0.32mm Substrato Si3n4 de Nitreto de Silício Grosso para Módulo IGBT

Detalhes do produto
Costumização: Disponível
Aplicação: refractário, cerâmica de estrutura, cerâmica industrial
Material: nitreto de silicone
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Endereço
Oushute Industry Park, 18 Rongxing Road, Pingshan District, Shenzhen, Guangdong, China
Termos Comerciais Internacionais(Incoterms)
FOB, CFR, CIF, DAT, FAS, DDP, DAP, CIP, CPT, FCA, EXW
Termos de Pagamento
LC, T/T, PayPal, Western Union, Pagamento de pequena quantia, Money Gram, RMB
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Informação Básica

N ° de Modelo.
Padrão
nome do produto
substrato cerâmico de nitreto de silicone
métodos de modelagem
cassete fundida
densidade
mais de 3,2 g/cm3
cor
preto
tratamento de superfície
polido
processo secundário
maquinação cnc, moagem fina
tolerância
od e id melhores para 0,05 mm
certificado
rohs, reach, iso9001:2008
característica
alta dureza, choque térmico alto
utilização
bocal cerâmico, rolamento em cerâmica
digite
peças em cerâmica
Pacote de Transporte
embalagem individual
Especificação
máximo de 800mm
Marca Registrada
jinghui
Origem
China
Código HS
8547100000
Capacidade de Produção
5000000pçs/mês

Descrição de Produto

Substrato Si3N4 de silicone Nitride com 0,32 mm de espessura para módulo IGBT

As principais características do substrato cerâmico de nitreto de silicone
1. Baixa densidade: 3.2 g/cm3  , com peso leve que a maioria das outras cerâmicas técnicas
2. Dureza superior, é uma das cerâmicas técnicas mais duras do que outras
3. Excelente resistência ao desgaste devido à sua dureza e auto-lubricidade excepcionais
4. Baixo coeficiente de expansão térmica e alta condutividade térmica (20 W/m. k)
5. Excelente resistência ao choque térmico, é até 1000ºC sob a atmosfera especial
6. Elevada resistência mecânica e resistência ao impacto do poço do que outras cerâmicas avançadas
7. Resistência ao calor e a altas temperaturas, a temperatura máxima de serviço pode ser de até 1300ºC C.
8. Resistência química e à corrosão, resistente a quase todos os ácidos inorgânicos e a muitos ácidos orgânicos
9. Ao mesmo tempo, o nitreto de silício é um material de isolamento elétrico de alto desempenho

A especificação do substrato cerâmico
Opção de material Nitreto de silício (Si3N4), Zirconia (ZrO2), alumina (Al2O3), carboneto de silício (SiO2)
Métodos de formação Cassete fundida
Especificação 190 mm x 140 mm x 0,32 mm, 190 mm x 140 mm x 0,25 mm,  
184,4 mm x 184 mm x 0,32 mm, 50 mm x 50 mm x 0,30 mm
Processamento de precisão Usinagem CNC, esmerilhamento de precisão, polimento, polimento,  
Tolerância Comprimento e largura a 0,5 mm, espessura a 0,05 mm
Parâmetros principais Condutividade térmica acima de 80 W/m. K, rugosidade da superfície para ser melhor Ra0,6
Qualidade da superfície Sem fissuras, contaminação estranha, superfície do espelho melhor do que Ra0,6

A descrição do substrato cerâmico de nitreto de silício
O nitreto de silício é um composto fabricado pelo homem sintetizado através de vários métodos de reação química diferentes. As peças são prensadas e sinterizadas por métodos bem desenvolvidos para produzir uma cerâmica com um conjunto único de propriedades excepcionais. O material é de cor cinzento-escuro a preto e pode ser polido numa superfície refletora muito suave, dando às peças um aspeto impressionante. Materiais de nitreto de silício de alto desempenho foram desenvolvidos para peças de desgaste de motores automotivos, como válvulas e seguidores de came, e comprovadamente eficazes. O custo das peças em cerâmica nunca caiu o suficiente para tornar a cerâmica viável em motores e turbocompressores. Os corpos de alta qualidade desenvolvidos para estas exigentes aplicações de alta fiabilidade estão disponíveis hoje e podem ser utilizados em muitas aplicações mecânicas, térmicas e de desgaste exigentes.

