• Modo de melhoramento do transístor To247 Osg65r074ht3zf VDS-700V ID-138A RDS (LIGADO) - 74 miliohm QG-65.7nc para carregador Super carregador de inversores solares MOSFET de potência N-Channel
  • Modo de melhoramento do transístor To247 Osg65r074ht3zf VDS-700V ID-138A RDS (LIGADO) - 74 miliohm QG-65.7nc para carregador Super carregador de inversores solares MOSFET de potência N-Channel
  • Modo de melhoramento do transístor To247 Osg65r074ht3zf VDS-700V ID-138A RDS (LIGADO) - 74 miliohm QG-65.7nc para carregador Super carregador de inversores solares MOSFET de potência N-Channel
  • Modo de melhoramento do transístor To247 Osg65r074ht3zf VDS-700V ID-138A RDS (LIGADO) - 74 miliohm QG-65.7nc para carregador Super carregador de inversores solares MOSFET de potência N-Channel
  • Modo de melhoramento do transístor To247 Osg65r074ht3zf VDS-700V ID-138A RDS (LIGADO) - 74 miliohm QG-65.7nc para carregador Super carregador de inversores solares MOSFET de potência N-Channel
  • Modo de melhoramento do transístor To247 Osg65r074ht3zf VDS-700V ID-138A RDS (LIGADO) - 74 miliohm QG-65.7nc para carregador Super carregador de inversores solares MOSFET de potência N-Channel
Favoritos

Modo de melhoramento do transístor To247 Osg65r074ht3zf VDS-700V ID-138A RDS (LIGADO) - 74 miliohm QG-65.7nc para carregador Super carregador de inversores solares MOSFET de potência N-Channel

Certification: RoHS, ISO
Shape: ST
Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
Cooling Method: Air Cooled Tube
Function: Switch Transistor
Working Frequency: High Frequency

Contatar Fornecedor

Membro de Ouro Desde 2022

Fornecedores com licênças comerciais verificadas

Fabricante / Fábrica, Empresa Comercial

Informação Básica.

N ° de Modelo.
TO247 OSG65R074HT3ZF
Structure
Planar
Encapsulation Structure
Chip Transistor
Power Level
High Power
Material
Silicon
Pacote de Transporte
Carton
Especificação
35x30x37cm
Marca Registrada
Orientalsemi
Origem
China
Código HS
8541290000
Capacidade de Produção
Over 1kk/Month

Descrição de Produto


 Descrição geral
O  GreenMOS®    MOSFET de alta tensão  utiliza    tecnologia de equilíbrio de carga  para  obter  uma baixa  de resistência  e  abaixe a  tampa .  Ele  é  projetado  para  minimizar a   perda da condução, fornecem   desempenho de comutação superior  e  robusta   capacidade avalanche.
O  GreenMOS® da  série Z  é  integrado  com  rápida  recuperação do  diodo (DRF) para  minimizar o   tempo de recuperação de ré. Ele  é  adequado  para    topologias de comutação ressonante  para  alcançar  maior  eficiência, maior  confiabilidade  e   fator de forma menor.

Dispõe de
      Baixa  RDS(ligado) &  FOM
      Extremamente  Baixa   perda de comutação
      Excelente  estabilidade  e  homogeneidade

Os pedidos
       Potência do PC
       Fonte de alimentação do servidor  
      Telecom
       Invertor Solar
       Carregador Super  para  automóveis

  Os parâmetros de desempenho chave

O parâmetro Valor Unidade
O VDS, min  @ tj(max) 700 V
ID,  pulso 138 Um
RDS(ligado), Max  @ VGS  =10V 74
Qg 65,7 NC


  As classificações de máximo absoluto  em  tj  = 25 °C,  salvo indicação em  contrário  

O parâmetro Símbolo Valor Unidade
 Tensão da fonte de drenagem O VDS 650 V
 Tensão da fonte de bico valvulado VGS ±30 V
  Corrente de drenagem contínua1), Tc=25 °C
ID
46
Um
  Corrente de drenagem contínua1), TC=100 °C 29
  Corrente de dreno pulsada2), Tc=25 °C ID,  pulso 138 Um
 Diodo contínua   corrente de avanço1), Tc=25 °C É 46 Um
  Corrente impulsada diodo2), Tc=25 °C É, pulso 138 Um
 Dissipação de energia3), Tc=25 °C PD 379 W
   Energia avalanche pulsada única5) O EAS 705 MJ
 Dv/dt MOSFET  robustez, VDS  =0…480 V Dv/dt 50 V/ns
 Díodo de ré  dv/dt, VDS  =0…480 V, DSIID Dv/dt 50 V/ns
   Temperatura de operação e armazenamento Tstg  , TJ -55 a 150 °C


 Características eléctricas  em  tj  = 25 °C,  salvo indicação em  contrário  

O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade  Condição de teste
          Tensão de ruptura de fonte de drenagem
BVDSS
650    
V
VGS  = 0 V, ID  = 1 mA
700     VGS  = 0 V, ID  = 1 mA,
Tj  = 150 °C
 O limiar da porta
A tensão
VGS (TH) 3.0   5.0 V O VDS  =VGS  , ID  =1 mA
Fonte de drenagem
No estado de  resistência

RDS(ligado)
  68 74
VGS  =10 V, ID=23.5  UMA
  178   VGS  =10 V, ID=23,5 A, tj  = 150 °C
Fonte de bico valvulado
 A corrente de fuga

IGSS
    100
América do Norte
VGS  =30 V
    - 100 VGS  =-30 V
Fonte de drenagem
 A corrente de fuga
IDSS     10 ΜA O VDS  =650 V, VGS  = 0 V
 Resistência do Bico Valvulado RG   8.3   Ω Ƒ = 1 MHz, abra o  dreno


  Características de carga da porta

O parâmetro Símbolo Min. Typ. Max. Unidade  Condição de teste
Total de   carga da porta Qg   65,7   NC
VGS  = 10 V,
O VDS  =400 V,
ID=20  A
Porta de  carga da fonte O programa QGS   24.5   NC
Porta de  carga de drenagem Qgd   19.4   NC
  Tensão do planalto de bico valvulado Vplateau   7   V

Nota
1)    Calculados    com base  em corrente contínua a  máxima  admissível de   temperatura da junção.
2) A     classificação de repetitivas; a  largura de pulso  limitada  por  um máximo de  temperatura da junção.
3)    PD  é  baseado  em  um máximo de  temperatura da junção, usando a    resistência térmica da caixa de junção.
4)     O  valor  de  RθJA  é  medido  com  o  dispositivo  montado  no 1 em 2 FR-4 board  com 2oz. Cobre, em  um    ambiente  com ar ainda  Ta = 25 °C.
5)     VDD=100 V, VGS  =10 V, L=80 mH, começando a  tj  = 25 °C.


 Informações de encomenda

Package
Digite
Unidades
O tubo
Costura/    Caixa interior Unidades/    Caixa interior  Caixas interiores/  caixa de papelão   Unidades/     caixa de papelão  
A247-P 30 11 330 6 1980
A247-J 30 20 600 5 3000



 Informações do produto
 
Produto Package Pb  Free RoHS  Livres de halogênio
Gsg65R074A HT3ZF A247 Sim Sim Sim


Cadeia de Fornecimento

O247 Osg65r074ht3zf Vds-700V ID-138A RDS (ON) -74milliohm Qg-65.7nc Solar Invertor Super Charger Power Mosfet



Declaração do Produto verde

O247 Osg65r074ht3zf Vds-700V ID-138A RDS (ON) -74milliohm Qg-65.7nc Solar Invertor Super Charger Power Mosfet
 







 

Envie sua pergunta diretamente para este fornecedor

*De:
*Para:
*Mensagem:

Digite entre 20 a 4000 caracteres.

Isso não é o que você está procurando? Solicitar postagem de fornecimento agora

Encontre Produtos Semelhantes por Categoria

Página Inicial do Fornecedor Produtos GreenMOS Modo de melhoramento do transístor To247 Osg65r074ht3zf VDS-700V ID-138A RDS (LIGADO) - 74 miliohm QG-65.7nc para carregador Super carregador de inversores solares MOSFET de potência N-Channel

Também Pode Gostar

Contatar Fornecedor

Membro de Ouro Desde 2022

Fornecedores com licênças comerciais verificadas

Fabricante / Fábrica, Empresa Comercial
Capital Registrada
10000000 RMB
Área da Planta
501~1000 Metros Quadrados