Grossista módulo original Infineon IGBT FF400r17ke4 FF500r17ke4
Quantidade Mínima: 1 Peça
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Estrutura: planar
- Embalagem: Original Packaging
- Padrão: Standard specifications
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Fujian, China
Tiristores originais Bt134-600e 127, transístores Bt134 Triac Sens Gate 600V 4A Sot82-3 bom Service
Quantidade Mínima: 10 Peças
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Instalação: Plug-in Triode
- Embalagem: Package
- Padrão: SMT/DIP
- Marca Registrada: Original
- Origem: Original
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Guangdong, China
MOSFET potência de carboneto de silício de classe automóvel Sct040hu65g3AG de 650 V, 40 Mohm 30 a
Quantidade Mínima: 10 Peças
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Estrutura encapsulamento: Chip Transistor
- Instalação: SMD Triode
- Função: Fotossensível,Darlington tubo,Triode poder,Triode de comutação
- Estrutura: NPN
- Material: Silício
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Guangdong, China
Atacado módulo Fz900r12ke4 da Infineon IGBT original. Para outros modelos, consulte o Serviço ao Cliente
Quantidade Mínima: 1 Peça
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Estrutura: planar
- Embalagem: Original Packaging
- Padrão: Standard specifications
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Fujian, China
Transístores Ipdq65r099cfd7xtma1 MOSFET 20 V mais 20 V Coolmos Cfd7
Quantidade Mínima: 10 Peças
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Estrutura encapsulamento: Chip Transistor
- Instalação: SMD Triode
- Função: Fotossensível,Darlington tubo,Triode poder,Triode de comutação
- Estrutura: NPN
- Material: Silício
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Guangdong, China
Juxing Bc846b 80V0.1A SOT-23 Plastic-Encapsulate Transístores (NPN)
Quantidade Mínima: 3.000 Peças
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Instalação: Plug-in Triode
- Freqüência de trabalho: Baixa frequência
- Nível de poder: Poder médio
- Função: Triode poder,Triode de comutação
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Guangdong, China
Grossista módulo IGBT de alta frequência da Infineon FF100r12ks4 FF150r12ks4 FF200r12ks4 FF300r12ks4
Quantidade Mínima: 1 Peça
- Certificação: CE
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Estrutura: planar
- Embalagem: Original Packaging
- Padrão: Standard specifications
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Fujian, China
MOSFET G3 650V SIC-MOSFET a -247-4L 107mohm
Quantidade Mínima: 10 Peças
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Estrutura encapsulamento: Chip Transistor
- Instalação: SMD Triode
- Função: Fotossensível,Darlington tubo,Triode poder,Triode de comutação
- Estrutura: NPN
- Material: Silício
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Guangdong, China
Transístor MOSFETs Cja9452 Sot-89-3L encapsulados em plástico
Quantidade Mínima: 3.000 Peças
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Instalação: Plug-in Triode
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Estrutura: NPN
- Embalagem: Carton Box
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Guangdong, China
Tph3r10aqm, MOSFET LQ 100V U-MOS X-H SOP-Advance (N) 3.1mohm
Quantidade Mínima: 10 Peças
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Estrutura encapsulamento: Chip Transistor
- Instalação: SMD Triode
- Função: Fotossensível,Darlington tubo,Triode poder,Triode de comutação
- Estrutura: NPN
- Material: Silício
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Guangdong, China
Módulo de potência Wp25r12W2t7 Fp35r12W2t7 Fp50r12W2t7 original atacado da Infineon IGBT
Quantidade Mínima: 1 Peça
- Certificação: CE
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Estrutura: planar
- Embalagem: Original Packaging
- Padrão: Standard specifications
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Fujian, China
Electronics Iaucn04s7n005atma1 550 Uohms 414A 40V transístores PG-Tdson-8
Quantidade Mínima: 10 Peças
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Estrutura encapsulamento: Chip Transistor
- Instalação: SMD Triode
- Função: Fotossensível,Darlington tubo,Triode poder,Triode de comutação
- Estrutura: NPN
- Material: Silício
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Guangdong, China
Grossista módulo de potência original Infineon IGBT FF200r12ke4 FF300r12ke4 FF450r12ke4
Quantidade Mínima: 1 Peça
- Certificação: CE
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Estrutura: planar
- Embalagem: Original Packaging
- Padrão: Standard specifications
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Fujian, China
Transístores Imyh200r075m1hxksa1 a -247-4 98 mhms 34A 2kv 267W SMD/SMT
Quantidade Mínima: 10 Peças
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Estrutura encapsulamento: Chip Transistor
- Instalação: SMD Triode
- Função: Fotossensível,Darlington tubo,Triode poder,Triode de comutação
- Estrutura: NPN
- Material: Silício
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Guangdong, China
MÓDULO IGBT FUJI 2mbi75u4a-120-50. Para outros modelos, consulte o Serviço de Atendimento ao Cliente
Quantidade Mínima: 1 Peça
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Estrutura: planar
- Embalagem: Original Packaging
- Padrão: Standard specifications
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Fujian, China
MOSFET G3 650V SIC-MOSFET a -247-4L 27mohm Tw027z65c
