Osg60r035tt5zf VDS-600V ID-140A RDS(ON) - MOSFET de iluminação LED QG-106nc de 35 miliohm

• Certificação: RoHS, ISO
• Forma: ST
• Tipo de blindagem: Blindagem Tubo Remote-Off Corte
• Método de refrigeração: Air Tubo Refrigerado
• Função: Mudar Transistor
• Freqüência de trabalho: Alta frequência
• N ° de Modelo.: OSG60R035TT5ZF
• Estrutura: planar
• Estrutura encapsulamento: Chip Transistor
• Nível de poder: Alto poder
• Material: Silício
• Pacote de Transporte: Carton
• Especificação: 35x30x35cm
• Marca Registrada: Orientalsemi
• Origem: China
• Código HS: 8541290000
• Capacidade de Produção: Over 1kk/Month

Descrição de Produto

 Descrição Geral
O     MOSFET de alta tensão GreenMOS  utiliza    a tecnologia de equilíbrio de carga  para  alcançar  uma excelente resistência baixa  e   carga de  porta mais baixa .    Foi concebido  para  minimizar   a perda de condução, proporcionar um   desempenho de comutação superior  e    uma robusta capacidade de avalanche.
A   série Z da GreenMOS   está integrada  com    um díodo de recuperação rápida (FRD) para  minimizar   o tempo de recuperação inversa.   É adequado  para    topologias de comutação ressonantes   para alcançar  maior  eficiência, maior  confiabilidade  e fator  de forma menor .


Comodidades
       RDS BAIXO (LIGADO) E  FOM
         Perda de comutação extremamente baixa
      Excelente  estabilidade  e  uniformidade


Aplicações
       Iluminação LED
      Telecom
      Adaptador
      Nunca
      Solar/UPS


Parâmetros de  desempenho chave  

Parâmetro	Valor	Unidade
VDS	600	V
ID , impulso	140	A
RDS (LIGADO), MÁX . @ VGS : 10 V.	35	MΩ
QG	106	NC

Informações de marcação  
 

Nome do produto	Pacote	Marcação
OSG60R035TT5ZF	NÚMERO DE TELEFONE	OSG60R035TT5Z

  As classificações máximas absolutas  a  TJ  são de 25 ° C , salvo  indicação em contrário  

Parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Drenagem - Tensão de origem	VDS	600	V
Porta - tensão de fonte	VGS	± 30	V
Corrente de purga continual1), TC 25 ° C	ID	68	A
Corrente de purga continual1), TC 100 ° C		43
Corrente de purga pulsar2), TC 25 ° C	ID , impulso	140	A
Corrente contínua de avanço de diodos 1), TC 25 ° C	É	68	A
Corrente pulsante de diodos 2), TC 25 ° C	É, impulso	140	A
Dissipação de energia3), TC 25 ° C	PD	350	W
Energia de avalanche pulsada simples 5)	EAS	250	MJ
Robustez MOSFET dv/dt, VDS  … 0 480 V	dv/dt	50	V/ns
Díodo de marcha-atrás  dv/dt, VDS  … 0 480 ≤ V, ISD ID	dv/dt	50	V/ns
Temperatura de funcionamento  e  armazenamento	Tstg , TJ	-55 a 150	° C

 Características térmicas

Parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Resistência térmica, caixa de junção	RθJC	0.36	° C/W
Resistência térmica, junção-ambient4)	RθJA	62	° C/W

 Características eléctricas  a   25 ° C,  excepto  especificação em contrário  

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condição de teste
Drenagem - Tensão         de avaria da fonte	BVDSS	600			V	O VALOR DE VGS  É DE 0 V, COM UMA ID  DE 2 MA
Limite da porta tensão	VGS (TH)	3.0		5.0	V	VDS : VGS , ID : 2 MA
Resistência  de estado ligado da fonte de drenagem	RDS (LIGADO)		32	35	MΩ	VGS : 10 V, ID: 25 A
			78			VGS : 10 V, ID: 25 A,  150 ° C
Gate - fonte  corrente de fuga	IGSS			100	An	VGS : 30 V
				- 100		VGS : -30 V
Fonte de drenagem  corrente de fuga	IDSS			10	μA	VDS : 600 V, VGS : 0 V
Resistência da porta	RG		1.3		Ω	ƒ 1 MHz, dreno aberto

 Características dinâmicas

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condição de teste
Capacidade de entrada	CISS		4180		PF	VGS : 0  V, VDS  50 V, ƒ 100 kHz
Capacidade de saída	COSS		278		PF
Capacidade de transferência inversa	CRSs		5.3		PF
Capacidade de saída efectiva  , relacionada com energia	Co(er)		183		PF	VGS : 0 V,          VDS : 0 V - 400  V
Capacidade de saída efectiva  , relacionada com o tempo	Co (tr)		1060		PF
Tempo  de atraso de activação	td (ligado)		27		ns	VGS : 10 V, VDS  400 V, Ω, ID: 20  A
Tempo de subida	tr		9		ns
Desligar  o tempo de atraso	td (desligado)		79		ns
Tempo de queda	tf		2		ns

  Características de carga da porta

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condição de teste
Carga total  da porta	QG		106		NC	VGS : 10 V, VDS  400 V, ID: 20  A
Gate - carregamento da fonte	QGS		22		NC
Porta - carga de drenagem	QGD		43		NC
Tensão de plateau da porta	Vplatô		6.1		V

  Características do díodo da carroçaria

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condição de teste
Tensão  de avanço do díodo	VSD			1.3	V	É DE 25 A, VGS : 0 V
Tempo de  recuperação inverso	trr		174		ns	VR  DE 400 V, É DE 20 A, Di/dt: 100 A/μs
Carga de  recuperação inversa	QRR		1		UC
Corrente de   recuperação de pico inverso	Irrm		11.4		A

Nota
1)      corrente contínua calculada  com base      na temperatura máxima de junção permitida.
2)     classificação repetitiva;  largura de impulso  limitada  pela   temperatura máx. De junção.
3)    o PD   baseia-se    na temperatura máx. De junção, utilizando    a resistência térmica da caixa de junção.
4)           o valor de RθJA é medido  com  o  dispositivo  montado  numa   placa FR-4 in2  com 2oz. Cobre , num     ambiente de ar imóvel  com  Ta 25 ° C.
5)     VDD: 100 V, VGS : 10 V, L: 80 MH, arranque  TJ : 25 ° C.



Cadeia de fornecimento

Declaração Verde do produto