Manufacturing Technology: | Optoelectronic Semiconductor |
---|---|
Material: | Element Semiconductor |
Type: | N-type Semiconductor |
Package: | SMD |
Signal Processing: | Digital |
Application: | Solar Cell |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
O parâmetro | Valor | Unidade |
O VDS, min @ tj(max) | 700 | V |
ID, pulso | 240 | Um |
RDS(ligado) , max @ VGS=10V | 35 | MΩ |
Qg | 153,6 | NC |
Nome do produto | Package | Marcação |
Gsg65R035HTF | A247 | Gsg65R035A HT |
O parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
Tensão da fonte de drenagem | O VDS | 600 | V |
Tensão da fonte de bico valvulado | VGS | ±30 | V |
Corrente de drenagem contínua1), Tc=25 °C | ID |
80 | Um |
Corrente de drenagem contínua1), TC=100 °C | 50 | ||
Corrente de dreno pulsada2), Tc=25 °C | ID, pulso | 240 | Um |
Diodo contínua corrente de avanço1), Tc=25 °C | É | 80 | Um |
Corrente impulsada diodo2), Tc=25 °C | É, pulso | 240 | Um |
Dissipação de energia3), Tc=25 °C | PD | 455 | W |
Energia avalanche pulsada única5) | O EAS | 1850 | MJ |
Dv/dt MOSFET robustez, VDS=0…480 V | Dv/dt | 50 | V/ns |
Díodo de ré dv/dt, VDS=0…480 V, DSI≤ID | Dv/dt | 15 | V/ns |
Temperatura de operação e armazenamento | Tstg, TJ | -55 a 150 | °C |
O parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
Resistência térmica, caso de junção | RθJC | 0.27 | °C/W |
Resistência térmica, cruzamento-ambient4) | RθJA | 62 | °C/W |
O parâmetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidade | Condição de teste |
Tensão de ruptura de fonte de drenagem |
BVDSS |
600 | V |
VGS = 0 V, ID=1 mA | ||
650 | VGS = 0 V, ID=1 mA, tj = 150 °C | |||||
Tensão de limiar da porta | VGS (TH) | 2.9 | 3.9 | V | O VDS=VGS, ID=2 mA | |
Fonte de drenagem na resistência do Estado- |
RDS(ligado) |
0,024 | 0,028 | Ω |
VGS=10 V, ID=40 | |
0.06 | VGS=10 V, ID=40A, tj = 150 °C | |||||
Gate fonte de corrente de fuga | IGSS |
100 | América do Norte |
VGS=30 V | ||
-100 | VGS = -30 V | |||||
Fonte de dreno de corrente de fuga | IDSS | 1 | ΜA | O VDS=600 V, VGS = 0 V | ||
Resistência do Bico Valvulado | RG | 2.2 | Ω | Ƒ = 1 MHz, abra o dreno |
O parâmetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidade | Condição de teste |
Capacitância de Entrada | Os Ciss | 7373 | PF | VGS = 0 V, VDS=50 V, ƒ=100 KHz |
||
A capacitância de saída | Coss | 504 | PF | |||
A capacitância de transferência de ré | Sir | 17 | PF | |||
Gire o tempo de atraso | Td(a) | 42,5 | Ns | VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 |
||
Tempo de elevação | Tr | 71 | Ns | |||
Tempo de retardo de desligamento | Td(Desligado) | 126,6 | Ns | |||
Tempo de queda | Tf | 3.7 | Ns |
O parâmetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidade | Condição de teste |
Total de carga da porta | Qg | 181.8 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 |
||
Porta de carga da fonte | O programa QGS | 36,5 | NC | |||
Porta de carga de drenagem | Qgd | 49,5 | NC | |||
Tensão do planalto de bico valvulado | Vplateau | 5.5 | V |
O parâmetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidade | Condição de teste |
Tensão de avanço do diodo | VSD | 1.3 | V | É=80 A, VGS = 0 V | ||
Tempo de recuperação de ré | Trr | 584 | Ns | VR=400 V, é=40 A, Di/dt = 100 A/μs |
||
Taxa de recuperação de ré | Qrr | 12.8 | ΜC | |||
Pico de corrente de recuperação de ré | Irrm | 39,8 | Um |
Tipo de pacote | Tubo de unidades | Costura/ Caixa interior | Unidades/Caixa interior | Caixas interiores/ caixa de papelão | Unidades/caixa de papelão |
A247-C | 30 | 11 | 330 | 6 | 1980 |
A247-J | 30 | 20 | 600 | 5 | 3000 |
Produto | Package | Pb Free | RoHS | Livres de halogênio |
Gsg60R028HTF | A247 | Sim | Sim | Sim |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas