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Díodo laser semicondutor de alta potência de 10 W 808 nm com montagem em C, emissor único

Certification: ISO
Application: Emitter
Structure: SH

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Fabricante / Fábrica

Informação Básica.

N ° de Modelo.
CM808DL10
Capacidade de Produção
1000PCS/Month

Descrição de Produto

Laser de díodo emissor de luz único de montagem C de 80 nm de 10 W.
Características:
O CM808DL10 é um díodo laser de pacote de montagem em C de alta qualidade, que o laser Fabry-Perot se baseia no crescimento de camadas epitaxiais de poços quânticos topo de gama e na fiável estrutura de guia de ondas de aresta. O CM808DL10 é fácil de montar e proporciona um bom contacto térmico, tornando-o na escolha ideal para aplicações OEM e de alta potência.  O pacote C-mount tem dois contactos dourados soldados para as camadas de semicondutores n- e p-doped.
Série de díodos laser de emissor único CM808DL10, que se baseiam no design da estrutura de epíaxia de poços quânticos e guia de onda de cume. Os emissores individuais embalados de montagem em C proporcionam uma excelente fiabilidade e desempenho. O comprimento de onda central inclui 635 nm, 650 nm, 670 nm, 785 nm, 808 nm, 830 nm, 9 xxnm e 1064 nm. Os designs das embalagens incluem montagens, suportes CoS, suportes C e suportes F. Fornecer serviços de modelação de feixes, como compressão de eixo rápido, de acordo com as exigências do cliente.

High Power 10W 808nm C-Mount Semiconductor Laser Diode Single Emitter

Folha de dados:

Número do item: CM808DL10

Óptico  
Comprimento de onda central λ 808 nm
Tolerância do comprimento de onda ± 5 nm
Potência de saída 10 W.
Eficiência de declive 1,1W/A.
Eléctrico  
IOP atual de operação 5A
Corrente limite i 0,3A
Tensão de funcionamento VOP 2 V.
Eficiência de conversão de energia 50%
Térmico  
Temperatura de funcionamento 15 ~ 35ºC
Temperatura de armazenamento - 40 ~ 80ºC
Coeficiente de temperatura do comprimento de onda 0,3 nm/ºC
 

Desenho detalhado:
High Power 10W 808nm C-Mount Semiconductor Laser Diode Single Emitter
 

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