Potência do servidor Osg90r1K2FF To220f Conversor de retorno Aux VDS, min @ TJ (máx.) 900 V 38mΩ MOSFET de potência

• Manufacturing Technology: Optoelectronic Semiconductor
• Material: Element Semiconductor
• Type: N-type Semiconductor
• Package: SMD
• Signal Processing: Analog Digital Composite and Function
• Application: Temperature Measurement
• N ° de Modelo.: OSG90R1K2FF TO220F
• Model: ULN2003
• Batch Number: 2010+
• Brand: Semi Oriental
• descrição: perda de comutação extremamente baixa
• características: excelente estabilidade e uniformidade
• aplicações: alimentação do pc
• indústrias: iluminação led
• Pacote de Transporte: Air
• Marca Registrada: Orientalsemiconductor
• Origem: China
• Código HS: 854129000
• Capacidade de Produção: 20kkkk/Monthly

Descrição de Produto

Descrição Geral
OSG90R1K2xF utiliza tecnologia GreenMOSTM avançada para fornecer RDS (LIGADO) baixo, carga de porta baixa, comutação rápida e excelentes características de avalanche. Este dispositivo é adequado para aplicações de alimentação de modo de comutação e correcção do factor de potência activo.


Comodidades                                         Aplicações

1. RDS baixo (ligado) e                                              iluminação FOM
2.                               Perda de comutação extremamente baixa PWM de comutação dura
3. Excelente estabilidade e uniformidade               Fonte de alimentação do servidor
4. Fácil de conduzir                              Carregador

Parâmetros de desempenho chave
 

1. 1. As classificações máximas absolutas em TJ 25ºC, salvo indicação em contrário

 

Parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Voltagem da fonte de drenagem	VDS	900	V
Tensão da fonte da porta	VGS	± 30	V
Corrente de purga continual1^), TC 25 ºC	ID	5	A
Corrente de purga continual1^), TC 100 ºC		3.2
Corrente de purga pulsar2^), TC 25 ºC	ID, impulso	15	A
Dissipação de energia3) para TO251, TO262, TC 25 ºC	PD	83	W
Dissipação de energia3^) para TO220F, TC de 25 ºC		31
Energia de avalanche pulsada simples 5)	EAS	211	MJ
Robustez MOSFET dv/dt, VDS … 0 480 V	dv/dt	50	V/ns
Díodo de marcha-atrás dv/dt, VDS … 0 480 ≤ V, ISD ID	dv/dt	15	V/ns
Temperatura de funcionamento e armazenamento	Tstg, TJ	-55 a 150	ºC

 

 

1. &bsp; características térmicas

 

Parâmetro	Símbolo	Valor		Unidade
		TO251/TO262	TO220F
Resistência térmica, caixa de junção	RθJC	1.5	4.0	ºC/W
Resistência térmica, junção-ambient4)	RθJA	62	62.5	ºC/W

1. Características eléctricas no TJ 25 ºC, salvo especificação em contrário

 

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condição de teste
Drenagem - Tensão de avaria da fonte	BVDSS	900			V	VGS 250 0 V, ID: ΜA
		960	1070			VGS 250 0 V, ID ΜA, 150 ºC
Tensão limite da porta	VGS (TH)	2.0		4.0	V	VDS 250 VGS, ID: ΜA
Resistência de estado ligado da fonte de drenagem	RDS (LIGADO)		1.0	1.2	Ω	VGS: 10 V, ID: 2 A.
			2.88			VGS: 10 V, ID: 2 A, 150 ºC
Porta - corrente de fuga da fonte	IGSS			100	An	VGS: 30 V
				-100		VGS: -30 V
Corrente de fuga da fonte de drenagem	IDSS			10	μA	VDS: 900 V, VGS: 0 V

1. Características dinâmicas

 

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condição de teste
Capacidade de entrada	CISS		874.2		PF	VGS: 0 V, VDS: 50 V, f: 100 kHz
Capacidade de saída	COSS		37.5		PF
Capacidade de transferência inversa	CRSs		1.7		PF
Tempo de atraso de activação	td (ligado)		33.23		ns	VGS: 10 V, VDS: 400 V, RG 33 Ω, ID: 5 A
Tempo de subida	tr		26.50		ns
Desligar o tempo de atraso	td (desligado)		44.00		ns
Tempo de queda	tf		17.63		ns

 

 

1. Características de carga da porta

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condição de teste
Carga total da porta	QG		12.50		NC	O VDS É DE 400 V E O VGS É DE 10 V
Gate - carregamento da fonte	QGS		3.75		NC
Porta - carga de drenagem	QGD		4.28		NC
Tensão de plateau da porta	Vplatô		5.8		V

1. Características do díodo da carroçaria

 

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condição de teste
Corrente de avanço do díodo	É			5	A	VGS < Vth
Corrente de fonte pulsatória	ISP			15
Tensão de avanço do díodo	VSD			1.3	V	O VEÍCULO ESTÁ A SER DE 5 A E O VEÍCULO ESTÁ A SER DE 0 V.
Tempo de recuperação inverso	trr		265.87		ns	400 V, 5 A, Di/dt: 100 A/μs
Carga de recuperação inversa	QRR		2.88		μC
Corrente de recuperação de pico inverso	Irrm		19.51		A

1. Nota

 

1. Corrente contínua calculada com base na temperatura máxima de junção permitida.
2. Classificação repetitiva; largura de impulso limitada pela temperatura máx. De junção.
3. O PD baseia-se na temperatura máx. De junção, utilizando a resistência térmica da caixa de junção.
4. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado numa placa de 1 em 2 FR-4 com 2 oz. Cobre, num ambiente de ar imóvel com Ta 25 ºC.
5. VDD 100 47 V, RG Ω 10, L 25 ºC MH, arranque TJ:.

Informações de marcação
 

Nome do produto	Pacote	Marcação
OSG65R038HZF	TO247	OSG65R038HZ

As classificações máximas absolutas a TJ são de 25 ° C, salvo indicação em contrário
 

Parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Drenagem - Tensão de origem	VDS	650	V
Porta - tensão de fonte	VGS	± 30	V
Corrente de purga continual1^), TC 25 ° C	ID	80	A
Corrente de purga continual1^), TC 100 ° C		50
Corrente de purga pulsar2^), TC 25 ° C	ID, impulso	240	A
Corrente contínua de avanço de diodos 1^), TC 25 ° C	É	80	A
Corrente pulsante de diodos 2^), TC 25 ° C	É, impulso	240	A
Dissipação de energia3^) , TC 25  ° C	PD	500	W
Energia de avalanche pulsada simples 5)	EAS	2900	MJ
Robustez MOSFET dv/dt, VDS … 0 480 V	dv/dt	100	V/ns
Díodo de marcha-atrás dv/dt, VDS … 0 480 ≤ V, ISD ID	dv/dt	50	V/ns
Temperatura de funcionamento e armazenamento	Tstg, TJ	-55 a 150	° C

Características térmicas
 

Parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Resistência térmica, caixa de junção	RθJC	0.25	° C/W
Resistência térmica, junção-ambient4)	RθJA	62	° C/W

Características eléctricas a 25 ° C, excepto especificação em contrário

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condição de teste
Drenagem - Tensão de avaria da fonte	BVDSS	650			V	O VALOR DE VGS É DE 0 V, COM UMA ID DE 2 MA
		700	770			VGS: 0 V, ID: 2 mA, TJ: 150 ° C
Limite da porta tensão	VGS (TH)	3.0		4.5	V	VDS: VGS, ID: 2 MA
Fonte de drenagem resistência no estado ligado	RDS (LIGADO)		0.032	0.038	Ω	VGS: 10 V, ID: 40 A
			0.083			VGS: 10 V, ID: 40 A, TJ: 150 ° C
Porta - corrente de fuga da fonte	IGSS			100	An	VGS: 30 V
				-100		VGS: -30 V
Corrente de fuga da fonte de drenagem	IDSS			10	μA	VDS: 650 V, VGS: 0 V
Resistência da porta	RG		2.1		Ω	ƒ 1 MHz, dreno aberto

Características dinâmicas

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condição de teste
Capacidade de entrada	CISS		9276		PF	VGS: 0 V, VDS: 50 V, ƒ 100 kHz
Capacidade de saída	COSS		486		PF
Capacidade de transferência inversa	CRSs		12.8		PF
Capacidade de saída efectiva, relacionada com energia	Co(er)		278		PF	VGS: 0 V, VDS: 0 V - 400 V
Capacidade de saída efectiva, relacionada com o tempo	Co (tr)		1477		PF
Tempo de atraso de activação	td (ligado)		55.9		ns	VGS: 10 V, VDS: 400 V, RG Ω 2 40, ID: A
Tempo de subida	tr		121.2		ns
Desligar o tempo de atraso	td (desligado)		114.2		ns
Tempo de queda	tf		8.75		ns

Características de carga da porta

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condição de teste
Carga total da porta	QG		175.0		NC	VGS: 10 V, VDS: 400 V, ID: 40 A
Gate - carregamento da fonte	QGS		40.1		NC
Porta - carga de drenagem	QGD		76.1		NC
Tensão de plateau da porta	Vplatô		6.4		V

Características do díodo da carroçaria

Parâmetro	Símbolo	Mín.	Típ.	Máx.	Unidade	Condição de teste
Tensão de avanço do díodo	VSD			1.3	V	É DE 80 A, VGS: 0 V
Tempo de recuperação inverso	trr		180		ns	É DE 30 A, Di/dt: 100 A/μs
Carga de recuperação inversa	QRR		1.5		UC
Corrente de recuperação de pico inverso	Irrm		15.2		A

Nota

1. Corrente contínua calculada com base na temperatura máxima de junção permitida.
2. Classificação repetitiva; largura de impulso limitada pela temperatura máx. De junção.
3. O PD baseia-se na temperatura máx. De junção, utilizando a resistência térmica da caixa de junção.
4. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado numa placa de 1 em 2 FR-4 com 2 oz. Cobre, num ambiente de ar imóvel com Ta 25 ° C.
5. VDD: 300 V, VGS: 10 V, L: 40 MH, arranque TJ: 25 ° C.