• Conversor DC-DC Vds 40V 800A FE04R011ugnf Mosfet Pdfn5X6
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Conversor DC-DC Vds 40V 800A FE04R011ugnf Mosfet Pdfn5X6

Aplicação: caminhão, Caminhão, Carro, Mini Car, Micro onibus
Certificação: ISO, RoHS
Voltagem: 40 v.
Fonte de energia: Bateria
Tipo: Carro elétrico Cup Aquecimento
descrição: perda de comutação extremamente baixa

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Membro de Ouro Desde 2022

Fornecedores com licênças comerciais verificadas

Fabricante / Fábrica, Empresa Comercial

Informação Básica.

N ° de Modelo.
SFS04R011UGNF PDFN5x6
características
excelente estabilidade e uniformidade
aplicações 1
carregador pd
aplicações2
acionador do motor
aplicações3
regulador de tensão de comutação
aplicações4
conversor cc-cc
aplicações5
fonte de alimentação do modo de comutação
Pacote de Transporte
Carton
Especificação
35x30x37cm
Marca Registrada
Orientalsemiconductor
Origem
China
Código HS
854129000
Capacidade de Produção
20kkkk/Monthly

Descrição de Produto

Descrição geral
FSMOS® é baseado na MOSFET o dispositivo exclusivo de Semicondutores Orientais design para alcançar baixas RDS(ligado), porta de baixa carga, a comutação rápida e excelentes características de avalanches. A quinta série é especialmente concebido para utilização em sistemas de controle do motor com tensão de condução de mais de 10V.

Dispõe de
  • Baixa RDS(ligado) & FOM (FDM)
  • Extremamente Baixa perda de comutação
  • Excelente confiabilidade e uniformidade
  • A comutação rápida e recuperação soft
  • AEC-Q101 qualificada para Aplicações Automotivas

Os pedidos
  • Carregador de PD
  • Controlador do Motor
  • Regulador de tensão de comutação
  • Conversor DC-DC
  • Fonte de alimentação de modo de comutação


Os parâmetros de desempenho chave

 
O parâmetro Valor Unidade
O VDS 40 V
ID, pulso 800 Um
RDS(ligado), Max @ VGS=10V 1.1
Qg 75,9 NC

Marcação de informações

 
Nome do produto Package Marcação
Fe04R011UGNF PDFN5×6 Fe04R011UGN
 
As classificações de máximo absoluto em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário
 
O parâmetro Símbolo Valor Unidade
Tensão da fonte de drenagem O VDS 40 V
Tensão da fonte de bico valvulado VGS ±20 V
Corrente de drenagem contínua1), Tc=25 °C ID 200 Um
Corrente de dreno pulsada2), Tc=25 °C ID, pulso 800 Um
Diodo contínua corrente de avanço1), Tc=25 °C É 200 Um
Corrente impulsada diodo2), Tc=25 °C É, pulso 800 Um
Dissipação de energia3), Tc=25 °C PD 202 W
Energia avalanche pulsada única5) O EAS 240 MJ
Temperatura de operação e armazenamento Tstg, TJ -55 a 175 °C

As características térmicas
 
O parâmetro Símbolo Valor Unidade
Resistência térmica, caso de junção RθJC 0,74 °C/W
Resistência térmica, cruzamento-ambient4) RθJA 62 °C/W

Características eléctricas em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste
Tensão de ruptura de fonte de drenagem BVDSS 40     V VGS = 0 V, ID=250 μA
Tensão de limiar da porta VGS (TH) 2.0   4.0 V O VDS=VGS, ID=250 μA
Fonte de drenagem na resistência do Estado- RDS(ligado)   1.0 1.1 VGS=10 V, ID=20 A
Gate fonte de corrente de fuga
IGSS
    100
América do Norte
VGS=20 V
    -100 VGS = -20 V
Fonte de dreno de corrente de fuga IDSS     1 ΜA O VDS=40 V, VGS = 0 V
Resistência do Bico Valvulado RG   3.2   Ω Ƒ = 1 MHz, abra o dreno

Características dinâmicas
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste
Capacitância de Entrada Os Ciss   5453   PF
VGS = 0 V, VDS = 25 V,
Ƒ=100 kHz
A capacitância de saída Coss   1951   PF
A capacitância de transferência de ré Sir   113   PF
Gire o tempo de atraso Td(a)   17.5   Ns
VGS=10 V, VDS=40 V, RG=2 Ω, ID=40
Tempo de elevação Tr   25.2   Ns
Tempo de retardo de desligamento Td(Desligado)   48,2   Ns
Tempo de queda Tf   25.7   Ns

Características de carga da porta
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste
Total de carga da porta Qg   75,9   NC

VGS=10 V, VDS=40 V, ID=40
Porta de carga da fonte O programa QGS   25   NC
Porta de carga de drenagem Qgd   15.3   NC
Tensão do planalto de bico valvulado Vplateau   4.9   V

Características do Diodo do corpo
O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade Condição de teste
Tensão de avanço do diodo VSD     1.3 V É=20 A, VGS = 0 V
Tempo de recuperação de ré Trr   61,4   Ns
VR=40 V, é=40 A,
Di/dt = 100 A/μs
Taxa de recuperação de ré Qrr   86   NC
Pico de corrente de recuperação de ré Irrm   2.7   Um

Nota
  1. Calculado de corrente contínua com base na temperatura da junção máxima admissível.
  2. Classificação repetitivas; a largura de pulso limitada por um máximo de temperatura da junção.
  3. Pd é baseado em um máximo de temperatura da junção, usando a resistência térmica da caixa de junção.
  4. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado no 1 em2 FR-4 board com 2oz. Cobre, em um ambiente com ar ainda Ta = 25 °C.
  5. VDD=30 V,VGS=10 V, L=0,3 mH, começando a tj = 25 °C.






 
 
DC-DC Convertor Vds 40V 800A Sfs04r011ugnf Pdfn5X6 Mosfet
 
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501~1000 Metros Quadrados