Aec-Q101 qualificada para Aplicações Automotivas Sistemas Retificação síncrona FE04R013ugf Pdfn5 x 6 de baixa tensão 40V Mosfet de condução

• Type: Car Power Inverter
• Certification: CE, RoHS
• descrição: perda de comutação extremamente baixa
• características: excelente estabilidade e uniformidade
• aplicações: alimentação do pc
• indústrias: iluminação led
• N ° de Modelo.: SFS04R013UGF PDFN5 x 6
• Pacote de Transporte: Air
• Marca Registrada: Orientalsemiconductor
• Origem: China
• Código HS: 854129000
• Capacidade de Produção: 20kkkk/Monthly

Descrição de Produto

Descrição geral
FSMOS® é baseado na MOSFET o dispositivo exclusivo de Semicondutores Orientais design para alcançar baixas RDS(ligado), porta de baixa carga, a comutação rápida e excelentes características de avalanches. A pequena quinta série é especialmente optimizados para sistemas de rectificação síncrona com baixa tensão de condução.


Dispõe de

• Baixa RDS(ligado) & FOM (FDM)
• Extremamente Baixa perda de comutação                                                                  
• Excelente confiabilidade e uniformidade
• A comutação rápida e recuperação soft
• AEC-Q101 qualificada para Aplicações Automotivas

Os pedidos

• Fonte de alimentação de eletrônicos de consumo
• Controle do Motor
• Rectificação síncrona
• Conversor DC/DC isolado
• Inversores

Os parâmetros de desempenho chave

 

O parâmetro	Valor	Unidade
O VDS	40	V
ID, pulso	600	Um
RDS(ligado) max @ VGS=10V	1.1	MΩ
Qg	118.4	NC

Marcação de informações

 

Nome do produto	Package	Marcação
Fe04R013UGF	PDFN5 x 6	Fe04R013UG

 

 

As classificações de máximo absoluto em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário
 

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Tensão da fonte de drenagem	O VDS	40	V
Tensão de origem da porta	VGS	±20	V
Corrente de drenagem contínua^1), Tc=25 °C	ID	200	Um
Corrente de dreno pulsada^2), Tc=25 °C	ID, pulso	600	Um
Diodo contínua corrente de avanço^1), Tc=25 °C	É	200	Um
Corrente impulsada diodo^2), Tc=25 °C	É, Pulso	600	Um
Dissipação de energia^3), Tc=25 °C	PD	178	W
Energia avalanche pulsada única5)	O EAS	144	MJ
Temperatura de operação e armazenamento	Tstg,TJ	-55 a 175	°C

As características térmicas
 

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Resistência térmica, caso de junção	RθJC	0,84	°C/W
Resistência térmica, cruzamento-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Tensão de ruptura de fonte de drenagem	BVDSS	40			V	VGS = 0 V, ID=250 μA
Tensão de limiar da porta	VGS (TH)	1.2		2.5	V	O VDS=VGS, ID=250 μA
Fonte de drenagem na resistência do Estado-	RDS(ligado)		0.9	1.1	MΩ	VGS=10 V, ID=20 A
Fonte de drenagem na resistência do Estado-	RDS(ligado)		1.5	2.0	MΩ	VGS = 6 V, ID=20 A
Gate fonte de corrente de fuga	IGSS			100	América do Norte	VGS=20 V
				-100		VGS = -20 V
Fonte de dreno de corrente de fuga	IDSS			1	UA	O VDS=40 V, VGS = 0 V
Resistência do Bico Valvulado	RG		3.2		Ω	Ƒ = 1 MHz, abra o dreno

Características dinâmicas

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Capacitância de Entrada	Os Ciss		5453		PF	VGS = 0 V, VDS = 25 V, Ƒ=100 kHz
A capacitância de saída	Coss		1951		PF
A capacitância de transferência de ré	Sir		113		PF
Gire o tempo de atraso	Td(a)		23.9		Ns	VGS=10 V, VDS=40 V, RG=2 Ω, ID=40
Tempo de elevação	Tr		16.9		Ns
Tempo de retardo de desligamento	Td(Desligado)		80,4		Ns
Tempo de queda	Tf		97,7		Ns

Características de carga da porta

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Total de carga da porta	Qg		85.6		NC	VGS=10 V VDS=40 V, ID=40 A,
Porta de carga da fonte	O programa QGS		17.6		NC
Porta de carga de drenagem	Qgd		14.5		NC
Tensão do planalto de bico valvulado	Vplateau		3.6		V

Características do Diodo do corpo

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Tensão de avanço do diodo	VSD			1.3	V	É=20 A, VGS = 0 V
Tempo de recuperação de ré	Trr		71.1		Ns	VR=40 V, é=40 A, Di/dt = 100 A/μs
Taxa de recuperação de ré	Qrr		50.1		NC
Pico de corrente de recuperação de ré	Irrm		1.2		Um

Nota

1. Calculado de corrente contínua com base na temperatura da junção máxima admissível.
2. Classificação repetitivas; a largura de pulso limitada por um máximo de temperatura da junção.
3. Pd é baseado em um máximo de temperatura da junção, usando a resistência térmica da caixa de junção.
4. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado no 1 em² FR-4 board com 2oz. Cobre, em um ambiente com ar ainda Ta = 25 °C.

VDD=30 V,VG=10 V, L=0,3 mH, começando a tj = 25 °C.