Aumente a potência de Telecom Pfc Osg65R038a247 hzaf Vds 650V O RDS38mΩ rápida recuperação do Regulador de Tensão Alta Mosfet de Diodos

• Type: Car Power Inverter
• Certification: RoHS
• descrição: perda de comutação extremamente baixa
• características: excelente estabilidade e uniformidade
• aplicações: alimentação do pc
• indústrias: iluminação led
• N ° de Modelo.: OSG65R038HZAF TO247
• aplicação: inversor do automóvel
• Pacote de Transporte: Carton
• Especificação: 35x30x37cm
• Marca Registrada: Orientalsemiconductor
• Origem: China
• Código HS: 854129000
• Capacidade de Produção: 20kkkk/Monthly

Descrição de Produto

Descrição geral
O GreenMOS® MOSFET de alta tensão utiliza tecnologia de equilíbrio de carga para obter uma baixa de resistência e abaixe a tampa. Ele é projetado para minimizar a perda da condução, fornecem desempenho de comutação superior e robusta capacidade avalanche.
O GreenMOS® da série Z é integrado com rápida recuperação do diodo (DRF) para minimizar o tempo de recuperação de ré. Ele é adequado para topologias de comutação ressonante para alcançar maior eficiência, maior confiabilidade e fator de forma menor.

Dispõe de

• Baixa RDS(ligado) & FOM
• Extremamente Baixa perda de comutação
• Excelente estabilidade e homogeneidade
• Ultra-rápido e robusto diodo do corpo

Os pedidos                                                                                             

• Potência do PC
• Potência de Telecom
• A energia do servidor
• Carregador de EV
• Controlador do Motor

Os parâmetros de desempenho chave
 

O parâmetro	Valor	Unidade
O VDS, min @ tj(max)	700	V
ID, pulso	240	Um
RDS(ligado), Max @ VGS=10V	38	MΩ
Qg	175	NC

Marcação de informações
 

Nome do produto	Package	Marcação
Gsg65R038HZF	A247	Gsg65R038HZ

As classificações de máximo absoluto em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário
 

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Tensão da fonte de drenagem	O VDS	650	V
Tensão da fonte de bico valvulado	VGS	±30	V
Corrente de drenagem contínua^1), Tc=25 °C	ID	80	Um
Corrente de drenagem contínua^1), TC=100 °C		50
Corrente de dreno pulsada^2), Tc=25 °C	ID, pulso	240	Um
Diodo contínua corrente de avanço^1), Tc=25 °C	É	80	Um
Corrente impulsada diodo^2), Tc=25 °C	É, pulso	240	Um
Dissipação de energia^3)  ,Tc=25  °C	PD	500	W
Energia avalanche pulsada única5)	O EAS	2900	MJ
Dv/dt MOSFET robustez, VDS=0…480 V	Dv/dt	100	V/ns
Díodo de ré dv/dt, VDS=0…480 V, DSI≤ID	Dv/dt	50	V/ns
Temperatura de operação e armazenamento	Tstg, TJ	-55 a 150	°C

As características térmicas
 

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Resistência térmica, caso de junção	RθJC	0.25	°C/W
Resistência térmica, cruzamento-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Tensão de ruptura de fonte de drenagem	BVDSS	650			V	VGS = 0 V, ID=2 mA
		700	770			VGS = 0 V, ID=2 mA, tj = 150 °C
O limiar da porta A tensão	VGS (TH)	3.0		4.5	V	O VDS=VGS, ID=2 mA
Fonte de drenagem No estado de resistência	RDS(ligado)		0,032	0,038	Ω	VGS=10 V, ID=40
			0,083			VGS=10 V, ID=40 A, tj = 150 °C
Gate fonte de corrente de fuga	IGSS			100	América do Norte	VGS=30 V
				-100		VGS = -30 V
Fonte de dreno de corrente de fuga	IDSS			10	ΜA	O VDS=650 V, VGS = 0 V
Resistência do Bico Valvulado	RG		2.1		Ω	Ƒ = 1 MHz, abra o dreno

Características dinâmicas

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Capacitância de Entrada	Os Ciss		9276		PF	VGS = 0 V, VDS = 50 V, Ƒ=100 kHz
A capacitância de saída	Coss		486		PF
A capacitância de transferência de ré	Sir		12.8		PF
Saída efectiva capacitância energia relacionada	Co(ER)		278		PF	VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V
Saída efectiva capacitância hora relativas	Co (tr)		1477		PF
Gire o tempo de atraso	Td(a)		55,9		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40
Tempo de elevação	Tr		121,2		Ns
Tempo de retardo de desligamento	Td(Desligado)		114,2		Ns
Tempo de queda	Tf		8.75		Ns

Características de carga da porta

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Total de carga da porta	Qg		175.0		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40
Porta de carga da fonte	O programa QGS		40.1		NC
Porta de carga de drenagem	Qgd		76,1		NC
Tensão do planalto de bico valvulado	Vplateau		6.4		V

Características do Diodo do corpo

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Tensão de avanço do diodo	VSD			1.3	V	É=80 A, VGS = 0 V
Tempo de recuperação de ré	Trr		180		Ns	É=30 A, Di/dt = 100 A/μs
Taxa de recuperação de ré	Qrr		1.5		A COMUNICAÇÃO UNIFICADA
Pico de corrente de recuperação de ré	Irrm		15.2		Um

Nota

1. Calculado de corrente contínua com base na temperatura da junção máxima admissível.
2. Classificação repetitivas; a largura de pulso limitada por um máximo de temperatura da junção.
3. Pd é baseado em um máximo de temperatura da junção, usando a resistência térmica da caixa de junção.
4. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado no 1 em 2 FR-4 board com 2oz. Cobre, em um ambiente com ar ainda Ta = 25 °C.
5. VDD=300 V, VGS=10 V, L=40 mH, começando a tj = 25 °C.