Informação Básica.
N ° de Modelo.
Dia1-20*0.1-220
Tecnologia de Fabricação
Vgf
Aplicação
Light Source\Detector\Optical Fiber Communication
Thickness Um
350-675um ±25um
Pacote de Transporte
as Request
Descrição de Produto
descrição do Produto
Fosforeto índio (InP)
O fosforeto índio (InP) é um dos materiais semicondutores compostos iii-v importantes e uma nova geração de materiais funcionais eletrônicos após si e GaAs.
Como o InP na temperatura do ponto de fusão é de 1335 k, extrato de p de 27.5 ATM, portanto a síntese policristalina InP é relativamente difícil, o crescimento do cristal é muito mais difícil, todo o processo sempre sob alta temperatura e alta pressão, de modo que o cristal InP é difícil de obter, E o crescimento de cristal único sob alta temperatura e alta pressão, o stress térmico também é grande, assim que o processamento de wafers é difícil, mais a falha de empilhamento de InP pode abaixar, fácil de produzir Twin, a qualidade elevada da preparação de cristal de InP mais difícil.
Assim, o polimento InP atual da mesma área é 3~5 vezes mais caro do que GaAs. No entanto, a pesquisa de materiais InP é muito menos profunda e extensa do que si, GaAs e outros materiais.
Sob um campo eléctrico alto, a velocidade de desvio do pico do electrão é superior à velocidade em GaAs, que é um bom material para a preparação de dispositivos de velocidade ultra-elevada e de frequência ultra-elevada.
INP é melhor do que GaAs em algumas propriedades como o material dos dispositivos de transferência de efeito electrónico
A faixa de transição direta do InP é 1.35ev, que corresponde à banda com a menor perda de transmissão na comunicação de fibra ótica.
O INP tem uma melhor condutividade térmica e uma melhor eficiência de dissipação de calor Do que GaAs
O INP é um material de substrato importante: Preparação de cristal único semi-isolador
Em comparação com o material GaAs, o material InP tem as seguintes vantagens na fabricação de dispositivos:
1. A relação pico-vale atual dos dispositivos InP é maior que os dispositivos GaAs, portanto os dispositivos InP têm maior eficiência de conversão que os dispositivos GaAs.
2. A constante de tempo de energia de inércia é pequena e apenas metade dos GaAs, pelo que o seu limite de frequência de funcionamento é duas vezes superior ao dos dispositivos GaAs.
3 a condutividade térmica é superior à GaAs, o que é mais propício ao fabrico de dispositivos cw. 4. Os dispositivos InP baseados em materiais InP apresentam melhores características de ruído;
O INP como material de substrato tem principalmente as seguintes aplicações:
Os dispositivos fotoeléctricos, incluindo a fonte de luz (LED, LD) e o detector (PD, detector fotoeléctrico de avalanche APD), são utilizados principalmente no sistema de comunicação de fibra óptica.
O circuito integrado fotoeléctrico (OEIC) com laser integrado, detector óptico e amplificador é uma parte indispensável do sistema de comunicação de 40 GB/s da nova geração, que pode melhorar eficazmente a fiabilidade dos dispositivos e reduzir o tamanho dos dispositivos.
A largura da folga de banda do InP é 1.34ev. A célula solar INP com elevada eficiência de conversão e elevada resistência à radiação é utilizada em células solares espaciais por satélite, que desempenham um papel importante na promoção do desenvolvimento e utilização de futuras tecnologias da aviação.
Os dispositivos eletrónicos incluem dispositivos de micro-ondas de alta velocidade de alta frequência (fet com isolamento metálico, transístor de alta mobilidade de eletrões HEMT e tubo heterocristalino HBT)
Os dispositivos baseados em INP também são amplamente utilizados na comunicação de ondas milimétricas, no sistema anti-colisão, no sensor de imagem e noutros novos campos.
Actualmente, a aplicação de dispositivos de microondas e circuitos InP continua a estar principalmente concentrada. Com o progresso de várias tecnologias, os dispositivos microelectrónicos InP irão definitivamente passar para o uso civil em mão, pelo que a InP terá uma perspectiva de desenvolvimento inestimável.
1. A relação pico-vale atual dos dispositivos InP é maior do que os dispositivos GaAs, portanto os dispositivos InP têm maior eficiência de conversão do que os dispositivos GaAs.
2. A constante de tempo de energia de inércia é pequena e apenas metade dos GaAs, pelo que o seu limite de frequência de funcionamento é duas vezes superior ao dos dispositivos GaAs.
