Oscilador de cristal Tg5032sfn Tcxo/VC-Tcxo de alta estabilidade de 10 MHz Para oscilador de cristais de 3.3 V a 40 MHz

• Costumização: Disponível
• Certificação: CE
• Tipo: tcxo
• N ° de Modelo.: TG5032SFN
• temperatura/humidade de armazenamento: -40 a 85ºc c.
• descrição: personalizar
• garantia: 1 anos
• aplicações: oscilação cristalina
• temperatura/humidade de funcionamento: -40 a 85ºc c.
• nome do produto: oscilador de cristal
• dimensões (l x p x a): 5,00 mm x 3,20 mm
• saída: 3.3V
• peso líquido/bruto: personalizado
• Pacote de Transporte: embalagem de cartão
• Marca Registrada: epson
• Origem: China

Descrição de Produto

Descrição do produto

 

Especificação

Símbolo de item TG5032CFN (saída CMOS) TG5032SFN (onda sinusoidal cortada) Condições/observações TCXO VC-TCXO TCXO VC-TCXO frequência de saída
Faixa de 10 MHz a 40 MHz 10, 12.8, 19.2, 20, 24.576, 25, 25.6, 26, 30.72, 38.4, 38.88, 40 MHz Tensão de alimentação de frequência padrão
VCC C: 3.3 V ± 5% (faixa de voltagem de alimentação: 2.375 V a 3.63 V) temperatura de armazenamento T_stg -40 ºC a 90 ºC armazenamento como produto único
Temperatura de funcionamento T_use G: -40 ºC a 85 ºC gama de temp. padrão a) tolerância de frequência f_tol ± 1.0 × 10-6 Máx. Após a reflow,
25 ºC b) características de frequência/temperatura para o FO-TC A: ± 0.1 × 10-6 Máx. / -40 ºC a 85 ºC H: ± 0.25 × 10-6 Máx. / -40 ºC a 85
ºC B: ± 0.28 × 10-6 Máx. / -40 ºC a 85 ºC Referência a (fmax ± fmin) / 2 c) coeficiente de frequência/carga para - carga 0.1 × 10-6 Máx.
Carga ± 10%d) coeficiente de frequência/tensão para - VCC ± 0.1 × 10-6 Máx. VCC ± 5%e) envelhecimento da frequência f_age ± 0.5 × 10-6 Máx. 25 ° C,
Primeiro ano ± 3.0 × 10-6 Máx. 25 ° C, 20 anos de estabilidade de holdover (temperatura constante) - ± 0.01 × 10-6 Máx. (25 ° C, 24 horas)
Após 10 dias de operação contínua. ± 0.04 × 10-6 Máx. (25 ° C, 24 horas) após 48 horas de funcionamento contínuo. Vagueie
Geração (MTIE, TDEV) - compatível com GR-1244CORE, ITU-T G. 8262 precisão de execução livre - ± 4.6 × 10-6 Máx. Isto inclui o item a),
b), c), d) e e) consumo de corrente ICC 5.0 mA máx. 5.0 mA máx. 10 MHz ≤ fo ≤ 26 MHz 6.0 mA Máx. 26 MHz < fo ≤ Entrada de 40 MHz
Resistência Rin - 100 kΩ mín. -100 kΩ min. VC-GND (DC) gama de controlo de frequência f_cont- ± 5 × 10-6 a ± 10 × 10-6- ± 5 × 10-6 a ± 10
× 10-6 D: VC: 1.5 V ± 1.0 V a. VCC 3.3 1.65 V E: VC ± V 1.0 V a VCC: 3.3 V de polaridade de mudança de frequência -- polaridade positiva -
Simetria de polaridade positiva nível de Vcc de 45% a 55% a 50%, voltagem de saída de VOH 15 PF de L_CMOS 90% VCC Mín. - VOL 10% VCC Max.
- nível de saída Vpp-0.8 V min. Pico a Pico tempo de subida/tempo de queda tr/tf 8.0 ns Máx. - 10% VCC a 90% VCC nível, carga: 15 PF
Tempo de arranque t_str 5.0 ms Max.t 90 0 a 15% VCC carga de carga de saída 10 PF kΩ 10 // PF