descrição: | perda de comutação extremamente baixa |
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características: | excelente estabilidade e uniformidade |
aplicações: | alimentação do pc |
indústrias: | iluminação led |
industriais2: | pwm de comutação dura |
industriais3: | fonte de alimentação do servidor |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
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Nome do produto | Package | Marcação |
Gsg65R038HZF | A247 | Gsg65R038HZ |
O parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
Tensão da fonte de drenagem | O VDS | 650 | V |
Tensão da fonte de bico valvulado | VGS | ±30 | V |
Corrente de drenagem contínua1), Tc=25 °C | ID |
80 | Um |
Corrente de drenagem contínua1), TC=100 °C | 50 | ||
Corrente de dreno pulsada2), Tc=25 °C | ID, pulso | 240 | Um |
Diodo contínua corrente de avanço1), Tc=25 °C | É | 80 | Um |
Corrente impulsada diodo2), Tc=25 °C | É, pulso | 240 | Um |
Dissipação de energia3) ,Tc=25 °C | PD | 500 | W |
Energia avalanche pulsada única5) | O EAS | 2900 | MJ |
Dv/dt MOSFET robustez, VDS=0…480 V | Dv/dt | 100 | V/ns |
Díodo de ré dv/dt, VDS=0…480 V, DSI≤ID | Dv/dt | 50 | V/ns |
Temperatura de operação e armazenamento | Tstg, TJ | -55 a 150 | °C |
O parâmetro | Símbolo | Valor | Unidade |
Resistência térmica, caso de junção | RθJC | 0.25 | °C/W |
Resistência térmica, cruzamento-ambient4) | RθJA | 62 | °C/W |
O parâmetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidade | Condição de teste |
Tensão de ruptura de fonte de drenagem |
BVDSS |
650 | V |
VGS = 0 V, ID=2 mA | ||
700 | 770 | VGS = 0 V, ID=2 mA, tj = 150 °C | ||||
O limiar da porta A tensão |
VGS (TH) | 3.0 | 4.5 | V | O VDS=VGS, ID=2 mA | |
Fonte de drenagem No estado de resistência |
RDS(ligado) |
0,032 | 0,038 | Ω |
VGS=10 V, ID=40 | |
0,083 | VGS=10 V, ID=40 A, tj = 150 °C | |||||
Gate fonte de corrente de fuga | IGSS |
100 | América do Norte |
VGS=30 V | ||
-100 | VGS = -30 V | |||||
Fonte de dreno de corrente de fuga | IDSS | 10 | ΜA | O VDS=650 V, VGS = 0 V | ||
Resistência do Bico Valvulado | RG | 2.1 | Ω | Ƒ = 1 MHz, abra o dreno |
O parâmetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidade | Condição de teste |
Capacitância de Entrada | Os Ciss | 9276 | PF | VGS = 0 V, VDS = 50 V, Ƒ=100 kHz |
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A capacitância de saída | Coss | 486 | PF | |||
A capacitância de transferência de ré | Sir | 12.8 | PF | |||
Saída efectiva capacitância energia relacionada | Co(ER) | 278 | PF | VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V |
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Saída efectiva capacitância hora relativas | Co (tr) | 1477 | PF | |||
Gire o tempo de atraso | Td(a) | 55,9 | Ns | VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40 |
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Tempo de elevação | Tr | 121,2 | Ns | |||
Tempo de retardo de desligamento | Td(Desligado) | 114,2 | Ns | |||
Tempo de queda | Tf | 8.75 | Ns |
O parâmetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidade | Condição de teste |
Total de carga da porta | Qg | 175.0 | NC | VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40 |
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Porta de carga da fonte | O programa QGS | 40.1 | NC | |||
Porta de carga de drenagem | Qgd | 76,1 | NC | |||
Tensão do planalto de bico valvulado | Vplateau | 6.4 | V |
O parâmetro | Símbolo | Min. | Typ. | Max. | Unidade | Condição de teste |
Tensão de avanço do diodo | VSD | 1.3 | V | É=80 A, VGS = 0 V | ||
Tempo de recuperação de ré | Trr | 180 | Ns | É=30 A, Di/dt = 100 A/μs |
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Taxa de recuperação de ré | Qrr | 1.5 | A COMUNICAÇÃO UNIFICADA | |||
Pico de corrente de recuperação de ré | Irrm | 15.2 | Um |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas