forma: | MERGULHO |
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Tipo condutora: | Circuito Integrado unipolar |
Integração: | LSI |
técnica: | Thin Film IC |
Application: | Standard Generalized Integrated Circuit |
Type: | Digital / Analog IC |
Fornecedores com licênças comerciais verificadas
* DescriçãO geral
SVF10N60T/F/S/K é Um Modo de melhoramento de canal N Power MOS Transistor de efeito de campo Que é Produzido Usando a Propriedade Silan CellTMstructure Tecnologia VDMOS F.
A Melhor faixa planar céLula e o terminal do anel de proteçãO melhorada foram Especialmente concebidos para minimizar a resistêNcia do estado, fornecem Desempenho de comutaçãO superior E Suportar o Pulso de alta energia Na Avalanche e modo de comutaçãO.
Estes dispositivos sãO amplamente utilizadas em fornecedores de energia AC-DC, conversores DC-DC e motor de PWM da ponte H drivers.
* Recursos
1. | 10A,600V,RDS(ligado)(tip.)=0,96@VGS=10V Baixa carga de bico valvulado |
2. | Os Sir baixa |
3. | A comutaçãO ráPida |
4. | Melhor capacidade de dv/dt |
* Esquema de aplicaçãO tíPica
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