 10, 20 ns
  • Baixa potêNcia activa:85 mW (tíPico)
  • Espera de baixa potêNcia:7 mW (tíPico) espera de CMOS de baixa potêNcia:(É61/64WV25616ALS/SBV)
  • Acesso de alta velocidade tempo:25, 35, 45 ns
  • Baixa potêNcia activa:35 mW (tíPico)
  • Espera de Baixa PotêNcia:0,6 mW (tíPico) ESPERA DO CMOS
  • Fonte de alimentaçãO úNica
    • 1.65Vdd V, 2,2 V (é61WV25616Axx)
    • 2,4V Vdd para 3,6V (É61/64WV25616Bxx)
  • Totalmente a operaçãO estáTica:Sem relóGio ou atualizar necessáRia
  • TrêS saíDas de estado
  • Controle de dados para a parte superior e inferior de bytes
  • IndúStria AutomóVel e o suporte de temperatura
  • Chumbo disponíVel

Empresa Linha de Produto



IC 4MBIT IS61WV25616BLL-10TLI SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V








 


IC 4MBIT IS61WV25616BLL-10TLI SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V


IC 4MBIT IS61WV25616BLL-10TLI SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V

IC 4MBIT IS61WV25616BLL-10TLI SRAM Chip Async Single 2.5V/3.3V


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Certificados

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Produto detalhes de embalagem


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