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Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT Oss65R340DF para252 Semicondutor de Alta Tensão

Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT Oss65R340DF para252 Semicondutor de Alta Tensão

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Tipo: Bateria de chumbo-ácido

Tensão: 3.6V

Tensão de carregamento: 4.1V~4.2V

Tensão de Trabalho: 3.6V~2.75V

Tipo de carregamento: Constant Current

Shelf Life Wet: 3 - 5 Anos

Intercalado Boost Osg65R038Pfc hzaf para247 Vds 650V O RDS38mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

Intercalado Boost Osg65R038Pfc hzaf para247 Vds 650V O RDS38mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

Intercalado Boost Osg65R038Pfc hzaf para247 Vds 650V O RDS38mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

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Tipo: Inversor da Alimentação para Carro

Certificado: RoHS

Embalagem: Air

Marca Registrada: Orientalsemiconductor

Origem: China

Código HS: 854129000

Intercalado Boost EV encargos PFC Osg65R038a247 hzaf Vds 650V38mΩ Fast Mosfet de RDS

Intercalado Boost EV encargos PFC Osg65R038a247 hzaf Vds 650V38mΩ Fast Mosfet de RDS

Intercalado Boost EV encargos PFC Osg65R038a247 hzaf Vds 650V38mΩ Fast Mosfet de RDS

Intercalado Boost EV encargos PFC Osg65R038a247 hzaf Vds 650V38mΩ Fast Mosfet de RDS

Intercalado Boost EV encargos PFC Osg65R038a247 hzaf Vds 650V38mΩ Fast Mosfet de RDS

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Certificado: RoHS

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Origem: China

Código HS: 854129000

Aumento intercalado PFC Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ MOSFET

Aumento intercalado PFC Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ MOSFET

Aumento intercalado PFC Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ MOSFET

Aumento intercalado PFC Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ MOSFET

Aumento intercalado PFC Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ MOSFET

Aumento intercalado PFC Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ MOSFET

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Aumento intercalado PFC Osg65r038hzaf To247 VDS 650V RDS38mΩ MOSFET

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Tipo: Inversor da Alimentação para Carro

Certificado: RoHS

Embalagem: Air

Marca Registrada: Orientalsemiconductor

Origem: China

Código HS: 854129000

MOSFET Super si de operações de alta frequência

MOSFET Super si de operações de alta frequência

MOSFET Super si de operações de alta frequência

MOSFET Super si de operações de alta frequência

MOSFET Super si de operações de alta frequência

MOSFET Super si de operações de alta frequência

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MOSFET Super si de operações de alta frequência

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Embalagem: Air

Marca Registrada: Orientalsemiconductor

Origem: China

Código HS: 854129000

Capacidade de Produção: 20K/Monthly

Intercalado Boost EV encargos PFC Aquecedor e Diodo Corpo robusto Osg65R099hszaf para247 Vds 650V O RDS99mΩ rápida recuperação do Diodo Mosfet de Alta Tensão

Intercalado Boost EV encargos PFC Aquecedor e Diodo Corpo robusto Osg65R099hszaf para247 Vds 650V O RDS99mΩ rápida recuperação do Diodo Mosfet de Alta Tensão

Intercalado Boost EV encargos PFC Aquecedor e Diodo Corpo robusto Osg65R099hszaf para247 Vds 650V O RDS99mΩ rápida recuperação do Diodo Mosfet de Alta Tensão

Intercalado Boost EV encargos PFC Aquecedor e Diodo Corpo robusto Osg65R099hszaf para247 Vds 650V O RDS99mΩ rápida recuperação do Diodo Mosfet de Alta Tensão

Intercalado Boost EV encargos PFC Aquecedor e Diodo Corpo robusto Osg65R099hszaf para247 Vds 650V O RDS99mΩ rápida recuperação do Diodo Mosfet de Alta Tensão

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Tipo: Inversor da Alimentação para Carro

Certificado: CE,RoHS

Embalagem: Carton

Padrão: 35x30x37cm

Marca Registrada: Orientalsemiconductor

Origem: China

Driver de moter PFC de aumento AEC-Q101 Qualifieaec-Q101 Osg65r099hszaf To247 VDS 650V RDS99mΩ MOSFET de díodo de recuperação rápida

Driver de moter PFC de aumento AEC-Q101 Qualifieaec-Q101 Osg65r099hszaf To247 VDS 650V RDS99mΩ MOSFET de díodo de recuperação rápida