A aplicação típica de cerâmica de nitreto de silício
São amplamente utilizados para produzir rolamentos, veios, lâminas de turbinas a gás, anéis de vedação mecânicos e moldes permanentes, bocal de vapor, as superfícies aquecidas dos componentes do motor


A galeria de peças em cerâmica Si3N4
0.32mm Thick Si3n4 Silicon Nitride Substrate for IGBT Module

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0.32mm Thick Si3n4 Silicon Nitride Substrate for IGBT Module
 

Folha de dados de cerâmica técnica

Propriedade Unidade Material
Si3N4    99.5% Al2O3 99% Al2O3 96%
Al2O3
ZrO2
Densidade g/cm3 ≥ 3.20 ≥ 3.90 ≥ 3.85 ≥ 3.65 ≥ 6.0
Absorção de água % - 0 0 0 0
Dureza HV - 1700 1700 1500 1300
Força flexural MPa ≥ 600 ≥ 379 ≥ 338 ≥ 320 ≥ 1200
Resistência à compressão MPa ≥ 2500 ≥ 2240 ≥ 2240 ≥ 2000 ≥ 1990
Dureza da fratura MPa m1/2 6 4-5 4-5 3-4 6.5-8
 Temperatura máx. De serviço ºC 1200 1675 1600 1450 1000
Coeficiente de expansão térmica (CTE) 1 × 10  -6  /ºC 3.2 6.5 ~ 8.0 6.2 ~ 8.0 5.0 ~ 8.0 8.0 ~ 9.5
Choque térmico T ( ºC) ≥ 600 ≥ 250 ≥ 200 ≥ 220 ≥ 300
Condutividade térmica (25ºC) L/m 20 30 29 24 3
Resistividade do volume ohm.cm          
25ºC - > 1 x 10 14 > 1 x 10 14 > 1 x 10 14 > 1 x 10 11
300ºC - 1 x 10  12 8 x 10 11 10 12 -10 13 1 x 10  10
500ºC - 5 x 10  10 2 x 10 9 1 x 10 9 1 x 10 6
Resistência de isolamento KV/mm   19 18 18 17
Constante dieléctrica (1 MHz) (E) 6 9.7 9.5 9.5 29
 

Nossa capacidade e força

Temos em casa tipos de equipamento de fabrico abrangentes, incluindo formação, sinterização,
A maquinação CNC, a retificação de precisão, o corte a laser, etc., ajuda-nos a controlar muito bem a qualidade.
Além disso, beneficia grandemente o controlo de custos.


O equipamento de fabrico topo de gama
0.32mm Thick Si3n4 Silicon Nitride Substrate for IGBT Module

0.32mm Thick Si3n4 Silicon Nitride Substrate for IGBT Module

0.32mm Thick Si3n4 Silicon Nitride Substrate for IGBT Module

Rigoroso sistema de controlo de qualidade

0.32mm Thick Si3n4 Silicon Nitride Substrate for IGBT Module

0.32mm Thick Si3n4 Silicon Nitride Substrate for IGBT Module
Observação:
Temos o sistema de controlo de qualidade completo de acordo com a norma ISO9001, incluindo IQC, IPQC, QA e processo OQC.


Proposta de embalagem típica e métodos de transporte
1. Proposta de embalagem
0.32mm Thick Si3n4 Silicon Nitride Substrate for IGBT Module

2. Métodos de transporte regular
0.32mm Thick Si3n4 Silicon Nitride Substrate for IGBT Module


Perguntas frequentes
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R: Somos um fabricante com mais de 15 anos de experiência. Você está bem-vindo a visitar a nossa fábrica.

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