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Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
Material: Semiconductor de Elemento
Tipo: Semicondutor Tipo N
Pacote: DIP (Embalagem em Linha Dupla)
Processamento de Sinais: Simulação
Aplicação: Televisão

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Shanghai Winture Electric Co., Ltd.
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Descrição de Produto

Informações da Empresa
  • Visão Geral
  • Descrição do produto
Visão Geral

Informação Básica.

N ° de Modelo.
OSG80R300JF
Modelo
PC817
Número de lote
2010+
Marca
semi-oriental
Pacote de Transporte
Carton
Especificação
35x37x30cm
Marca Registrada
Orientalsemi
Origem
China
Código HS
8541290000
Capacidade de Produção
Over 1kk/Month

Descrição de Produto

Descrição do produto

Descrição Geral
O MOSFET de alta tensão utiliza a tecnologia de equilíbrio de carga para alcançar uma resistência reduzida e uma carga da porta mais baixa. Foi concebido para minimizar a perda de condução, proporcionar um desempenho de comutação superior e uma robusta capacidade de avalanche. A série genérica é otimizada para um desempenho de comutação extremo para minimizar a perda de comutação. É personalizado para aplicações de alta densidade de potência, de modo a cumprir os mais elevados padrões de eficiência.

Comodidades
       RDS BAIXO (LIGADO) E  FOM
         Perda de comutação extremamente baixa
      Excelente  estabilidade  e  uniformidade

Aplicações
       Iluminação LED
     Telecom Power
      Solar/UPS
      Potência de sempre
   Alimentação do PC
   Carregador de EV
 

High Voltage Pdfn 8*8 Package Osg80r300jf Single N-Channel 800W 300V Power Mosfet

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Cadeia de fornecimento

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Declaração Verde do produto

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