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Tipo: Inversor da Alimentação para Carro

Certificado: RoHS

Embalagem: Carton

Padrão: 35x30x37cm

Marca Registrada: Orientalsemiconductor

Origem: China

Aumente o motor Pfc Aec-driver Q101 Osg qualificada65R099hszaf para247 Vds 650V O RDS99mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

Aumente o motor Pfc Aec-driver Q101 Osg qualificada65R099hszaf para247 Vds 650V O RDS99mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

Aumente o motor Pfc Aec-driver Q101 Osg qualificada65R099hszaf para247 Vds 650V O RDS99mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

Aumente o motor Pfc Aec-driver Q101 Osg qualificada65R099hszaf para247 Vds 650V O RDS99mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

Aumente o motor Pfc Aec-driver Q101 Osg qualificada65R099hszaf para247 Vds 650V O RDS99mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

Aumente o motor Pfc Aec-driver Q101 Osg qualificada65R099hszaf para247 Vds 650V O RDS99mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

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Tipo: Inversor da Alimentação para Carro

Certificado: CE,RoHS

Embalagem: Carton

Padrão: 35x30x37cm

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Origem: China

Driver de moter PFC de aumento intercalado AEC-Q101 qualificado Osg65r099hszaf To247 650V RDS99mΩ MOSFET de díodo de recuperação rápida

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Driver de moter PFC de aumento intercalado AEC-Q101 qualificado Osg65r099hszaf To247 650V RDS99mΩ MOSFET de díodo de recuperação rápida

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Certificado: RoHS

Embalagem: Carton

Padrão: 35x30x37cm

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Origem: China

Topologia Pfc Bridgeless Totem-Pole Potência Telecom RoHS Osg65R099hszaf para247 Vds 650V O RDS99mΩ rápida recuperação do Regulador de Tensão Alta Mosfet de Diodos

Topologia Pfc Bridgeless Totem-Pole Potência Telecom RoHS Osg65R099hszaf para247 Vds 650V O RDS99mΩ rápida recuperação do Regulador de Tensão Alta Mosfet de Diodos

Topologia Pfc Bridgeless Totem-Pole Potência Telecom RoHS Osg65R099hszaf para247 Vds 650V O RDS99mΩ rápida recuperação do Regulador de Tensão Alta Mosfet de Diodos

Topologia Pfc Bridgeless Totem-Pole Potência Telecom RoHS Osg65R099hszaf para247 Vds 650V O RDS99mΩ rápida recuperação do Regulador de Tensão Alta Mosfet de Diodos

Topologia Pfc Bridgeless Totem-Pole Potência Telecom RoHS Osg65R099hszaf para247 Vds 650V O RDS99mΩ rápida recuperação do Regulador de Tensão Alta Mosfet de Diodos

Topologia Pfc Bridgeless Totem-Pole Potência Telecom RoHS Osg65R099hszaf para247 Vds 650V O RDS99mΩ rápida recuperação do Regulador de Tensão Alta Mosfet de Diodos

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Tipo: Inversor da Alimentação para Carro

Certificado: RoHS

Embalagem: Air

Marca Registrada: Orientalsemiconductor

Origem: China

Código HS: 854129000

Potência do servidor RoHS melhor do que o dispositivo de Nitride de gálio (GaN) Em operações de alta frequência, MOSFET Super si Oss65r340FF To220f

Potência do servidor RoHS melhor do que o dispositivo de Nitride de gálio (GaN) Em operações de alta frequência, MOSFET Super si Oss65r340FF To220f

Potência do servidor RoHS melhor do que o dispositivo de Nitride de gálio (GaN) Em operações de alta frequência, MOSFET Super si Oss65r340FF To220f

Potência do servidor RoHS melhor do que o dispositivo de Nitride de gálio (GaN) Em operações de alta frequência, MOSFET Super si Oss65r340FF To220f

Potência do servidor RoHS melhor do que o dispositivo de Nitride de gálio (GaN) Em operações de alta frequência, MOSFET Super si Oss65r340FF To220f

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Embalagem: Air

Marca Registrada: Orientalsemiconductor

Origem: China

Código HS: 854129000

Capacidade de Produção: 20kkkk/Monthly

Substituição perfeita para o dispositivo de Nitride de gálio (GaN) Super si Semicondutor

