Fast EV Charing Pilhas 3 Fase para247 Power Viena Topologia Pfc Osg65R035IC fonte MOSFET de semicondutores de Alta Tensão

• descrição: perda de comutação extremamente baixa
• características: excelente estabilidade e uniformidade
• aplicações: alimentação do pc
• indústrias: iluminação led
• digite: estação de carregamento rápido de ev
• certificação: ISO, TUV, RoHS
• N ° de Modelo.: OSG65R035HF
• garantia: 24 meses
• Pacote de Transporte: Carton
• Especificação: 35x30x37cm
• Marca Registrada: Orientalsemiconductor
• Origem: China
• Código HS: 854129000
• Capacidade de Produção: 20kkkk/Monthly

Descrição de Produto

Descrição geral
O GreenMOS® MOSFET de alta tensão utiliza tecnologia de equilíbrio de carga para obter uma baixa de resistência e abaixe a tampa. Ele é projetado para minimizar a perda da condução, fornecem desempenho de comutação superior e robusta capacidade avalanche.
O GreenMOS® série genérico é otimizado para desempenho de comutação extremas para minimizar a perda de comutação. Ele é adequado para aplicações de alta densidade de energia para satisfazer as mais elevadas normas de eficiência energética.

Dispõe de                                                                                                    

• Baixa RDS(ligado) & FOM
• Extremamente Baixa perda de comutação
• Excelente estabilidade e homogeneidade

Os pedidos

• Potência do PC
• Iluminação de LED
• Potência de Telecom
• A energia do servidor
• Carregador de EV
• A Solar/UPS
•  
• Os parâmetros de desempenho chave
•  

  O parâmetro	Valor	Unidade
  O VDS, min @ tj(max)	700	V
  ID, pulso	240	Um
  RDS(ligado) , max @ VGS=10V	35	MΩ
  Qg	153,6	NC

  
  Marcação de informações
   

  Nome do produto	Package	Marcação
  Gsg65R035HTF	A247	Gsg65R035A HT

As classificações de máximo absoluto em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário
 

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Tensão da fonte de drenagem	O VDS	650	V
Tensão da fonte de bico valvulado	VGS	±30	V
Corrente de drenagem contínua^1), Tc=25 °C	ID	80	Um
Corrente de drenagem contínua^1), TC=100 °C		50
Corrente de dreno pulsada^2), Tc=25 °C	ID, pulso	240	Um
Diodo contínua corrente de avanço^1), Tc=25 °C	É	80	Um
Corrente impulsada diodo^2), Tc=25 °C	É, pulso	240	Um
Dissipação de energia^3) Tc=25 °C	PD	455	W
Energia avalanche pulsada única5)	O EAS	1700	MJ
Dv/dt MOSFET robustez, VDS=0…480 V	Dv/dt	50	V/ns
Díodo de ré dv/dt, VDS=0…480 V, DSI≤ID	Dv/dt	15	V/ns
Temperatura de operação e armazenamento	Tstg, TJ	-55 a 150	°C

As características térmicas
 

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Resistência térmica, caso de junção	RθJC	0.27	°C/W
Resistência térmica, cruzamento-ambient4)	RθJA	62	°C/W

Características eléctricas em tj = 25 °C, salvo indicação em contrário

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Tensão de ruptura de fonte de drenagem	BVDSS	650			V	VGS = 0 V, ID=2 mA
		700				VGS = 0 V, ID=2 mA, tj = 150 °C
Tensão de limiar da porta	VGS (TH)	2.8		4.0	V	O VDS=VGS, ID=2 mA
Fonte de drenagem na resistência do Estado-	RDS(ligado)		0,028	0,035	Ω	VGS=10 V, ID=40
			0.075			VGS=10 V, ID=40 A, tj = 150 °C
Gate fonte de corrente de fuga	IGSS			100	América do Norte	VGS=30 V
				-100		VGS = -30 V
Fonte de dreno de corrente de fuga	IDSS			5	ΜA	O VDS=650 V, VGS = 0 V
Resistência do Bico Valvulado	RG		2.4		Ω	Ƒ= 1 MHz, abra o dreno

Características dinâmicas

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Capacitância de Entrada	Os Ciss		7549.2		PF	VGS = 0 V, VDS = 50 V, Ƒ=100 kHz
A capacitância de saída	Coss		447.1		PF
A capacitância de transferência de ré	Sir		13.2		PF
Gire o tempo de atraso	Td(a)		52,3		Ns	VGS=10 V, VDS=400 V, RG=5 Ω, ID=40
Tempo de elevação	Tr		86,8		Ns
Tempo de retardo de desligamento	Td(Desligado)		165.2		Ns
Tempo de queda	Tf		8.5		Ns

Características de carga da porta

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Total de carga da porta	Qg		153,6		NC	VGS=10 V, VDS=400 V, ID=40
Porta de carga da fonte	O programa QGS		41,8		NC
Porta de carga de drenagem	Qgd		50.2		NC
Tensão do planalto de bico valvulado	Vplateau		5.8		V

Características do Diodo do corpo

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Tensão de avanço do diodo	VSD			1.3	V	É=80 A, VGS = 0 V
Tempo de recuperação de ré	Trr		566.1		Ns	VR=400V, É=40 A, Di/dt = 100 A/μs
Taxa de recuperação de ré	Qrr		13.2		ΜC
Pico de corrente de recuperação de ré	Irrm		45,9		Um

Nota

1. Calculado de corrente contínua com base na temperatura da junção máxima admissível.
2. Classificação repetitivas; a largura de pulso limitada por um máximo de temperatura da junção.
3. Pd é baseado em um máximo de temperatura da junção, usando a resistência térmica da caixa de junção.
4. O valor de RθJA é medido com o dispositivo montado no 1 em 2 FR-4 board com 2oz. Cobre, em um ambiente com ar ainda Ta = 25 °C.
5. VDD=100 V, VGS=10 V, L=60 mH, começando a tj = 25 °C.