Transistor de potência de RF Blf246
- Embalagem: Sot-121b
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Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
- Província: Guangdong, China
Tubo Triode Fu3092ca, equivalente ao peso corporal1185J2, Yd1212
- Embalagem: Air Worthy Cartons Packing
- Marca Registrada: EECTECH
- Origem: China
- Código HS: 8540890000
- Capacidade de Produção: 50 PCS Per Months
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Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- Província: Beijing, China
Transistor de potência de RF Ptfa092213EL V4 Ptfa092213EL
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Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
- Província: Guangdong, China
3-500c Tubo de elétrons de vácuo, Tubo de vidro de 3-500/Z. Emparelhamento do tubo, o tubo Pairable disponível.
- Certificação: CE,CCC
- Estrutura encapsulamento: Transistor selada de vidro
- Instalação: Plug-in Triode
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Pequeno Poder
- Função: Triode poder
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Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- Província: Beijing, China
Transistor de potência M57729L M57729
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Shenzhen Mingjiada Electronic Co., Ltd.
- Província: Guangdong, China
Electrónica de vácuo Tubo Triode Fu1184ca, equivalente ao peso corporal1184J2, Yd1202
- Embalagem: Air Worthy Carton Packing
- Origem: China
- Código HS: 8540890000
- Capacidade de Produção: 100PCS Per Month
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Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- Província: Beijing, China
ISC Silicon NPN transistores de potência (TIP31C)
- Marca Registrada: ISCSEMI/ISC
- Código HS: 85412900
- Capacidade de Produção: 10000
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Inchange Semiconductor Company Limited
- Província: Jiangsu, China
Transistor de potência de RF (2SC1946UM 2SC1946)
- Código HS: 8541100000
- Capacidade de Produção: 50, 000 PCS/Year.
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Bocen (Hk) Technology Co.,Ltd.
- Província: Guangdong, China
Ud2195g - AB3-R prazo de validade de 12 meses bom PCB PCBA SMT Impressão 3D CNC Mechatronic
- Certificação: RoHS
- Nível de poder: Pequeno Poder
- Função: Triode poder
- Estrutura: PNP
- Material: Silício
- Embalagem: Air Transport
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Q-Yang Co., Limited
- Província: Guangdong, China
Silicon N Canais Mosfet de Potência (SFP50N06)
- Embalagem: to-220
- Capacidade de Produção: 500, 000, 000
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Winsemi Microelectronics Company Limited
- Província: Guangdong, China
TMOS série MOSFET
- Marca Registrada: TMOS
- Capacidade de Produção: TW
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Jannock Electronics Technology (GZ) Co., Ltd.
- Província: Guangdong, China
Transistor de potência (TIP41C DICA42C 2SB834 2SD880)
- Embalagem: Tube
- Origem: China
- Capacidade de Produção: 5000000PCS/Year
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East Semiconductor Co.,Ltd
- Província: Jiangsu, China
Placa de base em forma de diamante com caixa para módulo IGBT
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Instalação: Triodo SMD
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Estrutura: Liga
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Gootage(Kunshan) Thermal Technology Co., Ltd
- Província: Jiangsu, China
FU3060C a potência de RF Triode, equivalente ao RS3060CJ
- Função: Triode poder
- Código HS: 8540890000
- Capacidade de Produção: 500 PCS Per Year
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Eec Technology (Beijing) Corp., Ltd.
- Província: Beijing, China
Transístor MOSFET de potência Blf188xr Ldmos para transmissão e aplicação industrial Na banda HF a 600MHz
- Estrutura encapsulamento: Transistor Embalado cerâmica
- Freqüência de trabalho: Baixa frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Embalagem: Box Package
- Capacidade de Produção: 1000
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Quanzhou Yingtron Microwave Electronics Co., Ltd.
- Província: Fujian, China
(Mosfet um3977SED-T)
- Código HS: 8542390000
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Shenzhen Boype Electronics Co., Ltd.
- Província: Guangdong, China
Os transistores de potência/módulos de transistor
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Shenzhen Juteng Electronics Co., Ltd.
- Província: Guangdong, China
Bjts - Transístores bipolares Ksc5502dtm
- Certificação: RoHS
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Instalação: Triodo SMD
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Triode poder
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Sunshine Electronics (Hk) Co., Limited
- Província: Guangdong, China