O Modo de Melhoramento de transistor de potência MOSFET de canal N para247 Osg65R080a ht3zf Vds-700V-132ID UM RDS (A) -80milliohm nc-67Qg para adaptador de iluminação LED

• Certificação: RoHS, ISO
• Forma: Tubo de metal Porcelain
• Tipo de blindagem: Afiada Cutoff Tubo Blindagem
• Método de refrigeração: Air Tubo Refrigerado
• Função: Mudar Transistor
• Freqüência de trabalho: Alta frequência
• N ° de Modelo.: TO247 OSG65R080HT3ZF
• Estrutura: planar
• Estrutura encapsulamento: Chip Transistor
• Nível de poder: Alto poder
• Material: Silício
• Marca Registrada: Orientalsemi
• Origem: China
• Código HS: 8541290000
• Capacidade de Produção: Over 1kk/Month

Descrição de Produto

 Descrição geral
O  GreenMOS®    MOSFET de alta tensão  utiliza    tecnologia de equilíbrio de carga  para  obter  uma baixa  de resistência  e  abaixe a  tampa .  Ele  é  projetado  para  minimizar a   perda da condução, fornecem   desempenho de comutação superior  e  robusta   capacidade avalanche.
O  GreenMOS® da  série Z  é  integrado  com  rápida  recuperação do  diodo (DRF) para  minimizar o   tempo de recuperação de ré. Ele  é  adequado  para    topologias de comutação ressonante  para  alcançar  maior  eficiência, maior  confiabilidade  e   fator de forma menor.

Dispõe de
      Baixa  RDS(ligado) &  FOM
      Extremamente  Baixa   perda de comutação
      Excelente  estabilidade  e  homogeneidade

Os pedidos
       Iluminação de LED
      Adaptador
      Telecom
      A Solar/UPS
      Sever

  Os parâmetros de desempenho chave

O parâmetro	Valor	Unidade
O VDS, min  @ tj(max)	700	V
ID,  pulso	132	Um
RDS(ligado), Max  @ VGS  =10V	80	MΩ
Qg	67	NC

  As classificações de máximo absoluto  em  tj  = 25 °C,  salvo indicação em  contrário  

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Tensão da fonte de drenagem	O VDS	650	V
Tensão da fonte de bico valvulado	VGS	±30	V
Corrente de drenagem contínua1), Tc=25 °C	ID	44	Um
Corrente de drenagem contínua1), TC=100 °C		27.8
Corrente de dreno pulsada2), Tc=25 °C	ID,  pulso	132	Um
Diodo contínua   corrente de avanço1), Tc=25 °C	É	44	Um
Corrente impulsada diodo2), Tc=25 °C	É, pulso	132	Um
Dissipação de energia3), Tc=25 °C	PD	379	W
Energia avalanche pulsada única5)	O EAS	600	MJ
Dv/dt MOSFET  robustez, VDS  =0…480 V	Dv/dt	50	V/ns
Díodo de ré  dv/dt, VDS  =0…480 V, DSI≤ID	Dv/dt	50	V/ns
Temperatura de operação e armazenamento	Tstg  , TJ	-55 a 150	°C

 Informações de encomenda

Package Digite	Unidades O tubo	Costura/    Caixa interior	Unidades/    Caixa interior	Caixas interiores/  caixa de papelão	Unidades/     caixa de papelão
A247-J	30	20	600	4	2400

 Informações do produto
 

Produto	Package	Pb  Free	RoHS	Livres de halogênio
Gsg65R080A HT3ZF	A247	Sim	Sim	Sim

Cadeia de Fornecimento

Declaração do Produto verde