O Modo de Melhoramento de transistor de potência MOSFET de canal N A220f Osg80R380FF Vds-850V ID-33A RDS (A) -380milliohm-22.2Qg nf para carregador de EV/UPS Solar

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• N ° de Modelo.: TO220F OSG80R380FF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Marca Registrada: Orientalsemi
• Origem: China
• Código HS: 8541290000
• Capacidade de Produção: Over 1kk/Month

Descrição de Produto

 Descrição geral
O  GreenMOS®    MOSFET de alta tensão  utiliza    tecnologia de equilíbrio de carga  para  obter  uma baixa  de resistência  e  abaixe a  tampa .  Ele  é  projetado  para  minimizar a   perda da condução, fornecem   desempenho de comutação superior  e  robusta   capacidade avalanche.
O   GreenMOS®     série genérico   é   otimizado   para       desempenho de comutação extremas   para   minimizar a   perda de comutação.  Ele   é  adequado  para       aplicações de alta densidade de energia   para   satisfazer  as   mais elevadas   normas de eficiência energética.

Dispõe de
      Baixa  RDS(ligado) &  FOM
      Extremamente  Baixa   perda de comutação
      Excelente  estabilidade  e  homogeneidade

Os pedidos
       Potência do PC
       Iluminação de LED
       Potência de Telecom
       A energia do servidor
       Carregador de EV
      A Solar/UPS


  Os parâmetros de desempenho chave

O parâmetro	Valor	Unidade
O VDS, min  @ tj(max)	850	V
ID,  pulso	33	Um
RDS(ligado) , max  @ VGS  =10V	380	MΩ
Qg	22.2	NC

  As classificações de máximo absoluto  em  tj  = 25 °C,  salvo indicação em  contrário  

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Tensão da fonte de drenagem	O VDS	800	V
Tensão da fonte de bico valvulado	VGS	±30	V
Corrente de drenagem contínua1), Tc=25 °C	ID	11	Um
Corrente de drenagem contínua1), TC=100 °C		6.9
Corrente de dreno pulsada2), Tc=25 °C	ID,  pulso	33	Um
Diodo contínua   corrente de avanço1), Tc=25 °C	É	11	Um
Corrente impulsada diodo2), Tc=25 °C	É, pulso	6.9	Um
Dissipação de energia3), Tc=25 °C	PD	34	W
Energia avalanche pulsada única5)	O EAS	400	MJ
Dv/dt MOSFET  robustez, VDS  =0…640 V	Dv/dt	50	V/ns
Díodo de ré  dv/dt, VDS  =0…640 V, DSI≤ID	Dv/dt	15	V/ns
Temperatura de operação e armazenamento	Tstg  , TJ	-55 a 150	°C

 As características térmicas

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Resistência térmica, caso de junção	RθJC	3.68	°C/W
Resistência térmica, cruzamento-ambient4)	RθJA	62,5	°C/W

 Características eléctricas  em  tj  = 25 °C,  salvo indicação em  contrário  

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Tensão de ruptura de fonte de drenagem	BVDSS	800			V	VGS  = 0 V, ID  =250 μA
		850				VGS  = 0 V, ID  =250 μA, tj  = 150 °C
O limiar da porta A tensão	VGS (TH)	2.9		3.9	V	O VDS  =VGS , ID =250 μA
Fonte de drenagem  na   resistência do Estado-	RDS(ligado)		0.30	0.38	Ω	VGS  =10 V, ID=5,5  A
			0.69			VGS  =10 V, ID=5,5 A, tj  = 150 °C
Fonte de bico valvulado  A corrente de fuga	IGSS			100	América do Norte	VGS  =30 V
				- 100		VGS  =-30 V
Fonte de drenagem  A corrente de fuga	IDSS			10	ΜA	O VDS  =800 V, VGS  = 0 V

 Informações de encomenda

Package Digite	Unidades O tubo	Costura/    Caixa interior	Unidades/    Caixa interior	Caixas interiores/  caixa de papelão	Unidades/     caixa de papelão
A220F-C	50	20	1000	6	6000
A220F-J	50	20	1000	5	5000

 Informações do produto

Produto	Package	Pb  Free	RoHS	Livres de halogênio
Gsg80R380FF	A220F	Sim	Sim	Sim

Cadeia de Fornecimento

Declaração do Produto verde