Substituição perfeita para o dispositivo de Nitride de gálio (GaN) Super si Semicondutor

Substituição perfeita para o dispositivo de Nitride de gálio (GaN) Super si Semicondutor

Substituição perfeita para o dispositivo de Nitride de gálio (GaN) Super si Semicondutor

Substituição perfeita para o dispositivo de Nitride de gálio (GaN) Super si Semicondutor

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Substituição perfeita para o dispositivo de Nitride de gálio (GaN) Super si Semicondutor

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Embalagem: Air

Padrão: TO220F

Marca Registrada: Orientalsemiconductor

Origem: China

Código HS: 854129000

Capacidade de Produção: 20K/Monthly

Módulo IGBT global para a nova energia veículo (alimentação NEV) Baterias Telecom Super Si Mosfet de RoHS

Módulo IGBT global para a nova energia veículo (alimentação NEV) Baterias Telecom Super Si Mosfet de RoHS

Módulo IGBT global para a nova energia veículo (alimentação NEV) Baterias Telecom Super Si Mosfet de RoHS

Módulo IGBT global para a nova energia veículo (alimentação NEV) Baterias Telecom Super Si Mosfet de RoHS

Módulo IGBT global para a nova energia veículo (alimentação NEV) Baterias Telecom Super Si Mosfet de RoHS

Módulo IGBT global para a nova energia veículo (alimentação NEV) Baterias Telecom Super Si Mosfet de RoHS

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Módulo IGBT global para a nova energia veículo (alimentação NEV) Baterias Telecom Super Si Mosfet de RoHS

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Tipo: Bateria de chumbo-ácido

Tensão: 3.6V

Tensão de carregamento: 4.1V~4.2V

Tensão de Trabalho: 3.6V~2.75V

Tipo de carregamento: Constant Current

Shelf Life Wet: 3 - 5 Anos

Fácil de conceber em perfeita substituição para o Nitride de gálio (GaN) dispositivo em operações de alta frequência Super si Semiconductor

Fácil de conceber em perfeita substituição para o Nitride de gálio (GaN) dispositivo em operações de alta frequência Super si Semiconductor

Fácil de conceber em perfeita substituição para o Nitride de gálio (GaN) dispositivo em operações de alta frequência Super si Semiconductor

Fácil de conceber em perfeita substituição para o Nitride de gálio (GaN) dispositivo em operações de alta frequência Super si Semiconductor

Fácil de conceber em perfeita substituição para o Nitride de gálio (GaN) dispositivo em operações de alta frequência Super si Semiconductor

Fácil de conceber em perfeita substituição para o Nitride de gálio (GaN) dispositivo em operações de alta frequência Super si Semiconductor

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Fácil de conceber em perfeita substituição para o Nitride de gálio (GaN) dispositivo em operações de alta frequência Super si Semiconductor

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Embalagem: Air

Marca Registrada: Orientalsemiconductor

Origem: China

Código HS: 854129000

Capacidade de Produção: 20K/Monthly

Fonte de alimentação sem estrutura de ponte Totem-Pole RoHS Sfs04r013ugf Pdfn5 X 6 Fast Switching e Soft Recovery Low RDS (ON) 1.1mΩ, MOSFET de baixo débito FCosmos

Fonte de alimentação sem estrutura de ponte Totem-Pole RoHS Sfs04r013ugf Pdfn5 X 6 Fast Switching e Soft Recovery Low RDS (ON) 1.1mΩ, MOSFET de baixo débito FCosmos

Fonte de alimentação sem estrutura de ponte Totem-Pole RoHS Sfs04r013ugf Pdfn5 X 6 Fast Switching e Soft Recovery Low RDS (ON) 1.1mΩ, MOSFET de baixo débito FCosmos

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Fonte de alimentação sem estrutura de ponte Totem-Pole RoHS Sfs04r013ugf Pdfn5 X 6 Fast Switching e Soft Recovery Low RDS (ON) 1.1mΩ, MOSFET de baixo débito FCosmos

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Tipo: Inversor da Alimentação para Carro

Certificado: CE,RoHS

Embalagem: Carton

Padrão: 35x30x37cm

Marca Registrada: Orientalsemiconductor

Origem: China

Impulsionador de moter PFC AEC-Q101 Osg65r099hszaf To247 VDS 650V RDS99mΩ MOSFET de díodo de recuperação rápida

