Sensor/transdutor de corrente da série HS10r-a-P.

• Tipo: Tipo Hall
• Tipo de saída de sinal: Saída Analógica
• Processo De Produção: Integração
• Material: Plástico
• Precisão Grau: 0,1G
• Aplicação: Fonte de alimentação
• N ° de Modelo.: HS10R
• Personalizado: Personalizado
• Pacote de Transporte: Carton
• Especificação: 38.5*22*24.6cm
• Marca Registrada: TRANSFAR
• Origem: China
• Código HS: 9030339000
• Capacidade de Produção: 100000 Pieces Per Year

Descrição de Produto

SENSOR/TRANSDUTOR DE CORRENTE DA SÉRIE HS10R-A-P.


DESCRIÇÃO:

Para a medição electrónica da corrente: DC, AC, pulsado..., com separação galvânica entre o circuito primário e o circuito secundário.

CARACTERÍSTICAS:

 Circuito aberto utilizando o efeito Hall ASIC  
 Separação galvânica entre o circuito primário e o circuito secundário
 Baixo consumo de energia
 Vasta gama
 Sem perda de inserção
 Matérias-primas reconhecidas de acordo com a norma UL 94-V0


APLICAÇÕES:

  Inversor fotovoltaico
  Fonte de alimentação ininterrupta (UPS)
  Conversor estático accionado pelo motor de corrente contínua em corrente contínua (DC)
  Fonte de alimentação de comutação (SMPS)
  Fontes de alimentação para aplicações de soldadura


LISTA DE MODELOS:

MODELO do produto
Modelo	Corrente de entrada nominal IPN (A)	Gama de medição IPM (A)
HS10R-10A-P	10	± 25
HS10R-16A-P	16	± 40
HS10R-20A-P	20	± 50
HS10R-32A-P	32	± 80
HS10R-40A-P	40	± 100
HS10R-50A-P	50	± 125

ESPECIFICAÇÃO HS10R-10A-P.

Parâmetro	Símbolo	Unidade	Mín	Típ	Máx	Observações
Dados elétricos
Gama de medição de corrente primária	IPN	A	-10		10
Tensão de alimentação	VC	V	4.5	5.0	5.5
Tensão de saída	VOUT	V	VOUT: (VC/5) x (2.5 GTH x IPN)			@ VC
Tensão de saída zero	VQOV	V	2.495	2.5	2.505	@ V: 5 e  IPN: 0A
Tensão de referência	VREF	V	2.48	2.5	2.52
Ganho teórico	GTH	MV/A		80
Consumo de corrente	IC	MA	-	18	25
Resistência de carga	RL	kΩ	5	-	ilimitado	@ VOUT para GND
Capacidade de carga	C2	NF	-	1	10
Condensador do filtro de potência	C1	µF	-	-	0.1
Dados de desempenho
Erro de ganho	G	%	-1		1
Erro de desvio de temperatura do ganho	TCG	%	-2,5		2.5	@ TA-40ºC ~ 105ºC
Tensão de desvio zero	VOE	MV	-5		5	VOUT-Vref @ Vref 0
Desvio de temperatura de erro zero	TCVOE	MV	-12		12	@ TA-40ºC ~ 105ºC
Tensão de desvio magnético	VOM	MV		± 2		@ TA 25 @ ± VC 5 V após IPN
Erro não linear	L	%  de IPN	-0,5		0.5	Excluir VOE zero
Tempo de resposta	tr	µs		3.6	-	@ Bstep: 400G, CL: 1nF
Largura de banda (-3dB)	PRETO E BRANCO	KHz		200
Mudança de fase	∅	grau		-
Ruído de saída	VNO pp	MV		10		@ DC a 200 KHZ
Dados gerais
Temperatura ambiente de funcionamento	TA	ºC	- 40 …
Temperatura ambiente de armazenamento	TS	ºC	- 55 …
Massa	m	g	aprox. 5

ESPECIFICAÇÃO HS10R-16A-P.

Parâmetro	Símbolo	Unidade	Mín	Típ	Máx	Observações
Dados elétricos
Gama de medição de corrente primária	IPN	A	-16		16
Tensão de alimentação	VC	V	4.5	5.0	5.5
Tensão de saída	VOUT	V	VOUT: (VC/5) x (2.5 GTH x IPN)			@ VC
Tensão de saída zero	VQOV	V	2.495	2.5	2.505	@ V: 5 e  IPN: 0A
Tensão de referência	VREF	V	2.48	2.5	2.52
Ganho teórico	GTH	MV/A		50
Consumo de corrente	IC	MA	-	18	25
Resistência de carga	RL	kΩ	5	-	ilimitado	@ VOUT para GND
Capacidade de carga	C2	NF	-	1	10
Condensador do filtro de potência	C1	µF	-	-	0.1
Dados de desempenho
Erro de ganho	G	%	-1		1
Erro de desvio de temperatura do ganho	TCG	%	-2,5		2.5	@ TA-40ºC ~ 105ºC
Tensão de desvio zero	Voe	MV	-5		5	VOUT-Vref @ Vref 0
Desvio de temperatura de erro zero	TCVOE	MV	-12		12	@ TA-40ºC ~ 105ºC
Tensão de desvio magnético	VOM	MV		± 2		@ TA 25 @ ± VC 5 V após IPN
Erro não linear	L	% de IPN	-0,5		0.5	Excluir VOE zero
Tempo de resposta	tr	µs		3.6	-	@ Bstep: 400G, CL: 1nF
Largura de banda (-3dB)	PRETO E BRANCO	KHz		200
Mudança de fase	∅	grau		-
Ruído de saída	VNO pp	MV		10		@ DC a 200 KHZ
Dados gerais
Temperatura ambiente de funcionamento	TA	ºC	- 40 …
Temperatura ambiente de armazenamento	TS	ºC	- 55 …
Massa	m	g	aprox. 5