Quantidade Mínima: 10 Peças
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Estrutura encapsulamento: Chip Transistor
- Instalação: SMD Triode
- Função: Fotossensível,Darlington tubo,Triode poder,Triode de comutação
- Estrutura: NPN
- Material: Silício
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Guangdong, China
Módulo IGBT Infineon por atacado FF150r12rt4. Para outros modelos, consulte o Serviço de Atendimento ao Cliente
Quantidade Mínima: 1 Peça
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Estrutura: planar
- Embalagem: Original Packaging
- Padrão: Standard specifications
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Fujian, China
Electronics Ssm6j214fe (Te85L, F Lowon Res MOSFET ID - 3.6A Vdss 30V
Quantidade Mínima: 10 Peças
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Estrutura encapsulamento: Chip Transistor
- Instalação: SMD Triode
- Função: Fotossensível,Darlington tubo,Triode poder,Triode de comutação
- Estrutura: NPN
- Material: Silício
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Guangdong, China
Alimentação do módulo Infineon IGBT original FF200r12kt4/FF300r12kt4/FF450r12kt4 em stock
Quantidade Mínima: 1 Peça
- Certificação: CE
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Estrutura: planar
- Embalagem: Original Packaging
- Padrão: Standard specifications
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Fujian, China
MOSFET G3 650V SIC-MOSFET a -247-4L 48mohm Tw048z65c S1f
Quantidade Mínima: 10 Peças
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Estrutura encapsulamento: Chip Transistor
- Instalação: SMD Triode
- Função: Fotossensível,Darlington tubo,Triode poder,Triode de comutação
- Estrutura: NPN
- Material: Silício
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Guangdong, China
Juxing Bc847c 50V0.1A SOT-23 Plastic-Encapsulate Transístores (NPN)
Quantidade Mínima: 3.000 Peças
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Instalação: Plug-in Triode
- Freqüência de trabalho: Baixa frequência
- Nível de poder: Poder médio
- Função: Triode poder,Triode de comutação
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Guangdong, China
Transístores Sija54ADP-T1-Ge3 de canal N de 40 V (D-S) MOSFET
Quantidade Mínima: 10 Peças
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Estrutura encapsulamento: Chip Transistor
- Instalação: SMD Triode
- Função: Fotossensível,Darlington tubo,Triode poder,Triode de comutação
- Estrutura: NPN
- Material: Silício
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Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Guangdong, China
Atacado dos módulos IGBT de alta potência originais Infineon Fz1000r33he3 Fz1200r33he3 Fz1500r33he3
Quantidade Mínima: 1 Peça
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Estrutura: planar
- Embalagem: Original Packaging
- Padrão: Standard specifications
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Fujian, China
Transístores Buk4d38-20pH MOSFET Buk4d38-20p/Sot1220 Electronics
Quantidade Mínima: 10 Peças
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Estrutura encapsulamento: Chip Transistor
- Instalação: SMD Triode
- Função: Fotossensível,Darlington tubo,Triode poder,Triode de comutação
- Estrutura: NPN
- Material: Silício
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Guangdong, China
Atacado módulo original Infineon IGBT BS400ga120DN2
Quantidade Mínima: 1 Peça
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Estrutura: planar
- Embalagem: Original Packaging
- Padrão: Standard specifications
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Fujian, China
Sirs700dp-T1-Ge3 Triode 3.2mohms 120A 100V
Quantidade Mínima: 10 Peças
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Estrutura encapsulamento: Chip Transistor
- Instalação: SMD Triode
- Função: Fotossensível,Darlington tubo,Triode poder,Triode de comutação
- Estrutura: NPN
- Material: Silício
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Guangdong, China
Atacado módulo original Infineon IGBT Fz600r17ke4 outros modelos consulte Serviço ao cliente
Quantidade Mínima: 1 Peça
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Estrutura: planar
- Embalagem: Original Packaging
- Padrão: Standard specifications
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Fujian, China
Transístor MOSFETs encapsulado Cjk3407 Sot-23-3L encapsulado em plástico
Quantidade Mínima: 3.000 Peças
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Instalação: Plug-in Triode
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Estrutura: NPN
- Embalagem: Carton Box
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Guangdong, China
Componente electrónico S6913dq-T1-Be3 MOSFET Dual P-Channel 12 V (D-S)
Quantidade Mínima: 10 Peças
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Estrutura encapsulamento: Chip Transistor
- Instalação: SMD Triode
- Função: Fotossensível,Darlington tubo,Triode poder,Triode de comutação
- Estrutura: NPN
- Material: Silício
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Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Guangdong, China
Módulo F200r17ke4 da Infineon IGBT para venda por grosso. Para outros modelos, consulte o Serviço de apoio ao Cliente
Quantidade Mínima: 1 Peça
- Certificação: RoHS,CE,ISO,CCC
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Estrutura: planar
- Embalagem: Original Packaging
- Padrão: Standard specifications
-
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
- Província: Fujian, China