Placa de base em forma de diamante com caixa para módulo IGBT
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Instalação: Triodo SMD
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Estrutura: Liga
-
Gootage(Kunshan) Thermal Technology Co., Ltd
- Província: Jiangsu, China
Transístor MOSFET de potência Blf188xr Ldmos para transmissão e aplicação industrial Na banda HF a 600MHz
- Estrutura encapsulamento: Transistor Embalado cerâmica
- Freqüência de trabalho: Baixa frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Embalagem: Box Package
- Capacidade de Produção: 1000
-
Quanzhou Yingtron Microwave Electronics Co., Ltd.
- Província: Fujian, China
(Mosfet um3977SED-T)
- Código HS: 8542390000
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Shenzhen Boype Electronics Co., Ltd.
- Província: Guangdong, China
ISC Silicon NPN transistores de potência (TIP31C)
- Marca Registrada: ISCSEMI/ISC
- Código HS: 85412900
- Capacidade de Produção: 10000
-
Inchange Semiconductor Company Limited
- Província: Jiangsu, China
Os transistores de potência NPN (W13001, W13002 Série)
- Capacidade de Produção: 1 billion pcs/year
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Shenzhen GHD Electronics Co., Ltd.
- Província: Guangdong, China
Silicon N Canais Mosfet de Potência (SFP50N06)
- Embalagem: to-220
- Capacidade de Produção: 500, 000, 000
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Winsemi Microelectronics Company Limited
- Província: Guangdong, China
Atxmega128A1u - Fornecedor de sistemas electrónicos de circuito integrado Au FPGA IC novo e original Xmega128A1u Atxmega128A1u
- Certificação: RoHS
- Nível de poder: Pequeno Poder
- Função: Triode poder
- Embalagem: Air Transport
- Marca Registrada: MICROCHIP
- Origem: Thailand
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Q-Yang Co., Limited
- Província: Guangdong, China
MOSFET Single P-Channel 60V, 14A, 52mohm Nvtfs5116pltag
- Certificação: RoHS
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Instalação: Triodo SMD
- Freqüência de trabalho: Baixa frequência
- Nível de poder: Pequeno Poder
- Material: Silício
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Sunshine Electronics (Hk) Co., Limited
- Província: Guangdong, China
Placa de base de agulha romboid com caixa para módulo IGBT
- Certificação: RoHS,CE,ISO
- Estrutura encapsulamento: Transistor selado de plástico
- Instalação: Triodo SMD
- Freqüência de trabalho: Alta frequência
- Nível de poder: Alto poder
- Estrutura: Liga
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Gootage(Kunshan) Thermal Technology Co., Ltd
- Província: Jiangsu, China
Silício-N-MOSFET de Canal (PAM12N60)
- Embalagem: to-220
- Capacidade de Produção: 20, 000, 000
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Winsemi Microelectronics Company Limited
- Província: Guangdong, China
Ud2195g - AB3-R prazo de validade de 12 meses bom PCB PCBA SMT Impressão 3D CNC Mechatronic
- Certificação: RoHS
- Nível de poder: Pequeno Poder
- Função: Triode poder
- Estrutura: PNP
- Material: Silício
- Embalagem: Air Transport
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Q-Yang Co., Limited
- Província: Guangdong, China
Cat4104vp2 - GT3 Electronic Components original IC Chip bom List Service Tdfn-8 Em Stock Cat4104vp2 - GT3
- Certificação: RoHS
- Nível de poder: Pequeno Poder
- Embalagem: Air Transport
- Origem: Made-in-Taiwan
- Capacidade de Produção: 6000
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Q-Yang Co., Limited
- Província: Guangdong, China