Manufacturing Technology: | Optoelectronic Semiconductor |
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Material: | Element Semiconductor |
Type: | N-type Semiconductor |
Package: | SMD |
Signal Processing: | Digital |
Application: | Television |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
O parâmetro | Valor | Unidade |
O VDS, min @ tj(max) | 650 | V |
ID, pulso | 240 | Um |
RDS(ligado), Max @ VGS=10V | 30 | MΩ |
Qg | 178 | NC |
Nome do produto | Package | Marcação |
Gsg60R030HZF | A247 | Gsg60R030HZ |
O parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
Tensão da fonte de drenagem | O VDS | 600 | V |
Tensão da fonte de bico valvulado | VGS | ±30 | V |
Corrente de drenagem contínua1), Tc=25 °C | ID |
80 | Um |
Corrente de drenagem contínua1), TC=100 °C | 50 | ||
Corrente de dreno pulsada2), Tc=25 °C | ID, pulso | 240 | Um |
Diodo contínua corrente de avanço1), Tc=25 °C | É | 80 | Um |
Corrente impulsada diodo2), Tc=25 °C | É, pulso | 240 | Um |
Dissipação de energia3), Tc=25 °C | PD | 480 | W |
Energia avalanche pulsada única5) | O EAS | 2500 | MJ |
Dv/dt MOSFET robustez, VDS=0…480 V | Dv/dt | 50 | V/ns |
Díodo de ré dv/dt, VDS=0…480 V, DSI≤ID | Dv/dt | 50 | V/ns |
Temperatura de operação e armazenamento | Tstg, TJ | -55 a 150 | °C |
O parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
Resistência térmica, caso de junção | RθJC | 0.26 | °C/W |
Resistência térmica, cruzamento-ambient4) | RθJA | 62 | °C/W |
O parâmetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidade | Condição de teste |
Tensão de ruptura de fonte de drenagem | BVDSS | 600 | V | VGS = 0 V, ID=1 mA | ||
Tensão de limiar da porta | VGS (TH) | 3.0 | 4.5 | V | O VDS=VGS, ID=2 mA, | |
Fonte de drenagem No estado de resistência |
RDS(ligado) |
0,028 | 0,030 | Ω |
VGS=10 V, ID=40 | |
0,058 | VGS=10 V, ID=40 A, tj = 150 °C | |||||
Gate fonte de corrente de fuga | IGSS |
100 | América do Norte |
VGS=30 V | ||
-100 | VGS = -30 V | |||||
Fonte de dreno de corrente de fuga | IDSS | 10 | ΜA | O VDS=600 V, VGS = 0 V | ||
Resistência do Bico Valvulado | RG | 2.1 | Ω | Ƒ = 1 MHz, abra o dreno |
O parâmetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidade | Condição de teste |
Capacitância de Entrada | Os Ciss | 9343 | PF | VGS = 0 V, VDS=50 V, ƒ=100 KHz |
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A capacitância de saída | Coss | 708 | PF | |||
A capacitância de transferência de ré | Sir | 15 | PF | |||
Saída efectiva capacitância energia relacionada | Co(ER) | 345 | PF | VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V |
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Saída efectiva capacitância hora relativas | Co (tr) | 1913 | PF | |||
Gire o tempo de atraso | Td(a) | 52.1 | Ns | VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 |
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Tempo de elevação | Tr | 105.2 | Ns | |||
Tempo de retardo de desligamento | Td(Desligado) | 125,7 | Ns | |||
Tempo de queda | Tf | 4.1 | Ns |
O parâmetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidade | Condição de teste |
Total de carga da porta | Qg | 177.9 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 |
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Porta de carga da fonte | O programa QGS | 37,4 | NC | |||
Porta de carga de drenagem | Qgd | 78,4 | NC | |||
Tensão do planalto de bico valvulado | Vplateau | 6.2 | V |
O parâmetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidade | Condição de teste |
Tensão de avanço do diodo | VSD | 1.4 | V | É=80 A, VGS = 0 V | ||
Tempo de recuperação de ré | Trr | 186,6 | Ns | É=40 A, Di/dt = 100 A/μs |
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Taxa de recuperação de ré | Qrr | 1.6 | ΜC | |||
Pico de corrente de recuperação de ré | Irrm | 15.4 | Um |
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