ESPECIFICAÇÃO HS10R-20A-P.

Parâmetro	Símbolo	Unidade	Mín	Típ	Máx	Observações
Dados elétricos
Gama de medição de corrente primária	IPN	A	-20		20
Tensão de alimentação	VC	V	4.5	5.0	5.5
Tensão de saída	VOUT	V	VOUT: (VC/5) x (2.5 GTH x IPN)			@ VC
Tensão de saída zero	VQOV	V	2.495	2.5	2.505	@ V: 5 e  IPN: 0A
Tensão de referência	VREF	V	2.48	2.5	2.52
Ganho teórico	GTH	MV/A		40
Consumo de corrente	IC	MA	-	18	25
Resistência de carga	RL	kΩ	5	-	ilimitado	@ VOUT para GND
Capacidade de carga	C2	NF	-	1	10
Condensador do filtro de potência	C1	µF	-	-	0.1
Dados de desempenho
Erro de ganho	G	%	-1		1
Erro de desvio de temperatura do ganho	TCG	%	-2,5		2.5	@ TA-40ºC ~ 105ºC
Tensão de desvio zero	VOE	MV	-5		5	VOUT-Vref @ Vref 0
Erro de desvio de temperatura de zero	TCVOE	MV	-12		12	@ TA-40ºC ~ 105ºC
Tensão de desvio magnético	VOM	MV		± 2		@ TA 25 @ ± VC 5 V após IPN
Erro não linear	L	% de IPN	-0,5		0.5	Excluir  VOE zero
Tempo de resposta	tr	µs		3.6	-	@ Bstep: 400G, CL: 1nF
Largura de banda (-3dB)	PRETO E BRANCO	KHz		200
Mudança de fase	∅	grau		-
Ruído de saída	VNO pp	MV		10		@ DC a 200 KHZ
Dados gerais
Temperatura ambiente de funcionamento	TA	ºC	- 40 …
Temperatura ambiente de armazenamento	TS	ºC	- 55 …
Massa	m	g	aprox. 5

ESPECIFICAÇÃO HS10R-32A-P.

Parâmetro	Símbolo	Unidade	Mín	Típ	Máx	Observações
Dados elétricos
Gama de medição de corrente primária	IPN	A	-32		32
Tensão de alimentação	VC	V	4.5	5.0	5.5
Tensão de saída	VOUT	V	VOUT: (VC/5) x (2.5 GTH x IPN)			@ VC
Tensão de saída zero	VQOV	V	2.495	2.5	2.505	@ V: 5 e  IPN: 0A
Tensão de referência	VREF	V	2.48	2.5	2.52
Ganho teórico	GTH	MV/A		25
Consumo de corrente	IC	MA	-	18	25
Resistência de carga	RL	kΩ	5	-	ilimitado	@ VOUT para GND
Capacidade de carga	C2	NF	-	1	10
Condensador do filtro de potência	C1	µF	-	-	0.1
Dados de desempenho
Erro de ganho	G	%	-1		1
Erro de desvio de temperatura do ganho	TCG	%	-2,5		2.5	@ TA-40ºC ~ 105ºC
Tensão de desvio zero	VOE	MV	-5		5	VOUT-Vref @ Vref 0
Erro de desvio de temperatura de zero	TCVOE	MV	-12		12	@ TA-40ºC ~ 105ºC
Tensão de desvio magnético	VOM	MV		± 2		@ TA 25 @ ± VC 5 V após IPN
Erro não linear	L	% de IPN	-0,5		0.5	Excluir  VOE zero
Tempo de resposta	tr	µs		3.6	-	@ Bstep: 400G, CL: 1nF
Largura de banda (-3dB)	PRETO E BRANCO	KHz		200
Mudança de fase	∅	grau		-
Ruído de saída	VNO pp	MV		10		@ DC a 200 KHZ
Dados gerais
Temperatura ambiente de funcionamento	TA	ºC	- 40 …
Temperatura ambiente de armazenamento	TS	ºC	- 55 …
Massa	m	g	aprox. 5

ESPECIFICAÇÃO HS10R-40A-P.

