Barato preço IC
- Estrutura encapsulamento: Transistor de chip
- Embalagem: Original
- Padrão: ce
- Marca Registrada: FMD
- Origem: China
- Capacidade de Produção: 500k/Month
-
Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
- Província: Guangdong, China
Alta freqüência de tubo
- Estrutura encapsulamento: Transistor Embalado cerâmica
- Instalação: Plug-in Triode
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Triode poder
- Estrutura: Difusão
-
Shijiazhuang Ifan Imp&Exp Trade Co., Ltd
- Província: Hebei, China
Dica147 pacote para-220 Darlington transistor de potência
- Certificação: RoHS
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Instalação: Plug-in Triode
- Freqüência de trabalho: Baixa frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Darlington tubo
-
Dandong Hua'ao Electronic Co., Ltd.
- Província: Liaoning, China
N Mosfet-CH 50V 210mA Sc70 Bss138W transístor tubo MOS
- Certificação: ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor Embalado cerâmica
- Instalação: Triodo SMD
- Freqüência de trabalho: overclocking
- Nível de poder: Poder médio
- Estrutura: planar
-
Guangzhou ertai Trading Co., LTD
- Província: Guangdong, China
Tubo de elétrons do tubo da grade de energia 7092
- Certificação: CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selada de vidro
- Instalação: Plug-in Triode
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Poder médio
- Função: Triode poder
-
Jinzhou Huaguang Electron Tube Co., Ltd.
- Província: Liaoning, China
Gx7n65 N de alta tensão de alta qualidade transístor MOSFET de canal para órgão220 Peças Originais
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Triode de comutação
- Estrutura: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Província: Jiangsu, China
IC
- Estrutura encapsulamento: Transistor de chip
- Embalagem: Original
- Padrão: ce
- Marca Registrada: FMD
- Origem: China
- Capacidade de Produção: 500k/Month
-
Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
- Província: Guangdong, China
Dmg2305ux-7 Sot-23-3 Circuito Integrado de Componentes Eletrônicos Diodo semicondutor original em estoque
- Certificação: RoHS
- Estrutura encapsulamento: Transistor Embalado cerâmica
- Instalação: Triodo SMD
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Fotossensível
-
Guangzhou ertai Trading Co., LTD
- Província: Guangdong, China
Gx5n50 Qualidade Alta Tensão Alta N Channel transístor MOSFET componente original para-251 partes 500V 4.5A
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Triode de comutação
- Estrutura: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Província: Jiangsu, China
Entrada de relógio de série 32k (8 bits)
- Estrutura encapsulamento: Transistor de chip
- Embalagem: Original
- Padrão: ce
- Marca Registrada: FMD
- Origem: China
- Capacidade de Produção: 500k/Month
-
Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
- Província: Guangdong, China
Gx18n50 Qualidade Alta Tensão Alta N Channel transístor MOSFET componente original para220 Partes 500V18A
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Triode poder,Triode de comutação
- Estrutura: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Província: Jiangsu, China
Feito em Chna IC
- Estrutura encapsulamento: Transistor de chip
- Embalagem: Original
- Padrão: ce
- Marca Registrada: FMD
- Origem: China
- Capacidade de Produção: 500k/Month
-
Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
- Província: Guangdong, China
Wgp50R290 de Média Tensão de alta qualidade N Componente original de transístor MOSFET de canal para220 Partes 500V 13A
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Triode de comutação
- Estrutura: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Província: Jiangsu, China
Boa qualidade de IC
- Estrutura encapsulamento: Transistor de chip
- Embalagem: Original
- Padrão: ce
- Marca Registrada: FMD
- Origem: China
- Capacidade de Produção: 500k/Month
-
Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
- Província: Guangdong, China
Gx8n80 N de alta tensão de alta qualidade transístor MOSFET de canal componente original220 Partes 800V 8A
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Triode de comutação
- Estrutura: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Província: Jiangsu, China
Entrada de relógio de série 64k (8 bits)
- Estrutura encapsulamento: Transistor de chip
- Embalagem: Original
- Padrão: ce
- Marca Registrada: FMD
- Origem: China
- Capacidade de Produção: 500k/Month
-
Shenzhen Pengjin Technology Co., Ltd.
- Província: Guangdong, China
Gx15n65 N de alta tensão de alta qualidade transístor MOSFET de canal componente original220 Partes 650V 15A
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Triode de comutação
- Estrutura: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Província: Jiangsu, China
Gx6n60 N de alta tensão de alta qualidade transístor MOSFET de canal componente original220 600V 6.2A de peças
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Triode de comutação
- Estrutura: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Província: Jiangsu, China
Gx7n80 N de alta tensão de alta qualidade transístor MOSFET de canal para órgão220 Peças Originais
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Triode de comutação
- Estrutura: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Província: Jiangsu, China
Gx20n50 Qualidade Alta Tensão Alta N Channel transístor MOSFET componente original para-3p partes 500V 0A
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Triode poder,Triode de comutação
- Estrutura: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Província: Jiangsu, China
Gx18n65 N de alta tensão de alta qualidade transístor MOSFET de canal original a220f partes 650V 18A
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Triode de comutação
- Estrutura: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Província: Jiangsu, China
Gx2n90 N de alta tensão de alta qualidade transístor MOSFET de canal original para Peças251 900V 1.7A
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Triode de comutação
- Estrutura: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Província: Jiangsu, China
3407psa de baixa tensão de alta qualidade p transístor MOSFET de canal original Sot23 -30V -4.1Peças UM
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Triode de comutação
- Estrutura: PNP
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Província: Jiangsu, China
Gx8n65 Qualidade Alta Tensão Alta N Channel transístor MOSFET componente original para220 Partes 650V 7,5A
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Triode de comutação
- Estrutura: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Província: Jiangsu, China
Wgp6n40 de Média Tensão de alta qualidade N Componente original de transístor MOSFET de canal para220 400V 5.5A de peças
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Triode de comutação
- Estrutura: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Província: Jiangsu, China
Gx2n65 Qualidade Alta Tensão Alta N Channel transístor MOSFET componente original para Peças251 650V 2A
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Triode de comutação
- Estrutura: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Província: Jiangsu, China
Gx20n65 N de alta tensão de alta qualidade transístor MOSFET de canal original a220f partes 650V 20A
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Triode de comutação
- Estrutura: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Província: Jiangsu, China
Gx10n60 Qualidade Alta Tensão Alta N Channel transístor MOSFET componente original para220 Partes 600V 9.5A
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Triode de comutação
- Estrutura: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Província: Jiangsu, China
84psa de baixa tensão de alta qualidade p transístor MOSFET de canal original Sot23 Partes -50V -0,13 UM
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Triode de comutação
- Estrutura: PNP
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Província: Jiangsu, China
Wgp60R650 de Média Tensão de alta qualidade N Componente original de transístor MOSFET de canal para220 Partes 600V 7A
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Função: Triode de comutação
- Estrutura: NPN
-
Yangzhou Genesis Microelectronics Co., Ltd.
- Província: Jiangsu, China
