• Novo transístor MOSFET de canal N SBD10C100F TO220 1000V 10A original
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Novo transístor MOSFET de canal N SBD10C100F TO220 1000V 10A original

prazo: 3 a 7 dias
tecnologia de fabricação: dispositivo discreto
material: semicondutor do elemento
digite: semicondutor do tipo n.
pacote: dip (pacote online duplo)
processamento de sinal: função e composto digital analógico

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Informação Básica.

N ° de Modelo.
SBD10C100F
aplicação
frigobar
número do lote
2019
marca
Silan
modelo
SBD10C100F
Pacote de Transporte
Carton Box
Especificação
57*35*48
Marca Registrada
Silan
Origem
China
Código HS
8542399000
Capacidade de Produção
1000000000

Descrição de Produto




Porquê escolher-nos?

* Specilaze em IC por cerca de 14 anos  
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New original SBD10C100F TO220 1000V 10A N-Channel MOSFET transistor
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Notas

1. As imagens são tiradas por câmera.
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Capital Registrada
1.85 Million USD
Disponibilidade de OEM/ODM
Yes