Inversor geral altamente fiável de IGBT industrial e automóvel

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: ST
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Microwave Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• N ° de Modelo.: OST40N120HMF TO-247N
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Pacote de Transporte: Carton
• Especificação: 35.3x30x37.5/60x23x13
• Marca Registrada: Orientalsemi
• Origem: China
• Código HS: 8541290000
• Capacidade de Produção: Over 1K/Month

Descrição de Produto

Descrição do produto

Descrição Geral

O OST40N120HMF utiliza a tecnologia avançada de transístores bipolares de porta de Trident-Gate (TGBTTM) patenteada pela Oriental-Semi para proporcionar um VCE (SAT) extremamente baixo, carga de porta baixa e um excelente desempenho de comutação. Este dispositivo é adequado para conversores de frequência de comutação de gama média a alta.

Comodidades

• Tecnologia TGBTTM avançada
• Excelente condução e perda de comutação
• Excelente estabilidade e uniformidade
• Díodo anti-paralelo rápido e suave

Aplicações

• Conversores de indução
• Fontes de alimentação ininterruptas

Parâmetros de desempenho chave

 

Parâmetro	Valor	Unidade
VCES, min @ 25 ° C	1200	V
Temperatura máxima de junção	175	° C
IC, impulso	160	A
VCE (SAT), típ @ VGE: 15 V.	1.45	V
QG	214	NC

Informações de marcação

 

Nome do produto	Pacote	Marcação
OST40N120HMF	TO247	OST40N120HM

 

As classificações máximas absolutas em Tvj são de 25 ° C, salvo indicação em contrário
 

Parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Tensão do emissor do coletor	VCES	1200	V
Tensão do emissor da porta	VGES	± 20	V
Tensão do emissor da porta transitória, TP ≤ 0.5µs, D < 0.001		± 25	V
Corrente contínua de apanho1^), TC 25ºC	IC	56	A
Corrente contínua de apanho1^), TC 100ºC		40	A
Colector pulsado current2^), TC 25ºC	IC, impulso	160	A
Corrente de avanço do diode 1^), TC 25ºC	SE	56	A
Corrente de avanço do diode 1^), TC 100ºC		40	A
Corrente pulsante de diodos 2^), TC 25ºC	SE, pulsar	160	A
25ºC de potência), TC	PD	357	W
100ºC de potência), TC		179	W
Temperatura de funcionamento e armazenamento	Tstg, Tvj	-55 a 175	° C
Curto-circuito, tempo de resistência VGE 15 ≤ V, VCC 600 V Número permitido de curto-circuitos < 1000 tempo entre curto-circuitos: ≥ 1.0 S Tvj 150 ° C	TSC	10	μs

Características térmicas

Parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Resistência térmica IGBT, caixa de junção	RθJC	0.42	° C/W
Resistência térmica do díodo, caixa de junção	RθJC	0.75	° C/W
Resistência térmica, junção-ambient4)	RθJA	40	° C/W

 

Características eléctricas a Tvj: 25 ° C, salvo especificação em contrário

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condição de teste
Tensão de avaria do coletor-emissor	V(BR) CES	1200			V	VGE: 0 V, IC: 0.5 MA
Coletor - tensão de saturação do emissor	VCE (Sáb)		1.45	1.8	V	VGE 15 V, IC 40 A TVJ 25 ° C
			1.65		V	VGE: 15 V, IC: 40 A, TVJ: 125 ° C
			1.8			VGE: 15 V, IC: 40 A, TVJ: 175 ° C
Porta - emissor tensão limite	VGE (TH)	4.8	5.8	6.8	V	VCE: VGE, ID: 0.5 MA
Tensão de avanço do díodo	VF		1.9	2.1	V	VGE 40 0 V, SE FOR 25 A TVJ, ° C
			1.6			VGE: 0 V, SE FOR 40 A, TVJ: 125 ° C
			1.5			VGE: 0 V, SE FOR 40 A, TVJ: 175 ° C
Porta - emissor corrente de fuga	IGES			100	An	VCE: 0 V, VGE: 20 V
Corrente do coletor de tensão de porta zero	ICES			10	μA	VCE: 1200 V, VGE: 0 V

 

Características dinâmicas
 

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condição de teste
Capacidade de entrada	Cies		11270		PF	VGE: 0 V, VCE: 25 V, ƒ 100 kHz
Capacidade de saída	COEs		242		PF
Capacidade de transferência inversa	Cres		10		PF
Tempo de atraso de activação	td (ligado)		120		ns	VGE 15 600 V, VCC 10 V, RG Ω 40, IC A
Tempo de subida	tr		88		ns
Desligar o tempo de atraso	td (desligado)		246		ns
Tempo de queda	tf		160		ns
Energia de ligar	EON		3.14		MJ
Desligue a energia	Eoff		1.02		MJ
Tempo de atraso de activação	td (ligado)		112		ns	VGE 15 600 V, VCC 10 V, RG Ω 20, IC A
Tempo de subida	tr		51		ns
Desligar o tempo de atraso	td (desligado)		284		ns
Tempo de queda	tf		148		ns
Energia de ligar	EON		1.32		MJ
Desligue a energia	Eoff		0.53		MJ

Características de carga da porta
 

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condição de teste
Carga total da porta	QG		214		NC	VGE 15 V, VCC 960 V, IC 40 A
Porta - carga do emissor	Qge		103		NC
Portão - carga do coletor	Qgc		40		NC

Características do díodo da carroçaria
 

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condição de teste
Tempo de recuperação de inversão do díodo	trr		293		ns	VR DE 600 V, SE FOR IGUAL A 40 A, DIF/dt 500 μs A/25 Tvj ° C
Carga de recuperação de inversão de díodo	QRR		2.7		μC
Corrente de recuperação de pico de inversão do díodo	Irrm		25		A

Nota

1. Corrente contínua calculada com base na temperatura máxima de junção permitida.
2. Classificação repetitiva; largura de impulso limitada pela temperatura máx. De junção.
3. O PD baseia-se na temperatura máx. De junção, utilizando a resistência térmica da caixa de junção.
4. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado numa placa FR-4 in2 com 2 oz. Cobre, num ambiente de ar imóvel com Ta 25 ° C.

 

Versão 1: Dimensão do esquema do pacote TO247-P.

Informações de encomenda
 

Tipo de pacote	Unidades/tubo	Tubos/caixa interior	Unidades/caixa interior	Caixas interiores/caixa de cartão	Unidades/caixa de cartão
TO247-P	30	11	330	6	1980

Informações do produto
 

Produto	Pacote	PB livre	RoHS	Sem halogéneo
OST40N120HMF	TO247	sim	sim	sim

Renúncia legal
As informações constantes do presente documento não serão, em caso algum, consideradas como garantia de condições ou características. Relativamente a quaisquer exemplos ou sugestões aqui apresentados, quaisquer valores típicos aqui indicados e/ou quaisquer informações relativas à aplicação do dispositivo, a Oriental Semiconductor renuncia a todas e quaisquer garantias e responsabilidades de qualquer tipo, incluindo, sem limitação, garantias de não violação dos direitos de propriedade intelectual de terceiros.

Cadeia de fornecimento

Declaração Verde do produto