Parâmetro	Símbolo	Unidade	Mín	Típ	Máx	Observações
Dados elétricos
Gama de medição de corrente primária	IPN	A	-40		40
Tensão de alimentação	VC	V	4.5	5.0	5.5
Tensão de saída	VOUT	V	VOUT: (VC/5) x (2.5 GTH x IPN)			@ VC
Tensão de saída zero	VQOV	V	2.495	2.5	2.505	@ V: 5 e  IPN: 0A
Tensão de referência	VREF	V	2.48	2.5	2.52
Ganho teórico	GTH	MV/A		20
Consumo de corrente	IC	MA	-	18	25
Resistência de carga	RL	kΩ	5	-	ilimitado	@ VOUT para GND
Capacidade de carga	C2	NF	-	1	10
Condensador do filtro de potência	C1	µF	-	-	0.1
Dados de desempenho
Erro de ganho	G	%	-1		1
Erro de desvio de temperatura do ganho	TCG	%	-2,5		2.5	@ TA-40ºC ~ 105ºC
Tensão de desvio zero	VOE	MV	-5		5	VOUT-Vref @ Vref 0
Desvio de temperatura de erro zero	TCVOE	MV	-12		12	@ TA-40ºC ~ 105ºC
Tensão de desvio magnético	VOM	MV		± 2		@ TA 25 @ ± VC 5 V após IPN
Erro não linear	L	% de IPN	-0,5		0.5	Excluir  VOE zero
Tempo de resposta	tr	µs		3.6	-	@ Bstep: 400G, CL: 1nF
Largura de banda (-3dB)	PRETO E BRANCO	KHz		200
Mudança de fase	∅	grau		-
Ruído de saída	VNO pp	MV		10		@ DC a 200 KHZ
Dados gerais
Temperatura ambiente de funcionamento	TA	ºC	- 40 …
Temperatura ambiente de armazenamento	TS	ºC	- 55 …
Massa	m	g	aprox. 5

ESPECIFICAÇÃO HS10R-50A-P.

Parâmetro	Símbolo	Unidade	Mín	Típ	Máx	Observações
Dados elétricos
Gama de medição de corrente primária	IPN	A	-50		50
Tensão de alimentação	VC	V	4.5	5.0	5.5
Tensão de saída	VOUT	V	VOUT: (VC/5) x (2.5 GTH x IPN)			@ VC
Tensão de saída zero	VQOV	V	2.495	2.5	2.505	@ V: 5 e  IPN: 0A
Tensão de referência	VREF	V	2.48	2.5	2.52
Ganho teórico	GTH	MV/A		16
Consumo de corrente	IC	MA	-	18	25
Resistência de carga	RL	kΩ	5	-	ilimitado	@ VOUT para GND
Capacidade de carga	C2	NF	-	1	10
Condensador do filtro de potência	C1	µF	-	-	0.1
Dados de desempenho
Erro de ganho	G	%	-1		1
Erro de desvio de temperatura do ganho	TCG	%	-2,5		2.5	@ TA-40ºC ~ 105ºC
Tensão de desvio zero	VOE	MV	-5		5	VOUT-Vref @ Vref 0
Erro de desvio de temperatura de zero	TCVOE	MV	-12		12	@ TA-40ºC ~ 105ºC
Tensão de desvio magnético	VOM	MV		± 2		@ TA 25 @ ± VC 5 V após IPN
Erro não linear	L	% de IPN	-0,5		0.5	Excluir  VOE zero
Tempo de resposta	tr	µs		3.6	-	@ Bstep: 400G, CL: 1nF
Largura de banda (-3dB)	PRETO E BRANCO	KHz		200
Mudança de fase	∅	grau		-
Ruído de saída	VNO pp	MV		10		@ DC a 200 KHZ
Dados gerais
Temperatura ambiente de funcionamento	TA	ºC	- 40 …
Temperatura ambiente de armazenamento	TS	ºC	- 55 …
Massa	m	g	aprox. 5

Nota:

1. A saída de tensão Uout, a tensão de desvio UQOV e a sensibilidade GTH são totalmente proporcionais à fonte de alimentação VC;

 

1. A frequência da corrente a medir tem de ser limitada dentro da banda de frequência do sensor, caso contrário, o núcleo e o chip sobreaqueceram;

 

1. A cablagem incorrecta pode danificar o sensor.

Dados de isolamento:                        
 

Parâmetro	Símbolo	Unidade	Valor	Observações
Isolamento AC resistir a teste de tensão RMS @ 50Hz, 1min	UD	KV	4.3
Impulso para suportar tensão 1.2/50US	UW	KV	8
Material do invólucro	-	-	UL94 - V0	PA66 MAIS DE 30% DE GF
Índice de localização relativo	CTI	-	-
Distância da página	DCP	mm	> 8
Folga eléctrica	DCi	mm	> 8

Limite máximo:
 

Parâmetro	Símbolo	Unidade	Valor
Tensão de alimentação	VC	V	8
Corrente de saída (saída em curto com o terra)	IOUT	MA	2.8
Descarga electrostática - descarga de contacto	VESD	V	2000