Conversor Flyback Aux um interruptor topologias Opologies Osg90r1K2af para251 Mosfet de Alta Tensão

• descrição: perda de comutação extremamente baixa
• características: excelente estabilidade e uniformidade
• aplicações: alimentação do pc
• indústrias: iluminação led
• digite: estação de carregamento rápido de ev
• certificação: iso, tuv, rohs
• N ° de Modelo.: OSG90R1K2AF TO251
• garantia: 24 meses
• Pacote de Transporte: Air
• Marca Registrada: Orientalsemiconductor
• Origem: China
• Código HS: 854129000
• Capacidade de Produção: 20kkkk/Monthly

Descrição de Produto

Descrição geral
Gsg90R1K2xF utilizam tecnologia GreenMOSTM avançado para fornecer baixa RDS(ligado), porta de baixa carga, a comutação rápida e excelentes características de avalanches. Este equipamento é adequado para correção do fator de potência ativo e aplicativos de fonte de alimentação de modo de comutação.


                                        Aplicações de recursos

1. Baixa RDS(ligado) e                                              Iluminação da FOM
2.                               Disco rígido de perdas de comutação extremamente baixa PWM de comutação
3. A uniformidade e estabilidade excelente fonte de               alimentação do servidor
4. Fácil de                              carregador de acionamento

Os parâmetros de desempenho chave
 

1. 1. As classificações de máximo absoluto em Tj=25ºC salvo indicação em contrário

 

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Tensão da fonte de drenagem	O VDS	900	V
Tensão de origem da porta	VGS	±30	V
Corrente de drenagem contínua^1), Tc=25 ºC	ID	5	Um
Corrente de drenagem contínua^1), TC=100 ºC		3.2
Corrente de dreno pulsada^2), Tc=25 ºC	ID, pulso	15	Um
Dissipação de energia3) para A251, A262, Tc=25 ºC	PD	83	W
Dissipação de energia^3) para a220F, Tc=25 ºC		31
Energia avalanche pulsada única5)	O EAS	211	MJ
Dv/dt MOSFET robustez, VDS=0…480 V	Dv/dt	50	V/ns
Díodo de ré dv/dt, VDS=0…480 V, DSI≤ID	Dv/dt	15	V/ns
Temperatura de operação e armazenamento	Tstg,TJ	-55 a 150	ºC

 

 

1. &Bsp Características térmicas;

 

O parâmetro	Símbolo	Valor		Unidade
		A251/A262	A220F
Resistência térmica, caso de junção	RθJC	1.5	4.0	ºC/W
Resistência térmica, cruzamento-ambient4)	RθJA	62	62,5	ºC/W

1. Características eléctricas em tj = 25 ºC salvo indicação em contrário

 

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Tensão de ruptura de fonte de drenagem	BVDSS	900			V	VGS = 0 V, ID=250 μA
		960	1070			VGS = 0 V, ID=250 μA, Tj=150 ºC
Tensão de limiar da porta	VGS (TH)	2.0		4.0	V	O VDS=VGS, ID=250 μA
Fonte de drenagem no estado de resistência	RDS(ligado)		1.0	1.2	Ω	VGS=10 V, ID=2 A
			2.88			VGS=10 V, ID=2 A, Tj=150 ºC
Gate fonte de corrente de fuga	IGSS			100	América do Norte	VGS=30 V
				-100		VGS = -30 V
Fonte de dreno de corrente de fuga	IDSS			10	ΜA	O VDS=900 V, VGS = 0 V

1. Características dinâmicas

 

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Capacitância de Entrada	Os Ciss		874.2		PF	VGS = 0 V, VDS = 50 V, F=100 kHz
A capacitância de saída	Coss		37,5		PF
A capacitância de transferência de ré	Sir		1.7		PF
Gire o tempo de atraso	Td(a)		33.23		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=33 Ω, ID=5 A
Tempo de elevação	Tr		26,50		Ns
Tempo de retardo de desligamento	Td(Desligado)		44.00		Ns
Tempo de queda	Tf		17.63		Ns

 

 

1. Características de carga da porta

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Total de carga da porta	Qg		12.50		NC	ID=5 A, VDS=400 V, VGS=10 V
Porta de carga da fonte	O programa QGS		3.75		NC
Porta de carga de drenagem	Qgd		4.28		NC
Tensão do planalto de bico valvulado	Vplateau		5.8		V

1. Características do Diodo do corpo

 

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
O diodo corrente de avanço	É			5	Um	VGS<V
Corrente de fonte pulsada	ISP			15
Tensão de avanço do diodo	VSD			1.3	V	É=5 A, VGS = 0 V
Tempo de recuperação de ré	Trr		265.87		Ns	VR=400 V, é=5 A, Di/dt = 100 A/μs
Taxa de recuperação de ré	Qrr		2.88		ΜC
Pico de corrente de recuperação de ré	Irrm		19.51		Um

