Pdfn5× 6 FE08R024ugnf Vds-80 ID-520A (RDS) -2.4milliohm Qg-62NF para o Acionador do Motor Carregador Pd Mosfet de Potência

• Certificação: RoHS, ISO
• Forma: ST
• Tipo de blindagem: Afiada Cutoff Tubo Blindagem
• Método de refrigeração: Air Tubo Refrigerado
• Função: Mudar Transistor
• Freqüência de trabalho: Alta frequência
• N ° de Modelo.: SFS08R024UGNF
• Estrutura: planar
• Estrutura encapsulamento: Chip Transistor
• Nível de poder: Alto poder
• Material: Silício
• Marca Registrada: Orientalsemi
• Código HS: 8541290000
• Capacidade de Produção: Over 1kk/Month

Descrição de Produto

 Descrição geral
FSMOS®      é   baseado  na MOSFET   o    dispositivo exclusivo de Semicondutores Orientais  design  para  alcançar   baixas RDS(ligado),  porta de baixa  carga, a  comutação rápida  e  excelentes   características de avalanches. A   quinta  série é  especialmente  concebido  para  utilização  em    sistemas de controle do motor  com o veículo em  andamento  tensão   superior  a 10 V .



Dispõe de
      Baixa  RDS(ligado) &  FOM
      Extremamente  Baixa   perda de comutação
      Excelente  confiabilidade  e  uniformidade
       A comutação rápida  e   recuperação soft



Os pedidos
       Carregador de PD
       Controlador do Motor
        Regulador de tensão de comutação
       Conversor DC-DC
        Fonte de  alimentação de modo de comutação



  Os parâmetros de desempenho chave

O parâmetro	Valor	Unidade
O VDS	80	V
ID,  pulso	520	Um
RDS(ligado), Max  @ VGS  =10V	2.4	MΩ
Qg	62	NC
PD	132	W

  As classificações de máximo absoluto  em  tj  = 25 °C,  salvo indicação em  contrário  

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Tensão da fonte de drenagem	O VDS	80	V
Tensão da fonte de bico valvulado	VGS	±20	V
Corrente de drenagem contínua1), Tc=25 °C	ID	130	Um
Corrente de dreno pulsada2), Tc=25 °C	ID,  pulso	520	Um
Diodo contínua   corrente de avanço1), Tc=25 °C	É	130	Um
Corrente impulsada diodo2), Tc=25 °C	É, pulso	520	Um
Dissipação de energia3), Tc=25 °C	PD	132	W
Energia avalanche pulsada única5)	O EAS	228	MJ
Temperatura de operação e armazenamento	Tstg  , TJ	-55 a 150	°C

 As características térmicas

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Resistência térmica, caso de junção	RθJC	0,94	°C/W
Resistência térmica, cruzamento-ambient4)	RθJA	62	°C/W

 Características eléctricas  em  tj  = 25 °C,  salvo indicação em  contrário  

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Tensão de ruptura de fonte de drenagem	BVDSS	80			V	VGS  = 0 V, ID  =250 μA
O limiar da porta A tensão	VGS (TH)	2		4	V	O VDS  =VGS , ID =250 μA
Fonte de drenagem No estado de  resistência	RDS(ligado)		2	2.4	MΩ	VGS  =10 V, ID=50 UM
Fonte de bico valvulado  A corrente de fuga	IGSS			100	América do Norte	VGS  =20 V
				- 100		VGS  =-20 V
Fonte de drenagem  A corrente de fuga	IDSS			1	ΜA	O VDS  =80 V, VGS  = 0 V
Resistência do Bico Valvulado	RG		2.2		Ω	Ƒ = 1 MHz, abra o  dreno

 Características dinâmicas

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Capacitância de Entrada	Os Ciss		3790		PF	VGS  = 0  V, O VDS  = 25 V, Ƒ=100 kHz
A capacitância de saída	Coss		2203		PF
A capacitância de transferência de ré	Sir		197		PF
Gire o   tempo de atraso	Td(a)		17		Ns	VGS  = 10 V, O VDS  =40V, RG = 2 Ω, ID=20  A
Tempo de elevação	Tr		15		Ns
Tempo de retardo de desligamento	Td(Desligado)		42		Ns
Tempo de queda	Tf		16		Ns

  Características de carga da porta

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Total de   carga da porta	Qg		62		NC	VGS  = 10 V, O VDS  = 40 V, ID=20A
Porta de  carga da fonte	O programa QGS		13		NC
Porta de  carga de drenagem	Qgd		17		NC
Tensão do planalto de bico valvulado	Vplateau		3.8		V

  Características do Diodo do corpo

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Tensão de avanço do diodo	VSD			1.3	V	É=12 A, VGS  = 0 V
Tempo de recuperação de ré	Trr		77		Ns	VR = 40 V, É=20 A, Di/dt = 100 A/μs
Taxa de recuperação de ré	Qrr		1 18		NC
Pico de    corrente de recuperação de ré	Irrm		2.6		Um

Nota
1)    Calculados    com base  em corrente contínua a  máxima  admissível de   temperatura da junção.
2) A     classificação de repetitivas; a  largura de pulso  limitada  por  um máximo de  temperatura da junção.
3)    PD  é  baseado  em  um máximo de  temperatura da junção, usando a    resistência térmica da caixa de junção.
4)     O  valor  de  RθJA   é  medido  com  o  dispositivo  montado  no 1 em2  FR-4 board  com 2oz. Cobre, em  um    ambiente  com ar ainda  Ta = 25 °C.
5)    VDD=50V,VGS=10 V, L=0,3 mH, começando a  tj  = 25 °C.





 

Cadeia de Fornecimento

Declaração do Produto verde