Impulsionador de moter PFC AEC-Q101 Osg65r099hszaf To247 VDS 650V RDS99mΩ MOSFET de díodo de recuperação rápida

Impulsionador de moter PFC AEC-Q101 Osg65r099hszaf To247 VDS 650V RDS99mΩ MOSFET de díodo de recuperação rápida

Impulsionador de moter PFC AEC-Q101 Osg65r099hszaf To247 VDS 650V RDS99mΩ MOSFET de díodo de recuperação rápida

Impulsionador de moter PFC AEC-Q101 Osg65r099hszaf To247 VDS 650V RDS99mΩ MOSFET de díodo de recuperação rápida

Impulsionador de moter PFC AEC-Q101 Osg65r099hszaf To247 VDS 650V RDS99mΩ MOSFET de díodo de recuperação rápida

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Impulsionador de moter PFC AEC-Q101 Osg65r099hszaf To247 VDS 650V RDS99mΩ MOSFET de díodo de recuperação rápida

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Certificado: RoHS

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Origem: China

Código HS: 854129000

A energia do servidor melhor do que o nitreto de gálio (GAN) Dispositivo em operações de Alta Frequência Super Oss Si65R340jf Pdfn8 x 8 MOSFET

A energia do servidor melhor do que o nitreto de gálio (GAN) Dispositivo em operações de Alta Frequência Super Oss Si65R340jf Pdfn8 x 8 MOSFET

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A energia do servidor melhor do que o nitreto de gálio (GAN) Dispositivo em operações de Alta Frequência Super Oss Si65R340jf Pdfn8 x 8 MOSFET

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Marca Registrada: Orientalsemiconductor

Origem: China

Código HS: 854129000

Capacidade de Produção: 20kkkk/Monthly

Carregador PD RoHS 1/3 custo do nitreto de gálio (GaN) Dispositivo em operações de alta frequência Super si Oss65r340FF MOSFET To220f

Carregador PD RoHS 1/3 custo do nitreto de gálio (GaN) Dispositivo em operações de alta frequência Super si Oss65r340FF MOSFET To220f

Carregador PD RoHS 1/3 custo do nitreto de gálio (GaN) Dispositivo em operações de alta frequência Super si Oss65r340FF MOSFET To220f

Carregador PD RoHS 1/3 custo do nitreto de gálio (GaN) Dispositivo em operações de alta frequência Super si Oss65r340FF MOSFET To220f

Carregador PD RoHS 1/3 custo do nitreto de gálio (GaN) Dispositivo em operações de alta frequência Super si Oss65r340FF MOSFET To220f

Carregador PD RoHS 1/3 custo do nitreto de gálio (GaN) Dispositivo em operações de alta frequência Super si Oss65r340FF MOSFET To220f

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Carregador PD RoHS 1/3 custo do nitreto de gálio (GaN) Dispositivo em operações de alta frequência Super si Oss65r340FF MOSFET To220f

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Origem: China

Código HS: 854129000

Capacidade de Produção: 20kkkk/Monthly

Substituição perfeita para o dispositivo de Nitride de gálio (GaN) em alta Operações de frequência Super si Oss65r340FF To220f semicondutor de alta tensão

Substituição perfeita para o dispositivo de Nitride de gálio (GaN) em alta Operações de frequência Super si Oss65r340FF To220f semicondutor de alta tensão

Substituição perfeita para o dispositivo de Nitride de gálio (GaN) em alta Operações de frequência Super si Oss65r340FF To220f semicondutor de alta tensão

Substituição perfeita para o dispositivo de Nitride de gálio (GaN) em alta Operações de frequência Super si Oss65r340FF To220f semicondutor de alta tensão

Substituição perfeita para o dispositivo de Nitride de gálio (GaN) em alta Operações de frequência Super si Oss65r340FF To220f semicondutor de alta tensão

Substituição perfeita para o dispositivo de Nitride de gálio (GaN) em alta Operações de frequência Super si Oss65r340FF To220f semicondutor de alta tensão

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Substituição perfeita para o dispositivo de Nitride de gálio (GaN) em alta Operações de frequência Super si Oss65r340FF To220f semicondutor de alta tensão

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Origem: China

Código HS: 854129000

Capacidade de Produção: 20kkkk/Monthly

Comutação de forma extremamente rápida substituição perfeita para o nitreto de gálio (GAN) Dispositivo em operações de Alta Frequência Super Oss Si65R340FF A220f Semiconductor

