Melhoramento do transistor para220 Sfg110N12PF Vds-120V-330ID UM RDS (A) -6.5milliohm-68.9Qg nf para protecção da bateria Inversor Solar N Canais Mosfet de Potência

• Certification: RoHS, ISO
• Shape: Metal Porcelain Tube
• Shielding Type: Sharp Cutoff Shielding Tube
• Cooling Method: Air Cooled Tube
• Function: Switch Transistor
• Working Frequency: High Frequency
• N ° de Modelo.: TO220 SFG110N12PF
• Structure: Planar
• Encapsulation Structure: Chip Transistor
• Power Level: High Power
• Material: Silicon
• Pacote de Transporte: Carton
• Especificação: 35cm x 37cm x 30cm
• Marca Registrada: Orientalsemi
• Código HS: 8541290000
• Capacidade de Produção: Over 1kk/Month

Descrição de Produto

 Descrição geral
 MOSFET SFGMOS®  é  baseado  no     dispositivo exclusivo do semicondutor orientais  design  para  alcançar  baixas RDS(ligado),   porta de baixa  carga, a  comutação rápida  e  excelentes    características de avalanches. A    quinta série  é  especialmente  optimizados  para   sistemas de alta     tensão de condução com a tampa  superior  a 10 V.

Dispõe de
      Baixa  RDS(ligado) &  FOM
      Extremamente  Baixa   perda de comutação
      Excelente  estabilidade  e  homogeneidade
       A comutação rápida  e   recuperação soft

Os pedidos
        Fonte de alimentação comutada  
       Controlador do Motor
       Protecção da bateria
       Conversor DC-DC
       Inversor de energia solar
         Inversor de energia e UPS

  Os parâmetros de desempenho chave

O parâmetro	Valor	Unidade
O VDS, min  @ tj(max)	120	V
ID,  pulso	330	Um
RDS(ligado), Max  @ VGS  =10V	6.5	MΩ
Qg	68,9	NC

  As classificações de máximo absoluto  em  tj  = 25 °C,  salvo indicação em  contrário  

 

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Tensão da fonte de drenagem	O VDS	120	V
Tensão de origem da porta	VGS	±20	V
Corrente de drenagem contínua1), Tc=25 °C	ID	110	Um
Corrente de dreno pulsada2), Tc=25 °C	ID,  pulso	330	Um
Diodo contínua   corrente de avanço1), Tc=25 °C	É	110	Um
Corrente impulsada diodo2), Tc=25 °C	É, pulso	330	Um
Dissipação de energia3), Tc=25 °C	PD	192	W
Energia avalanche pulsada única5)	O EAS	400	MJ
Temperatura de operação e armazenamento	Tstg  ,TJ	-55 a 150	°C

 As características térmicas
 

O parâmetro	Símbolo	Valor	Unidade
Resistência térmica, caso de junção	RθJC	0,65	°C/W
Resistência térmica, cruzamento-ambient4)	RθJA	62	°C/W

 Características eléctricas  em  tj  = 25 °C,  salvo indicação em  contrário  
 

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Tensão de ruptura de fonte de drenagem	BVDSS	120			V	VGS  = 0 V, ID  =250 μA
O limiar da porta A tensão	VGS (TH)	2.0		4.0	V	O VDS  =VGS , ID =250 μA
Fonte de drenagem No estado de  resistência	RDS(ligado)		5.0	6.5	MΩ	VGS  =10 V, ID=30
Fonte de bico valvulado  A corrente de fuga	IGSS			100	América do Norte	VGS  =20 V
				- 100		VGS  =-20 V
Fonte de drenagem  A corrente de fuga	IDSS			1	ΜA	O VDS  =120 V, VGS  = 0 V

 Características dinâmicas
 

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Capacitância de Entrada	Os Ciss		5823		PF	VGS  = 0  V, O VDS  = 50 V, Ƒ=100 kHz
A capacitância de saída	Coss		779		PF
A capacitância de transferência de ré	Sir		17.5		PF
Gire o   tempo de atraso	Td(a)		30.3		Ns	VGS  = 10 V, O VDS  = 50 V, RG = 2 Ω, ID=25  UM
Tempo de elevação	Tr		33		Ns
Tempo de retardo de desligamento	Td(Desligado)		59,5		Ns
Tempo de queda	Tf		11.7		Ns

  Características de carga da porta
 

O parâmetro	Símbolo	Min.	Typ.	Max.	Unidade	Condição de teste
Total de   carga da porta	Qg		68,9		NC	VGS  = 10 V, O VDS  = 50 V, ID=25  UM
Porta de  carga da fonte	O programa QGS		18.1		NC
Porta de  carga de drenagem	Qgd		15.9		NC
Tensão do planalto de bico valvulado	Vplateau		4.8		V

 

Nota
1)    Calculados    com base  em corrente contínua a  máxima  admissível de   temperatura da junção.
2) A     classificação de repetitivas; a  largura de pulso  limitada  por  um máximo de  temperatura da junção.
3)    PD  é  baseado  em  um máximo de  temperatura da junção, usando a    resistência térmica da caixa de junção.
4)     O  valor  de  RθJA  é  medido  com  o  dispositivo  montado  no 1 em 2 FR-4 board  com 2oz. Cobre, em  um    ambiente  com ar ainda  Ta = 25 °C.
5)     VDD=50 V,VGS=10 V, L=0,3 mH, começando a  tj  = 25 °C.

 Informações de encomenda

Package Digite	Unidades O tubo	Tubos  /    Caixa interior	Unidades/    Caixa interior	Caixas interiores/  caixa de papelão	Unidades/     caixa de papelão
A220-C	50	20	1000	6	6000
A220-J	50	20	1000	5	5000

 Informações do produto
 

Produto	Package	Pb  Free	RoHS	Livres de halogênio
SFG110N12PF	A220	Sim	Sim	Sim

Cadeia de Fornecimento

Declaração do Produto verde