descrição: | perda de comutação extremamente baixa |
---|---|
características: | excelente estabilidade e uniformidade |
aplicações: | alimentação do pc |
indústrias: | iluminação led |
Pacote de Transporte: | Air |
Marca Registrada: | Orientalsemiconductor |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
O parâmetro | Valor | Unidade |
O VDS, min @ tj(max) | 700 | V |
ID, pulso | 36 | Um |
RDS(ligado), Max @ VGS=10V | 340 | MΩ |
Qg | 9.6 | NC |
Nome do produto | Package | Marcação |
O OSS65R340JF | PDFN8×8 | O OSS65R340J |
O parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
Tensão da fonte de drenagem | O VDS | 650 | V |
Tensão da fonte de bico valvulado | VGS | ±30 | V |
Corrente de drenagem contínua1), Tc=25 °C | ID |
12 | Um |
Corrente de drenagem contínua1), TC=100 °C | 7.6 | ||
Corrente de dreno pulsada2), Tc=25 °C | ID, pulso | 36 | Um |
Diodo contínua corrente de avanço1), Tc=25 °C | É | 12 | Um |
Corrente impulsada diodo2), Tc=25 °C | É, pulso | 36 | Um |
Dissipação de energia3), Tc=25 °C | PD | 83 | W |
Energia avalanche pulsada única5) | O EAS | 200 | MJ |
Dv/dt MOSFET robustez, VDS=0…480 V | Dv/dt | 50 | V/ns |
Díodo de ré dv/dt, VDS=0…480 V, DSI≤ID | Dv/dt | 15 | V/ns |
Temperatura de operação e armazenamento | Tstg, TJ | -55 a 150 | °C |
O parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
Resistência térmica, caso de junção | RθJC | 1.5 | °C/W |
Resistência térmica, cruzamento-ambient4) | RθJA | 62 | °C/W |
O parâmetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidade | Condição de teste |
Tensão de ruptura de fonte de drenagem |
BVDSS |
650 | V |
VGS = 0 V, ID=250 μA | ||
700 | VGS = 0 V, ID=250 μA, tj = 150 °C | |||||
Tensão de limiar da porta | VGS (TH) | 2.9 | 3.9 | V | O VDS=VGS, ID=250 μA | |
Fonte de drenagem na resistência do Estado- |
RDS(ligado) |
0.30 | 0.34 | Ω |
VGS=10 V, ID=6 A | |
0,73 | VGS=10 V, ID=6 A, tj = 150 °C | |||||
Gate fonte de corrente de fuga | IGSS |
100 | América do Norte |
VGS=30 V | ||
-100 | VGS = -30 V | |||||
Fonte de dreno de corrente de fuga | IDSS | 1 | ΜA | O VDS=650 V, VGS = 0 V |
O parâmetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidade | Condição de teste |
Capacitância de Entrada | Os Ciss | 443.5 | PF | VGS = 0 V, VDS=50 V, ƒ=100 KHz |
||
A capacitância de saída | Coss | 59,6 | PF | |||
A capacitância de transferência de ré | Sir | 1.7 | PF | |||
Gire o tempo de atraso | Td(a) | 22.4 | Ns | VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=6 A |
||
Tempo de elevação | Tr | 17.5 | Ns | |||
Tempo de retardo de desligamento | Td(Desligado) | 40,3 | Ns | |||
Tempo de queda | Tf | 7.2 | Ns |
O parâmetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidade | Condição de teste |
Total de carga da porta | Qg | 9.6 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=6 A |
||
Porta de carga da fonte | O programa QGS | 2.2 | NC | |||
Porta de carga de drenagem | Qgd | 4.5 | NC | |||
Tensão do planalto de bico valvulado | Vplateau | 6.5 | V |
O parâmetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidade | Condição de teste |
Tensão de avanço do diodo | VSD | 1.3 | V | É=12 A, VGS = 0 V | ||
Tempo de recuperação de ré | Trr | 236.5 | Ns | VR=400 V, é = 6 A, Di/dt = 100 A/μs |
||
Taxa de recuperação de ré | Qrr | 2.2 | ΜC | |||
Pico de corrente de recuperação de ré | Irrm | 19.1 | Um |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas