• Excelente estabilidade e uniformidade para247-F 800W Ost75N65hsmf 30V Fabricante Trident Gate transistor bipolar
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Excelente estabilidade e uniformidade para247-F 800W Ost75N65hsmf 30V Fabricante Trident Gate transistor bipolar

Aplicação: Medição de Temperatura
Número do lote: 2010+
Tecnologia de Manufatura: Dispositivo discreto
Material: Semicondutor de Elemento
Model: ULN2003
Pacote: Pacote de Dupla Linha (DIP)

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Fabricante / Fábrica, Empresa Comercial

Informação Básica.

N ° de Modelo.
OST75N65HSMF
Processamento de Sinal
Simulação
Tipo
Semicondutor do Tipo N
marca
semi-oriental
Pacote de Transporte
Carton
Especificação
35x30x37cm
Marca Registrada
semi-oriental
Origem
China
Código HS
8541290000
Capacidade de Produção
Over 1kk/Month

Descrição de Produto

Descrição geral
OST75N65HSMF utiliza a avançada tecnologia patenteada do Oriental-Semi Trident-Gate transistor bipolar (TGBTTM) de tecnologia para fornecer extremamente baixo VCE(sat), porta de baixa carga e excelente desempenho de comutação. Este equipamento é adequado para meados de conversores de frequência de comutação de gama alta.


Dispõe de
 A tecnologia TGBTTM avançada
Excelente condução e perda de comutação
Excelente estabilidade e homogeneidade
Diodo antiparalelos suave e rápido


Os pedidos
Conversores de indução
Fontes de alimentação ininterrupta

To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Trident Gate Bipolar Transistor IGBT

To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Trident Gate Bipolar Transistor IGBT

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Cadeia de Fornecimento

To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Trident Gate Bipolar Transistor IGBT



Declaração do Produto verde

To247-F 800W Ost75n65hsmf 30V Trident Gate Bipolar Transistor IGBT
 







 

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Capital Registrada
10000000 RMB
Área da Planta
501~1000 Metros Quadrados