Telecom RoHS energia substituto perfeito para o nitreto de gálio (GAN) Dispositivo em operações de Alta Frequência Super Oss Si65R340jf Pdfn8 x 8 MOSFET

• descrição: perda de comutação extremamente baixa
• características: excelente estabilidade e uniformidade
• aplicações: alimentação do pc
• indústrias: iluminação led
• Pacote de Transporte: Air
• Marca Registrada: Orientalsemiconductor
• N ° de Modelo.: OSS65R340JF PDFN8 X 8
• Origem: China
• Código HS: 854129000
• Capacidade de Produção: 20kkkk/Monthly

Descrição de Produto

  

Descrição geral
O GreenMOS® MOSFET de alta tensão utiliza tecnologia de equilíbrio de carga para obter uma baixa de resistência e abaixe a tampa. Ele é projetado para minimizar a perda da condução, fornecem desempenho de comutação superior e robusta capacidade avalanche.
A série SuperSi GreenMOS® assenta sobre o dispositivo exclusivo de Semicondutores Orientais design para alcançar as características de comutação extremamente rápido. É o substituto perfeito para o nitreto de gálio (GAN) Dispositivo em operações de alta freqüência com maior robustez e custo. Ele é voltado para atender às normas de eficiência energética mais agressiva dos sistemas de alimentação empurrando o desempenho e densidade de potência aos limites extremos.

Dispõe de                                                                                                   

• Baixa RDS(ligado) & FOM
• Extremamente Baixa perda de comutação
• Excelente estabilidade e homogeneidade
• Fácil de projetar em

Os pedidos

• Carregador de PD
• Grande ecrã
• Potência de Telecom
• A energia do servidor

Os parâmetros de desempenho chave

 

O parâmetro	Valor	Unidade
O VDS, min @ tj(max)	700	V
ID, pulso	36	Um
RDS(ligado), Max @ VGS=10V	340	MΩ
Qg	9.6	NC

Marcação de informações

 

Nome do produto	Package	Marcação
O OSS65R340JF	PDFN8×8	O OSS65R340J

As classificações de máximo absoluto em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário
 

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Tensão da fonte de drenagem	O VDS	650	V
Tensão da fonte de bico valvulado	VGS	±30	V
Corrente de drenagem contínua^1), Tc=25 °C	ID	12	Um
Corrente de drenagem contínua^1), TC=100 °C		7.6
Corrente de dreno pulsada^2), Tc=25 °C	ID, pulso	36	Um
Diodo contínua corrente de avanço^1), Tc=25 °C	É	12	Um
Corrente impulsada diodo^2), Tc=25 °C	É, pulso	36	Um
Dissipação de energia^3), Tc=25 °C	PD	83	W
Energia avalanche pulsada única5)	O EAS	200	MJ
Dv/dt MOSFET robustez, VDS=0…480 V	Dv/dt	50	V/ns
Díodo de ré dv/dt, VDS=0…480 V, DSI≤ID	Dv/dt	15	V/ns
Temperatura de operação e armazenamento	Tstg, TJ	-55 a 150	°C

As características térmicas
 

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Resistência térmica, caso de junção	RθJC	1.5	°C/W
Resistência térmica, cruzamento-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Tensão de ruptura de fonte de drenagem	BVDSS	650			V	VGS = 0 V, ID=250 μA
		700				VGS = 0 V, ID=250 μA, tj = 150 °C
Tensão de limiar da porta	VGS (TH)	2.9		3.9	V	O VDS=VGS, ID=250 μA
Fonte de drenagem na resistência do Estado-	RDS(ligado)		0.30	0.34	Ω	VGS=10 V, ID=6 A
			0,73			VGS=10 V, ID=6 A, tj = 150 °C
Gate fonte de corrente de fuga	IGSS			100	América do Norte	VGS=30 V
				-100		VGS = -30 V
Fonte de dreno de corrente de fuga	IDSS			1	ΜA	O VDS=650 V, VGS = 0 V

Características dinâmicas

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Capacitância de Entrada	Os Ciss		443.5		PF	VGS = 0 V, VDS=50 V, ƒ=100 KHz
A capacitância de saída	Coss		59,6		PF
A capacitância de transferência de ré	Sir		1.7		PF
Gire o tempo de atraso	Td(a)		22.4		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=6 A
Tempo de elevação	Tr		17.5		Ns
Tempo de retardo de desligamento	Td(Desligado)		40,3		Ns
Tempo de queda	Tf		7.2		Ns

Características de carga da porta

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Total de carga da porta	Qg		9.6		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=6 A
Porta de carga da fonte	O programa QGS		2.2		NC
Porta de carga de drenagem	Qgd		4.5		NC
Tensão do planalto de bico valvulado	Vplateau		6.5		V

Características do Diodo do corpo

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Tensão de avanço do diodo	VSD			1.3	V	É=12 A, VGS = 0 V
Tempo de recuperação de ré	Trr		236.5		Ns	VR=400 V, é = 6 A, Di/dt = 100 A/μs
Taxa de recuperação de ré	Qrr		2.2		ΜC
Pico de corrente de recuperação de ré	Irrm		19.1		Um

Nota

1. Calculado de corrente contínua com base na temperatura da junção máxima admissível.
2. Classificação repetitivas; a largura de pulso limitada por um máximo de temperatura da junção.
3. Pd é baseado em um máximo de temperatura da junção, usando a resistência térmica da caixa de junção.
4. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado no 1 em 2 FR-4 board com 2oz. Cobre, em um ambiente com ar ainda Ta = 25 °C.
5. VDD=100 V, VGS=10 V, L=60 mH, começando a tj = 25 °C.