3 a condutividade térmica é superior à GaAs, o que é mais propício ao fabrico de dispositivos cw. 4. Os dispositivos InP baseados em materiais InP têm melhores características de ruído
Especificação das placas INP
Digite | Semi-isolado | Tipo N. | Tipo P. | Tipo NP |
Dopante | FE | S, SN | Zn | Não dopado |
Concentração do transportador | - | (0.8-8) * 1018 | (0.8-8) * 1018 | (1-10) * 1015 |
Resistividade (ohm-cm) | > 0.5 * 107 | - | - | - |
Mobilidade (cm2/V.S.) | > 1000 | 1000-2500 | 50-100 | 3000-5000 |
Densidade de passo da obtenção (/cm2) | < 5000 | < 5000 | < 500 | < 500 |
TTV [P/P] ( ΜM) | < 10 |
TTV [P/E] ( ΜM) | < 15 |
Urdidura (µm) | < 15 |
Superfície terminada | P/P, P/E, E/E. |
Perfil da empresa
Seopoto Co., Ltd. Está localizado no Distrito de Pidu, Chengdu. O nosso objectivo é fornecer aos clientes um design profissional de lentes ópticas de cristal laser, serviço de revestimento e todos os tipos de processamento de elementos ópticos incluem cristais à base de YAG, cristais à base de YLF, cristais à base de YVO4, material laser à base de vidro, cristais de colagem, silicone, materiais de infravermelhos de germanium e semicondutores, LBO, BBO, KTP, material não linear igual ZGP, TI: Sapphire, CaF2, MgF2. Componentes personalizados de safira óptica, lentes asféricas, lentes powell e produtos de materiais infravermelhos, etc.
Também estamos interessados em discutir e fabricar novas combinações de materiais e geometrias estruturais. Nosso objetivo é fornecer materiais compostos de alta qualidade que possam fornecer soluções para as necessidades do seu sistema, portanto, incentivamos todos os envios de design. Contacte-nos para obter mais informações e suporte técnico.
Não podemos apenas fornecer tipos de componentes ópticos, mas também pode fazer vários tipos de revestimento óptico, como revestimento anti-reflexo (ar), revestimento de alto reflexo, revestimento de reflexão parcial e revestimento do divisor de polarização, etc., no comprimento de onda único ou de banda larga. Que pode melhorar a transmissão, reflexão elevada. Além disso, tais como Au, si, Al, Ti metal revestimentos também está disponível.
A aplicação dos nossos artigos é muito extensa e envolve em projectos de correio, aeroespacial, indústria, instrumentos científicos e médicos, dispositivo fotoeléctrico, comunicação óptica e equipamento mecânico, etc. Entretanto, também cooperamos com empresas internas, oferecemos design óptico e serviço OEM!
Fornecemos constantemente aos nossos clientes ′ Produtos de qualidade, excelente serviço, preços competitivos e entrega imediata ′, acolhemos sinceramente clientes domésticos e estrangeiros para estabelecer cooperação connosco, criando um futuro brilhante no campo óptico!
Fotos detalhadas
F&Q
O que podemos fazer por si?
Seeopto Co., Ltd fornece o projeto profissional das lentes ópticas do cristal do laser, do serviço de revestimento e de todos os tipos de processar ótico dos elementos nós somos também interessados em discutir e em fabricar combinações novas do material e geometrias estruturais.
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Endereço:
1216#, Building 2, No. 99, Honggao Road, Hongguang Street, Pidu District, Chengdu, Sichuan, China
Tipo de Negócio:
Fabricante / Fábrica, Empresa Comercial
Escala de Negócios:
Equipamentos Industriais & Componentes, Instrumentos & Medidores, Maquinaria de Manufatura & Processamento
introdução da companhia:
Seeopto Co. está localizado no Bairro Pidu, Chengdu. Temos como objectivo proporcionar aos clientes com design profissional de cristal laser lentes ópticas, serviço de revestimento e todos os tipos de elementos de óptica transformação incluem YAG cristais baseada, YLF baseia-cristais, YVO4 cristais de base, vidro com base material laser, cristais de colagem, silício, germânio infravermelhos e materiais semicondutores, LBO, BBO, KTP, ZGP igual material não linear, Ti: Sapphire, CaF2, MgF2. Safira óptica componentes personalizados, janela e lente asférica, lente powell e materiais de infravermelhos, etc
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Aplicação de nossos itens são muito extensas e envolve no militar, aeroespacial, indústria, científica, instrumentos médicos, fotoeléctricos, dispositivo de comunicação óptica e equipamentos mecânicos e assim por diante. Entretanto também cooperar com as empresas interno, oferecemos um design óptico e OEM service!
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