1. Nota

 

1. Calculado de corrente contínua com base na temperatura da junção máxima admissível.
2. Classificação repetitivas; a largura de pulso limitada por um máximo de temperatura da junção.
3. Pd é baseado em um máximo de temperatura da junção, usando a resistência térmica da caixa de junção.
4. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado no 1 em 2 FR-4 board com 2oz. Cobre, em um ambiente com ar ainda Ta = 25 ºC.
5. VDD=100 V, RG=47 Ω, L=10 mH, começando a tj = 25 ºC.

Marcação de informações
 

Nome do produto	Package	Marcação
Gsg65R038HZF	A247	Gsg65R038HZ

As classificações de máximo absoluto em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário
 

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Tensão da fonte de drenagem	O VDS	650	V
Tensão da fonte de bico valvulado	VGS	±30	V
Corrente de drenagem contínua^1), Tc=25 °C	ID	80	Um
Corrente de drenagem contínua^1), TC=100 °C		50
Corrente de dreno pulsada^2), Tc=25 °C	ID, pulso	240	Um
Diodo contínua corrente de avanço^1), Tc=25 °C	É	80	Um
Corrente impulsada diodo^2), Tc=25 °C	É, pulso	240	Um
Dissipação de energia^3)  ,Tc=25  °C	PD	500	W
Energia avalanche pulsada única5)	O EAS	2900	MJ
Dv/dt MOSFET robustez, VDS=0…480 V	Dv/dt	100	V/ns
Díodo de ré dv/dt, VDS=0…480 V, DSI≤ID	Dv/dt	50	V/ns
Temperatura de operação e armazenamento	Tstg, TJ	-55 a 150	°C

As características térmicas
 

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Resistência térmica, caso de junção	RθJC	0.25	°C/W
Resistência térmica, cruzamento-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Tensão de ruptura de fonte de drenagem	BVDSS	650			V	VGS = 0 V, ID=2 mA
		700	770			VGS = 0 V, ID=2 mA, tj = 150 °C
O limiar da porta A tensão	VGS (TH)	3.0		4.5	V	O VDS=VGS, ID=2 mA
Fonte de drenagem No estado de resistência	RDS(ligado)		0,032	0,038	Ω	VGS=10 V, ID=40
			0,083			VGS=10 V, ID=40 A, tj = 150 °C
Gate fonte de corrente de fuga	IGSS			100	América do Norte	VGS=30 V
				-100		VGS = -30 V
Fonte de dreno de corrente de fuga	IDSS			10	ΜA	O VDS=650 V, VGS = 0 V
Resistência do Bico Valvulado	RG		2.1		Ω	Ƒ = 1 MHz, abra o dreno

Características dinâmicas

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Capacitância de Entrada	Os Ciss		9276		PF	VGS = 0 V, VDS = 50 V, Ƒ=100 kHz
A capacitância de saída	Coss		486		PF
A capacitância de transferência de ré	Sir		12.8		PF
Saída efectiva capacitância energia relacionada	Co(ER)		278		PF	VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V
Saída efectiva capacitância hora relativas	Co (tr)		1477		PF
Gire o tempo de atraso	Td(a)		55,9		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40
Tempo de elevação	Tr		121,2		Ns
Tempo de retardo de desligamento	Td(Desligado)		114,2		Ns
Tempo de queda	Tf		8.75		Ns

Características de carga da porta

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Total de carga da porta	Qg		175.0		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40
Porta de carga da fonte	O programa QGS		40.1		NC
Porta de carga de drenagem	Qgd		76,1		NC
Tensão do planalto de bico valvulado	Vplateau		6.4		V

Características do Diodo do corpo

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Tensão de avanço do diodo	VSD			1.3	V	É=80 A, VGS = 0 V
Tempo de recuperação de ré	Trr		180		Ns	É=30 A, Di/dt = 100 A/μs
Taxa de recuperação de ré	Qrr		1.5		A COMUNICAÇÃO UNIFICADA
Pico de corrente de recuperação de ré	Irrm		15.2		Um

Nota

1. Calculado de corrente contínua com base na temperatura da junção máxima admissível.
2. Classificação repetitivas; a largura de pulso limitada por um máximo de temperatura da junção.
3. Pd é baseado em um máximo de temperatura da junção, usando a resistência térmica da caixa de junção.
4. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado no 1 em 2 FR-4 board com 2oz. Cobre, em um ambiente com ar ainda Ta = 25 °C.
5. VDD=300 V, VGS=10 V, L=40 mH, começando a tj = 25 °C.