Comutação de forma extremamente rápida substituição perfeita para o nitreto de gálio (GAN) Dispositivo em operações de Alta Frequência Super Oss Si65R340FF A220f Semiconductor

Comutação de forma extremamente rápida substituição perfeita para o nitreto de gálio (GAN) Dispositivo em operações de Alta Frequência Super Oss Si65R340FF A220f Semiconductor

Comutação de forma extremamente rápida substituição perfeita para o nitreto de gálio (GAN) Dispositivo em operações de Alta Frequência Super Oss Si65R340FF A220f Semiconductor

Comutação de forma extremamente rápida substituição perfeita para o nitreto de gálio (GAN) Dispositivo em operações de Alta Frequência Super Oss Si65R340FF A220f Semiconductor

Comutação de forma extremamente rápida substituição perfeita para o nitreto de gálio (GAN) Dispositivo em operações de Alta Frequência Super Oss Si65R340FF A220f Semiconductor

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Comutação de forma extremamente rápida substituição perfeita para o nitreto de gálio (GAN) Dispositivo em operações de Alta Frequência Super Oss Si65R340FF A220f Semiconductor

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Marca Registrada: Orientalsemiconductor

Origem: China

Código HS: 854129000

Capacidade de Produção: 20kkkk/Monthly

Substituição perfeita de semicondutores Super si de terceira geração para o gálio Dispositivo de nitreto (GaN) em operações de alta frequência Oss65r340FF To220f MOSFET

Substituição perfeita de semicondutores Super si de terceira geração para o gálio Dispositivo de nitreto (GaN) em operações de alta frequência Oss65r340FF To220f MOSFET

Substituição perfeita de semicondutores Super si de terceira geração para o gálio Dispositivo de nitreto (GaN) em operações de alta frequência Oss65r340FF To220f MOSFET

Substituição perfeita de semicondutores Super si de terceira geração para o gálio Dispositivo de nitreto (GaN) em operações de alta frequência Oss65r340FF To220f MOSFET

Substituição perfeita de semicondutores Super si de terceira geração para o gálio Dispositivo de nitreto (GaN) em operações de alta frequência Oss65r340FF To220f MOSFET

Substituição perfeita de semicondutores Super si de terceira geração para o gálio Dispositivo de nitreto (GaN) em operações de alta frequência Oss65r340FF To220f MOSFET

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Substituição perfeita de semicondutores Super si de terceira geração para o gálio Dispositivo de nitreto (GaN) em operações de alta frequência Oss65r340FF To220f MOSFET

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Embalagem: Air

Marca Registrada: Orientalsemiconductor

Origem: China

Código HS: 854129000

Capacidade de Produção: 20kkkk/Monthly

1/3 custo do dispositivo de Nitride de gálio (GaN) em Alto Operações de frequência Super si Oss65r340FF MOSFET To220f

1/3 custo do dispositivo de Nitride de gálio (GaN) em Alto Operações de frequência Super si Oss65r340FF MOSFET To220f

1/3 custo do dispositivo de Nitride de gálio (GaN) em Alto Operações de frequência Super si Oss65r340FF MOSFET To220f

1/3 custo do dispositivo de Nitride de gálio (GaN) em Alto Operações de frequência Super si Oss65r340FF MOSFET To220f

1/3 custo do dispositivo de Nitride de gálio (GaN) em Alto Operações de frequência Super si Oss65r340FF MOSFET To220f

1/3 custo do dispositivo de Nitride de gálio (GaN) em Alto Operações de frequência Super si Oss65r340FF MOSFET To220f

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1/3 custo do dispositivo de Nitride de gálio (GaN) em Alto Operações de frequência Super si Oss65r340FF MOSFET To220f

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Origem: China

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Capacidade de Produção: 20kkkk/Monthly

Módulo IGBT global para veículos de energia novos (NEV) com qualificação AEC-Q101 Driver Moter Osg65r038hzaf To247 VDS 650V R

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Módulo IGBT global para veículos de energia novos (NEV) com qualificação AEC-Q101 Driver Moter Osg65r038hzaf To247 VDS 650V R

Módulo IGBT global para veículos de energia novos (NEV) com qualificação AEC-Q101 Driver Moter Osg65r038hzaf To247 VDS 650V R

