Iluminação RoHS Aquecedor e Diodo Corpo robusto Osg90r1K2af para251 Mosfet de Potência

• Manufacturing Technology: Optoelectronic Semiconductor
• Material: Element Semiconductor
• Type: N-type Semiconductor
• Package: SMD
• Signal Processing: Digital
• Application: Television
• N ° de Modelo.: OSG90R1K2AF TO251
• Model: PC817
• Batch Number: 2010+
• Brand: Orimental
• descrição: perda de comutação extremamente baixa
• características: excelente estabilidade e uniformidade
• aplicações: alimentação do pc
• indústrias: iluminação led
• Pacote de Transporte: Air
• Marca Registrada: Orientalsemiconductor
• Origem: China
• Código HS: 854129000
• Capacidade de Produção: 20kkkk/Monthly

Descrição de Produto

Descrição geral
O GreenMOS® MOSFET de alta tensão utiliza tecnologia de equilíbrio de carga para obter uma baixa de resistência e abaixe a tampa. Ele é projetado para minimizar a perda da condução, fornecem desempenho de comutação superior e robusta capacidade avalanche.
O GreenMOS® da série Z é integrado com rápida recuperação do diodo (DRF) para minimizar o tempo de recuperação de ré. Ele é adequado para topologias de comutação ressonante para alcançar maior eficiência, maior confiabilidade e fator de forma menor.

Dispõe de

• Baixa RDS(ligado) & FOM
• Extremamente Baixa perda de comutação
• Excelente estabilidade e homogeneidade
• Ultra-rápido e robusto diodo do corpo

Os pedidos                                                                                             

• Potência do PC
• Potência de Telecom
• A energia do servidor
• Carregador de EV
• Controlador do Motor

Os parâmetros de desempenho chave
 

O parâmetro	Valor	Unidade
O VDS, min @ tj(max)	650	V
ID, pulso	240	Um
RDS(ligado), Max @ VGS=10V	30	MΩ
Qg	178	NC

Marcação de informações
 

Nome do produto	Package	Marcação
Gsg60R030HZF	A247	Gsg60R030HZ

As classificações de máximo absoluto em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário
 

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Tensão da fonte de drenagem	O VDS	600	V
Tensão da fonte de bico valvulado	VGS	±30	V
Corrente de drenagem contínua^1), Tc=25 °C	ID	80	Um
Corrente de drenagem contínua^1), TC=100 °C		50
Corrente de dreno pulsada^2), Tc=25 °C	ID, pulso	240	Um
Diodo contínua corrente de avanço^1), Tc=25 °C	É	80	Um
Corrente impulsada diodo^2), Tc=25 °C	É, pulso	240	Um
Dissipação de energia^3), Tc=25 °C	PD	480	W
Energia avalanche pulsada única5)	O EAS	2500	MJ
Dv/dt MOSFET robustez, VDS=0…480 V	Dv/dt	50	V/ns
Díodo de ré dv/dt, VDS=0…480 V, DSI≤ID	Dv/dt	50	V/ns
Temperatura de operação e armazenamento	Tstg, TJ	-55 a 150	°C

As características térmicas
 

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Resistência térmica, caso de junção	RθJC	0.26	°C/W
Resistência térmica, cruzamento-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Tensão de ruptura de fonte de drenagem	BVDSS	600			V	VGS = 0 V, ID=1 mA
Tensão de limiar da porta	VGS (TH)	3.0		4.5	V	O VDS=VGS, ID=2 mA,
Fonte de drenagem No estado de resistência	RDS(ligado)		0,028	0,030	Ω	VGS=10 V, ID=40
			0,058			VGS=10 V, ID=40 A, tj = 150 °C
Gate fonte de corrente de fuga	IGSS			100	América do Norte	VGS=30 V
				-100		VGS = -30 V
Fonte de dreno de corrente de fuga	IDSS			10	ΜA	O VDS=600 V, VGS = 0 V
Resistência do Bico Valvulado	RG		2.1		Ω	Ƒ = 1 MHz, abra o dreno

Características dinâmicas

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Capacitância de Entrada	Os Ciss		9343		PF	VGS = 0 V, VDS=50 V, ƒ=100 KHz
A capacitância de saída	Coss		708		PF
A capacitância de transferência de ré	Sir		15		PF
Saída efectiva capacitância energia relacionada	Co(ER)		345		PF	VGS = 0 V, VDS = 0 V-400 V
Saída efectiva capacitância hora relativas	Co (tr)		1913		PF
Gire o tempo de atraso	Td(a)		52.1		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=2 Ω, ID=40
Tempo de elevação	Tr		105.2		Ns
Tempo de retardo de desligamento	Td(Desligado)		125,7		Ns
Tempo de queda	Tf		4.1		Ns

Características de carga da porta

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Total de carga da porta	Qg		177.9		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40
Porta de carga da fonte	O programa QGS		37,4		NC
Porta de carga de drenagem	Qgd		78,4		NC
Tensão do planalto de bico valvulado	Vplateau		6.2		V

Características do Diodo do corpo

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Tensão de avanço do diodo	VSD			1.4	V	É=80 A, VGS = 0 V
Tempo de recuperação de ré	Trr		186,6		Ns	É=40 A, Di/dt = 100 A/μs
Taxa de recuperação de ré	Qrr		1.6		ΜC
Pico de corrente de recuperação de ré	Irrm		15.4		Um

Nota

1. Calculado de corrente contínua com base na temperatura da junção máxima admissível.
2. Classificação repetitivas; a largura de pulso limitada por um máximo de temperatura da junção.
3. Pd é baseado em um máximo de temperatura da junção, usando a resistência térmica da caixa de junção.
4. VDD=100 V, VGS=10 V, L=80 mH, começando a tj = 25 °C.