MOSFET NCE40TD60T IGBT DE 600 V E 40 A.

• Tecnologia de Fabricação: Dispositivo Discreto
• Material: Semiconductor de Elemento
• Tipo: Semicondutor Tipo N
• Pacote: TO-247
• Processamento de Sinais: Analógico Digital Composite e Função
• Aplicação: power supply
• N ° de Modelo.: NCE40TD60T
• Modelo: 600V, 40A IGBT MOSFET
• Número de lote: 2022
• Marca: NCE POWER
• l/t: 7 dias
• spq: 2K
• moq: 2K
• folha de dados disponível: sim
• Marca Registrada: NCE POWER
• Origem: CHINA
• Código HS: 8542399000
• Capacidade de Produção: 100000/MONTH

Descrição de Produto

FA1:

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