Fonte de alimentação MOSFET de componentes eletrônicos SVF2N60M/MJ/N/NF/F/T/D

• forma: MERGULHO
• Tipo condutora: Circuito Integrado unipolar
• Integração: LSI
• técnica: Thin Film IC
• cor: preto
• Pacote de Transporte: Carton
• N ° de Modelo.: SVF2N60M/MJ/N/NF/F/T/D
• Especificação: AC 85-265V
• Marca Registrada: Chipown
• Origem: China
• Código HS: 8542399000
• Capacidade de Produção: 10000000

Descrição de Produto

- Folha de Dados
 

*    Descrição geral

Power MOS transistor de efeito de campo que é produzido usando SilanSVF2N60M/MJ/N/NF/F/T/D é um modo de melhoramento de canal N especialidades F-    Estrutura celular VDMOS tecnologia.

A melhor    Faixa planar  Célula  E  O        Terminal do anel de proteção melhorada  Foram especialmente concebidos para minimizar a resistência do estado, fornecem    Desempenho de comutação superior  E  Suportar o    Pulso de alta energia na avalanche e o indulto modeThese dispositivos são amplamente utilizadas em fornecedores de energia AC-DC, conversores DC-DC e PWM ponte H drivers do motor




* Recursos

1.	2A, 600V, RDS(ligado)(tip. )=3.7@VGS=10V
2.	Baixa carga de bico valvulado
3.	Os Sir baixa
4.	A comutação rápida

 

* Esquema de aplicação típica
 

Porquê escolher a nós?

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Regista

* As fotografias são tomadas pela câmara.
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