Fonte de alimentação electrónica RoHS Sfs04r013ugf Pdfn5 X 6 Comutação rápida e recuperação suave baixa RDS (ON) 1.1mΩ, MOSFET

• Type: Auto Battery and Charger
• Certification: RoHS
• descrição: perda de comutação extremamente baixa
• características: excelente estabilidade e uniformidade
• aplicações: alimentação do pc
• indústrias: iluminação led
• N ° de Modelo.: RoHS SFS04R013UGF PDFN5 x 6
• Pacote de Transporte: Air
• Marca Registrada: Orientalsemiconductor
• Origem: China
• Código HS: 854129000
• Capacidade de Produção: 20kkkk/Monthly

Descrição de Produto

Descrição Geral
O MOSFET da FSMOS baseia-se no design exclusivo do dispositivo da Oriental Semiconductor para obter RDS (LIGADO) baixo, carga de porta baixa, comutação rápida e excelentes características de avalanche. A série Vth baixa foi especialmente optimizada para sistemas de rectificação síncrona com baixa tensão de condução.


Comodidades

• RDS baixo (LIGADO) e FOM (Figura de mérito)
• Perda de comutação extremamente baixa                                                                  
• Excelente fiabilidade e uniformidade
• Comutação rápida e recuperação suave
• AEC-Q101 qualificado para aplicações automóveis

Aplicações

• Fonte de alimentação electrónica de consumo
• Controlo do motor
• Retificação síncrona
• Conversor CC/CC isolado
• Invertors (inversores)

Parâmetros de desempenho chave

 

Parâmetro	Valor	Unidade
VDS	40	V
ID, impulso	600	A
RDS (LIGADO) MÁX. @ VGS: 10 V.	1.1	MΩ
QG	118.4	NC

Informações de marcação

 

Nome do produto	Pacote	Marcação
SFS04R013UGF	PDFN5 x 6	SFS04R013UG

 

 

As classificações máximas absolutas a TJ são de 25 ° C, salvo indicação em contrário
 

Parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Voltagem da fonte de drenagem	VDS	40	V
Tensão da fonte da porta	VGS	± 20	V
Corrente de purga continual1^), TC 25 ° C	ID	200	A
Corrente de purga pulsar2^), TC 25 ° C	ID, impulso	600	A
Corrente contínua de avanço de diodos 1^), TC 25 ° C	É	200	A
Corrente pulsante de diodos 2^), TC 25 ° C	IS, impulso	600	A
Dissipação de energia3^), TC 25 ° C	PD	178	W
Energia de avalanche pulsada simples 5)	EAS	144	MJ
Temperatura de funcionamento e armazenamento	Tstg, TJ	-55 a 175	° C

Características térmicas
 

Parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Resistência térmica, caixa de junção	RθJC	0.84	° C/W
Resistência térmica, junção-ambient4)	RθJA	62	° C/W

Características eléctricas a 25 ° C, excepto especificação em contrário

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condição de teste
Drenagem - Tensão de avaria da fonte	BVDSS	40			V	VGS 250 0 V, ID: ΜA
Tensão limite da porta	VGS (TH)	1.2		2.5	V	VDS 250 VGS, ID: ΜA
Resistência de estado ligado da fonte de drenagem	RDS (LIGADO)		0.9	1.1	MΩ	VGS: 10 V, ID: 20 A
Resistência de estado ligado da fonte de drenagem	RDS (LIGADO)		1.5	2.0	MΩ	VGS: 6 V, ID: 20 A
Porta - corrente de fuga da fonte	IGSS			100	An	VGS: 20 V
				-100		O VGS É DE -20 V.
Corrente de fuga da fonte de drenagem	IDSS			1	UA	VDS: 40 V, VGS: 0 V
Resistência da porta	RG		3.2		Ω	ƒ 1 MHz, dreno aberto

Características dinâmicas

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condição de teste
Capacidade de entrada	CISS		5453		PF	VGS: 0 V, VDS: 25 V, ƒ 100 kHz
Capacidade de saída	COSS		1951		PF
Capacidade de transferência inversa	CRSs		113		PF
Tempo de atraso de activação	td (ligado)		23.9		ns	VGS: 10 V, VDS: 40 V, RG Ω 2 40, ID: A
Tempo de subida	tr		16.9		ns
Desligar o tempo de atraso	td (desligado)		80.4		ns
Tempo de queda	tf		97.7		ns

Características de carga da porta

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condição de teste
Carga total da porta	QG		85.6		NC	VGS: 10 V VDS: 40 V, ID: 40 A,
Gate - carregamento da fonte	QGS		17.6		NC
Porta - carga de drenagem	QGD		14.5		NC
Tensão de plateau da porta	Vplatô		3.6		V

Características do díodo da carroçaria

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condição de teste
Tensão de avanço do díodo	VSD			1.3	V	É DE 20 A, VGS: 0 V
Tempo de recuperação inverso	trr		71.1		ns	40 V, 40 A, Di/dt: 100 A/μs
Carga de recuperação inversa	QRR		50.1		NC
Corrente de recuperação de pico inverso	Irrm		1.2		A

Nota

1. Corrente contínua calculada com base na temperatura máxima de junção permitida.
2. Classificação repetitiva; largura de impulso limitada pela temperatura máx. De junção.
3. O PD baseia-se na temperatura máx. De junção, utilizando a resistência térmica da caixa de junção.
4. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado numa placa FR-4 in2 com 2 oz. Cobre, num ambiente de ar imóvel com Ta 25 ° C.

VDD: 30 V, VG: 10 V, L: 0.3 MH, arranque TJ: 25 ° C.