Módulo IGBT global para veículos de energia novos (NEV) com qualificação AEC-Q101 Driver Moter Osg65r038hzaf To247 VDS 650V R

Módulo IGBT global para veículos de energia novos (NEV) com qualificação AEC-Q101 Driver Moter Osg65r038hzaf To247 VDS 650V R

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Módulo IGBT global para veículos de energia novos (NEV) com qualificação AEC-Q101 Driver Moter Osg65r038hzaf To247 VDS 650V R

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Tipo: Bateria de chumbo-ácido

Tensão: 3.6V

Tensão de carregamento: 4.1V~4.2V

Tensão de Trabalho: 3.6V~2.75V

Tipo de carregamento: Constant Current

Shelf Life Wet: 3 - 5 Anos

Veículos elétricos a bateria (BEVs), o módulo IGBT de operações de alta frequência MOSFET Super si Oss65r340FF To220f

Veículos elétricos a bateria (BEVs), o módulo IGBT de operações de alta frequência MOSFET Super si Oss65r340FF To220f

Veículos elétricos a bateria (BEVs), o módulo IGBT de operações de alta frequência MOSFET Super si Oss65r340FF To220f

Veículos elétricos a bateria (BEVs), o módulo IGBT de operações de alta frequência MOSFET Super si Oss65r340FF To220f

Veículos elétricos a bateria (BEVs), o módulo IGBT de operações de alta frequência MOSFET Super si Oss65r340FF To220f

Veículos elétricos a bateria (BEVs), o módulo IGBT de operações de alta frequência MOSFET Super si Oss65r340FF To220f

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Veículos elétricos a bateria (BEVs), o módulo IGBT de operações de alta frequência MOSFET Super si Oss65r340FF To220f

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Tipo: Bateria de chumbo-ácido

Tensão: 3.6V

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Tipo de carregamento: Constant Current

Shelf Life Wet: 3 - 5 Anos

Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT extremamente rápido das operações de alta freqüência de comutação Super Oss Si65R340FF A220f Semiconductor

Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT extremamente rápido das operações de alta freqüência de comutação Super Oss Si65R340FF A220f Semiconductor

Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT extremamente rápido das operações de alta freqüência de comutação Super Oss Si65R340FF A220f Semiconductor

Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT extremamente rápido das operações de alta freqüência de comutação Super Oss Si65R340FF A220f Semiconductor

Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT extremamente rápido das operações de alta freqüência de comutação Super Oss Si65R340FF A220f Semiconductor

Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT extremamente rápido das operações de alta freqüência de comutação Super Oss Si65R340FF A220f Semiconductor

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Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT extremamente rápido das operações de alta freqüência de comutação Super Oss Si65R340FF A220f Semiconductor

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Tipo: Bateria de chumbo-ácido

Tensão: 3.6V

Tensão de carregamento: 4.1V~4.2V

Tensão de Trabalho: 3.6V~2.75V

Tipo de carregamento: Constant Current

Shelf Life Wet: 3 - 5 Anos

Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT Operações de Alta Frequência Super Oss Si65R340FF A220f Semiconductor

Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT Operações de Alta Frequência Super Oss Si65R340FF A220f Semiconductor

Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT Operações de Alta Frequência Super Oss Si65R340FF A220f Semiconductor

Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT Operações de Alta Frequência Super Oss Si65R340FF A220f Semiconductor

Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT Operações de Alta Frequência Super Oss Si65R340FF A220f Semiconductor

Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT Operações de Alta Frequência Super Oss Si65R340FF A220f Semiconductor

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Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT Operações de Alta Frequência Super Oss Si65R340FF A220f Semiconductor

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Tipo: Bateria de chumbo-ácido

Tensão: 3.6V

Tensão de carregamento: 4.1V~4.2V

Tensão de Trabalho: 3.6V~2.75V

Tipo de carregamento: Constant Current

Shelf Life Wet: 3 - 5 Anos

Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT Operações de alta freqüência de terceira geração Oss65R340FF A220f Super Mosfet Si Semiconductor

Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT Operações de alta freqüência de terceira geração Oss65R340FF A220f Super Mosfet Si Semiconductor

Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT Operações de alta freqüência de terceira geração Oss65R340FF A220f Super Mosfet Si Semiconductor

Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT Operações de alta freqüência de terceira geração Oss65R340FF A220f Super Mosfet Si Semiconductor

Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT Operações de alta freqüência de terceira geração Oss65R340FF A220f Super Mosfet Si Semiconductor

Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT Operações de alta freqüência de terceira geração Oss65R340FF A220f Super Mosfet Si Semiconductor

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Os veículos eléctricos da bateria (BEVs) o módulo IGBT Operações de alta freqüência de terceira geração Oss65R340FF A220f Super Mosfet Si Semiconductor

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Tipo: Bateria de chumbo-ácido

Tensão: 3.6V

Tensão de carregamento: 4.1V~4.2V

Tensão de Trabalho: 3.6V~2.75V

Tipo de carregamento: Constant Current

Shelf Life Wet: 3 - 5 Anos

Veículos elétricos a bateria (BEV) o módulo IGBT RoHS de alta frequência Operações Super si Oss65r340FF To220f MOSFET

Veículos elétricos a bateria (BEV) o módulo IGBT RoHS de alta frequência Operações Super si Oss65r340FF To220f MOSFET

Veículos elétricos a bateria (BEV) o módulo IGBT RoHS de alta frequência Operações Super si Oss65r340FF To220f MOSFET

Veículos elétricos a bateria (BEV) o módulo IGBT RoHS de alta frequência Operações Super si Oss65r340FF To220f MOSFET

Veículos elétricos a bateria (BEV) o módulo IGBT RoHS de alta frequência Operações Super si Oss65r340FF To220f MOSFET

Veículos elétricos a bateria (BEV) o módulo IGBT RoHS de alta frequência Operações Super si Oss65r340FF To220f MOSFET

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Tipo: Bateria de chumbo-ácido

Tensão: 3.6V

Tensão de carregamento: 4.1V~4.2V

Tensão de Trabalho: 3.6V~2.75V

Tipo de carregamento: Constant Current

Shelf Life Wet: 3 - 5 Anos

Inversor de automóveis Aec-Q101 Driver Motor RoHS Osg65R038a247 hzaf Vds 650V O RDS38mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

Inversor de automóveis Aec-Q101 Driver Motor RoHS Osg65R038a247 hzaf Vds 650V O RDS38mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

Inversor de automóveis Aec-Q101 Driver Motor RoHS Osg65R038a247 hzaf Vds 650V O RDS38mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

Inversor de automóveis Aec-Q101 Driver Motor RoHS Osg65R038a247 hzaf Vds 650V O RDS38mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

Inversor de automóveis Aec-Q101 Driver Motor RoHS Osg65R038a247 hzaf Vds 650V O RDS38mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

Inversor de automóveis Aec-Q101 Driver Motor RoHS Osg65R038a247 hzaf Vds 650V O RDS38mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

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Inversor de automóveis Aec-Q101 Driver Motor RoHS Osg65R038a247 hzaf Vds 650V O RDS38mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

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Tipo: Inversor da Alimentação para Carro

Certificado: RoHS

Embalagem: Air

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Origem: China

Código HS: 854129000

Aumente o PFC AEC-Q101 Driver Motor qualificada Osg65R038a247 hzaf Vds 650V O RDS38mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

Aumente o PFC AEC-Q101 Driver Motor qualificada Osg65R038a247 hzaf Vds 650V O RDS38mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

Aumente o PFC AEC-Q101 Driver Motor qualificada Osg65R038a247 hzaf Vds 650V O RDS38mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

Aumente o PFC AEC-Q101 Driver Motor qualificada Osg65R038a247 hzaf Vds 650V O RDS38mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

Aumente o PFC AEC-Q101 Driver Motor qualificada Osg65R038a247 hzaf Vds 650V O RDS38mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

Aumente o PFC AEC-Q101 Driver Motor qualificada Osg65R038a247 hzaf Vds 650V O RDS38mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

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Aumente o PFC AEC-Q101 Driver Motor qualificada Osg65R038a247 hzaf Vds 650V O RDS38mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

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Tipo: Inversor da Alimentação para Carro

Certificado: RoHS

Embalagem: Air

Marca Registrada: Orientalsemiconductor

Origem: China

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Tipo

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Certificação

Certificação

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Tensão de Operação

Shell Grau de proteção

Tipo

Estrutura

Faixa de aplicação

Certificação

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Rotating Shaft

Especificação

Taxa de descarga

Poder

Estresse Caminho da Lâmina

Tipo de saída

Características da Empresa

Tipo de membro

Tipo de Negócio

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