Aumente o PFC AEC-Q101 Potência PC RoHS Osg65R099hszaf para247 Vds 650V O RDS99mΩ Diodo Mosfet de Recuperação Rápida

• Type: Car Power Inverter
• Certification: RoHS
• descrição: perda de comutação extremamente baixa
• características: excelente estabilidade e uniformidade
• aplicações: alimentação do pc
• indústrias: iluminação led
• N ° de Modelo.: OSG65R099HSZAF TO247
• Pacote de Transporte: Air
• Marca Registrada: Orientalsemiconductor
• Origem: China
• Código HS: 854129000
• Capacidade de Produção: 20kkkk/Monthly

Descrição de Produto

Descrição geral
O GreenMOS® MOSFET de alta tensão utiliza tecnologia de equilíbrio de carga para obter uma baixa de resistência e abaixe a tampa. Ele é projetado para minimizar a perda da condução, fornecem desempenho de comutação superior e robusta capacidade avalanche.
O GreenMOS® da série Z é integrado com rápida recuperação do diodo (DRF) para minimizar o tempo de recuperação de ré. Ele é adequado para topologias de comutação ressonante para alcançar maior eficiência, maior confiabilidade e fator de forma menor.

Dispõe de                                                                                                    

• Baixa RDS(ligado) & FOM
• Extremamente Baixa perda de comutação
• Excelente estabilidade e homogeneidade
• Ultra-rápido e robusto diodo do corpo
• AEC-Q101 qualificada para a aplicação automóvel

Os pedidos

• Potência do PC
• Potência de Telecom
• A energia do servidor
• Carregador de EV
• Controlador do Motor

Os parâmetros de desempenho chave

 

O parâmetro	Valor	Unidade
O VDS	650	V
ID, pulso	96	Um
RDS(ligado), Max @ VGS=10V	99	MΩ
Qg	66,6	NC

Marcação de informações

 

Nome do produto	Package	Marcação
Gsg65R099HSZAF	A247	Gsg65R099HSZA

O teste HTRB foi realizada em 600 V mais rigorosa do que a AEC-Q101 não C (80% V(BR)DSS). Todos os testes foram realizados de acordo com a AEC Q101 rev. E.

 

As classificações de máximo absoluto em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário
 

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Tensão da fonte de drenagem	O VDS	650	V
Tensão da fonte de bico valvulado	VGS	±30	V
Corrente de drenagem contínua^1), Tc=25 °C	ID	32	Um
Corrente de drenagem contínua^1), TC=100 °C		20
Corrente de dreno pulsada^2), Tc=25 °C	ID, pulso	96	Um
Diodo contínua corrente de avanço^1), Tc=25 °C	É	32	Um
Corrente impulsada diodo^2), Tc=25 °C	É, pulso	96	Um
Dissipação de energia^3)  ,Tc=25  °C	PD	278	W
Energia avalanche pulsada única5)	O EAS	648	MJ
Dv/dt MOSFET robustez, VDS=0…480 V	Dv/dt	50	V/ns
Díodo de ré dv/dt, VDS=0…480 V, DSI≤ID	Dv/dt	50	V/ns
Temperatura de operação e armazenamento	Tstg, TJ	-55 a 150	°C

As características térmicas
 

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Resistência térmica, caso de junção	RθJC	0.45	°C/W
Resistência térmica, cruzamento-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Tensão de ruptura de fonte de drenagem	BVDSS	650			V	VGS = 0 V, ID=1 mA
Tensão de limiar da porta	VGS (TH)	3.0		4.5	V	O VDS=VGS, ID=1 mA
Fonte de drenagem na resistência do Estado-	RDS(ligado)		0.090	0,099	Ω	VGS=10 V, ID=16 UM
			0.21			VGS=10 V, ID=16 A, tj = 150 °C
Gate fonte de corrente de fuga	IGSS			100	América do Norte	VGS=30 V
				-100		VGS = -30 V
Fonte de dreno de corrente de fuga	IDSS			10	ΜA	O VDS=650 V, VGS = 0 V
Resistência do Bico Valvulado	RG		7.8		Ω	Ƒ = 1 MHz, abra o dreno

Características dinâmicas

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Capacitância de Entrada	Os Ciss		3988]		PF	VGS = 0 V, VDS = 50 V, Ƒ=100 kHz
A capacitância de saída	Coss		210		PF
A capacitância de transferência de ré	Sir		7.4		PF
Saída efectiva capacitância energia relacionada	Co(ER)		124		PF	VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V
Saída efectiva capacitância hora relativas	Co (tr)		585		PF
Gire o tempo de atraso	Td(a)		46.0		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=20 A
Tempo de elevação	Tr		60,3		Ns
Tempo de retardo de desligamento	Td(Desligado)		93.0		Ns
Tempo de queda	Tf		3.7		Ns

Características de carga da porta

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Total de carga da porta	Qg		66,6		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=20 A
Porta de carga da fonte	O programa QGS		20.6		NC
Porta de carga de drenagem	Qgd		24.8		NC
Tensão do planalto de bico valvulado	Vplateau		6.7		V

Características do Diodo do corpo

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Tensão de avanço do diodo	VSD			1.3	V	É=32, VGS = 0 V
Tempo de recuperação de ré	Trr		151,7		Ns	É=20 A, Di/dt = 100 A/μs
Taxa de recuperação de ré	Qrr		1.0		ΜC
Pico de corrente de recuperação de ré	Irrm		12.3		Um

Nota

1. Calculado de corrente contínua com base na temperatura da junção máxima admissível.
2. Classificação repetitivas; a largura de pulso limitada por um máximo de temperatura da junção.
3. Pd é baseado em um máximo de temperatura da junção, usando a resistência térmica da caixa de junção.
4. VDD=100 V, VGS=10 V, L=80 mH, começando a tj = 25 °C.